Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Analiza wielkości powierzchni emisyjnych polowych emiterów elektronów z warstw azotków metali przejściowych: TiN, VN i ZrN

Znamirowski Z., Markowski J., Łasisz S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

14-16

PL

Przedstawiono analizę wielkości powierzchni emisyjnych polowych emiterów elektronów z azotków metali przejściowych TiN, VN i ZrN wytworzonych metodą BARE na matrycach z piramidek krzemowych. Analizę przeprowadzono posługując się tzw. arkuszem nachylenie-rzędna. W przypadku emiterów TiN i ZrN uzyskano zaskakująco małe powierzchnie emisyjne. Okazuje się, że z pozoru poprawne charakterystyki emisyjne mogą być skutkiem emisji z defektów warstw lub z zanieczyszczeń powierzchniowych, które mogą zmienić współczynnik wzmocnienia pola elektrycznego i pracę wyjścia.

EN

Analysis of the emission area of the field electron emitters arrays mad e of the transition metal nitrides: TiN, VN and ZrN is presented and discussed. The nitrides were made with BARE technique on the silicon microarrays. The analysis was conducted using the slope - intercept chart. In the case of the TiN and ZrN the emission area was unexpectedly small. It appears that the emission characteristics could be influenced by defective structures on the surface of the emitter. Such features could change the field enhancement factor and work function.

2

Obróbka wiązką jonów, trawienie chemiczne i pomiar fotoluminescencji w ujawnianiu defektów w Si:O wygrzanym w warunkach wysokich ciśnień hydrostatycznych

Łasisz S., Łukaszewicz M., Misiuk A., Bryja L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 7

14-15

PL

Defekty ujawniano na powierzchni mechanicznego szlifu skośnego w próbkach monokrystalicznego krzemu implantowanych jonami O+, a następnie poddanych obróbce termicznej w temperaturze 1130°C w warunkach podwyższonego ciśnienia hydrostatycznego argonu (do 15 kbar). Po selektywnym trawieniu w roztworze Yanga próbki Si:O poddano trawieniu wiązką jonów argonu. Porównano zdjęcia mikroskopowe defektów ujawnionych chemicznie widocznych przed i po trawieniu wiązką jonów. Jako dodatkowy wskaźnik występowania defektów w warstwach implantowanych potraktowano widma fotoluminescencyjne.

EN

Structural deffects were developed on the surface of slant microsection for the specimens of monocrystaline silicon implanted with O+ ions and annealed at the temperature 1130°C under hydrostatic argon pressure up to 15 kbar. After selective chemical etching in Yang solution the speciments were etched with argon ion beam. The influence of ion etching on the relief after selection chemical etching were studed in SEM. Photoluminescence characteristic were treated as suplementary information about the quality of crystallographic structure. The results are presented in table form and illustrated with pictures.

3

Changes of stainless steel surface roughness induced by ion irradiation

Przybylski G., Bałamucki J., Łasisz S., Wilk J., Kowalski Z. W.

Electron Technology

|

2000

|

Vol. 33, No. 3

366-368

EN

Broad argon ion beam from Kaufman type ion source has been used to alter a surface roughness of stainless steel. Measurements of main surface roughness parameters, related to both vertical (i. e. Ra Rz Rt) and horizontal (Sm, S) features of roughness profile, have shown the influence of ion beam incidence and ion dose on the parameters in question.