Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Porównanie charakterystyk przetwornicy SEPIC zawierającej tranzystory MOSFET wykonane z krzemu i węglika krzemu

Downar-Zapolski Michał

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2024

Vol. 65, Nr 7

34--37

W pracy przeanalizowano i dokonano porównania parametrów przetwornicy SEPIC w zależności od zastosowanego materiału półprzewodnikowego z jakiego został wykonany tranzystor kluczujący. Badania obejmowały wpływ zastosowanego pół przewodnika na sprawność energetyczną przetwornicy dc-dc, jej napięcie wyjściowe oraz temperaturę diody. Z przeprowadzonych pomiarów wynika, że już samo zastąpienie tranzystora krzemowego na tranzystor z węglika krzemu powoduję wzrost sprawności energetycznej przetwornicy. Istotną kwestią wyróżniającą przetwornice zbudowaną z tranzystora z węglika krzemu jest fakt niewielkich różnic w sprawności energetycznej takiej przetwornicy w momencie zmiany obciążenia na jej wyjściu, w odróżnieniu do klasycznego tranzystora krzemowego, który powodował duże różnice w sprawności energetycznej przetwornicy w zależności od rezystancji obciążenia.

The influence of the precursor dose of the ALD process on the In this study, we analyzed and compared the parameters of the SEPIC converter depending on the semiconductor material used for the switching transistor. The research covered the impact of the semiconductor used on the efficiency of the dc-dc converter, its output voltage, and the temperature of the diode. The findings indicate that merely replacing a silicon transistor with a silicon carbide transistor leads to an increase in the energy efficiency of the converter. A notable aspect distinguishing converters built with silicon carbide transistors is the minor differences in energy efficiency of such converters when there is a change in load at the output, unlike conventional silicon transistors, which caused significant variations in the energy efficiency of the converter depending on the resistance of the load.

Jednofazowy falownik napięcia sterowany z użyciem metody modulacji PFM

Downar-Zapolski Michał, Mysiak Piotr

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 9

143--146

W artykule zawarto przebieg procesu konstrukcyjnego jednofazowego falownika napięcia, sterowanego za pomocą modulacji PFM. Przedstawiono etapy, począwszy od teoretycznych założeń i symulacji, kończąc na projekcie rzeczywistego modelu. Analiza teoretyczna oraz badania zawierają również zagadnienia obejmujące sterowanie prędkością obrotową wału silnika indukcyjnego za pomocą zmiany częstotliwości napięcia zasilania.

The article presents construction process of the single-phase voltage inverter controlled by means of PFM modulation. The work goes through theoretical assumptions and simulations to design of the real model. The theoretical analysis and research include also problems referring to control of the rotational speed of induction motor shaft by changing the frequency of the supply voltage.