Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy skupiono się na uzyskaniu pełnej informacji wymiarowej o wyprasce wtryskowej. Omówiono szczegółowo wpływ czynników zewnętrznych na dokładność pomiaru, wskazano również cechy wyrobu niekorzystnie z metrologicznego punktu widzenia. W dalszej części opisano zagadnienia modelowania, które pozwala skrócić czas opracowania narzędzi. Podsumowanie uzupełniono perspektywą rozwoju optycznych systemów skanowania 3D.
EN
This paper is focused on gathering full geometrical information about molding specimen. Details about the influence of environment end external factors on measuring accuracy are given, so as specimen features disadvantageous from metrological point of view. Next part refers to the problem of modeling that makes time of new molding tool work out much shorter. To sum up a possible, future researches on optical 3-D scanning systems is described.
2
Content available remote Badania odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne impulsowe
PL
W pracy opisano metody badań odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne, a zwłaszcza zaburzenia impulsowe. Szczególną uwagę poświęcono generacji odpowiednich sygnałów testowych oraz sposobom ich sprzęgania z badanym układem.
EN
In the work the methods of testing integrated circuits immunity to electromagnetic disturbances, and especially pulse disturbances, are described. Particular attention was paid to the generation of relevant test signals and coupling of these signals with the tested circuits.
PL
Przedstawiono projekt generatora impulsów pikosekundowych na bazie tranzystorów MESFET. Kolejnymi etapami przy realizacji generatora było opracowanie modelu tranzystora MESFET na potrzeby symulacji komputerowej, optymalizacja parametrów podzespołów w celu maksymalnego skrócenia impulsu wyjściowego, realizacja praktyczna generatora i weryfikacja parametrów w rzeczywistym układzie.
EN
The article presents a design of picosecond pulse generator based on MESFET transistors. The consecutive stages of this project are MESFET transistor model elaboration for computer simulation, optimization of parameters of individual components in order to obtain a shortest possible output pulse, practical design of generator and verification of parameters in real circuit.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.