Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The complementary structural studies of the double metal cyanide type catalysts for the ring opening polymerization of the oxiranes

Chruściel A., Hreczuch W., Czaja K., Ławniczak-Jabłońska K., Janik J.

Polimery

|

2016

|

T. 61, nr 6

421--432

EN

The extensive complementary experimental studies of the double metal catalysts (DMC) with two kinds of the organic ligands were performed. The chemical justification of the observed TG/DSC (thermogravimetric analysis/differential scanning calorimetry) steps was proposed. Several organic ligand complexing states were found in both types of catalysts. X-ray absorption spectroscopy (XAS) analysis established that only Zn atoms are the active metallic centers in DMC catalyst regardless the used ligand. Cl atoms were detected near some of Zn atoms. Contrary to the common suppositions no significant amount of oxygen atoms was detected in the closest coordination spheres of Zn.

PL

Przeprowadzono badania strukturalne katalizatorów dimetalocyjankowych (DMC) z dwoma rodzajami ligandów organicznych. Zaproponowano wyjaśnienie etapów przebiegu krzywych otrzymanych metodą analizy termograwimetrycznej i różnicowej kalorymetrii skaningowej (TG/DSC) badanych katalizatorów. Wykazano obecność kilku stopni związania ligandów w kompleksach DMC. Na podstawie wyników badań z wykorzystaniem absorpcji rentgenowskiej (XAS) stwierdzono, że centrum aktywne katalizatora stanowi atom cynku. W bezpośrednim sąsiedztwie atomów Zn wykryto obecność atomów Cl, natomiast w najbliższych sferach koordynacyjnych atomu Zn nie wykryto atomów tlenu.

2

Poznawanie własności materii w skali atomowej za pomocą absorpcji promieniowania synchrotronowego

Drzewiecka A., Wolska A., Klepka M. T., Ławniczak-Jabłońska K.

LAB Laboratoria, Aparatura, Badania

|

2012

|

R. 17, nr 6

16-21

3

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

Ławniczak-Jabłońska K., Klepka M. T., Wolska A., Dynowska E., Borysiewicz M. A., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

28-31

PL

Przedstawiono wyniki komplementarnej charakteryzacji, technikami XRD i XAS, cienkich warstw Ti-Si-C osadzanych metodą wysokotemperaturowego magnetronowego rozpylania katodowego na podłożach szafirowych (00.1) z wykorzystaniem targetów pierwiastkowych Ti, Si i C. Badania dyfrakcyjne wykazały silną zależność składu fazowego warstw od wielkości mocy podawanych na poszczególne targety podczas ich osadzania, natomiast badania spektroskopii absorpcyjnej pozwoliły na określenie zmian w funkcji tej mocy lokalnego, uśrednionego porządku atomowego w otoczeniu atomów Ti i porównanie go z porządkiem jaki powinien występować w modelowym związku Ti₃SiC₂. Wykonano dwie grupy próbek: o relatywnie wysokiej mocy targetu Si i średniej targetu C oraz o względnie niskiej mocy targetu Si i wysokiej targetu C.

EN

This work presents the results of complementary use of XRD and XAS for the characterisation of thin Ti-Si-C films deposited via high temperature magnetron sputtering onto sapphire (00.1) substrates using elemental Ti, Si and C targets. The XRD studies showed a strong dependence of the phase composition of the films on the powers fed to the individual targets during deposition. The XAS studies enabled to determine the local atomic order in Ti neighbourhood and differences in averaged atomic order in function of power fed as compared to a Ti₃SiC₂ model. Two sample sets were fabricated, one with a relatively high power fed to the Si target and a medium power fed to the C target and the second where a relatively low power was fed to the Si target and a high one to the C target.

4

Wyznaczanie faz powstających w trakcie procesów technologicznych nanoszenia warstw Ti-Si-C na szafir

Ławniczak-Jabłońska K., Klepka M. T., Wolska A., Dynowska E., Borysiewicz M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

78-81

PL

Ze względu na swoje wyjątkowe właściwości fizyczne, takie jak odporność na działanie wysokiej temperatury i stabilność chemiczną oraz wysokie przewodnictwo elektryczne i cieplne, potrójne związki należące do tzw. grupy faz MAX, a w szczególności faza Ti₃SiC₂, są obiecujące do zastosowań w metalizacjach do przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotków grupy III. Większość prac dotycząca wytwarzania związków MAX obejmuje syntezę wysokotemperaturową kryształów objętościowych z proszków. Stosunkowo niedawno pojawiły się doniesienia o osadzaniu cienkich warstw faz MAX metodami PVD, w szczególności na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. W prezentowanej pracy przedstawiono wyniki badań nad wpływem zawartości węgla w warstwie buforowej TiC na strukturę krystaliczną osadzanej na niej warstwy Ti-Si-C dla warstw otrzymywanych techniką magnetronowego rozpylania katodowego z targelów Ti, C oraz Ti-Si-C. Badania prowadzone były z wykorzystaniem techniki absorpcji promieniowania synchrotronowego (XAS) oraz dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego (XRD).

EN

Due to the unique combination of metallic electro-thermal conductivity and resistance to oxidation and thermal stability, the ternary compounds belonging to MAX phases, in particular Ti₃SiC₂, phase are promising as the materials potentially applicable for the metallisations in electronic devices based on the semiconductors III-N. The most of the paper devoted to producing MAX compounds is concerning on the synthesis of bulk compounds from powders. Only recently have been reported on thin layers growth of the MAX phases applying PVD method in particular by means of high-temperature magnetron sputtering. In the presented paper the results of studies of the influence of C contents in the buffer layer of TiC on the crystal structure of Ti-Si-C layer grown at this buffer are reported. The studies were performed for layers grown by the high-temperature magnetron sputtering from Ti, C and Ti-Si-C targets. The characterization of layers was done by X-ray absorption (XAS) and X-ray diffraction methods (XRD).

5

Kronika

Ławniczak-Jabłońska K., Nowina-Konopka M., Sobiczewski A., Kasprzak H.

Postępy Fizyki

|

2004

|

T. 55, z. 5

236-239

PL

Tytuły profesorskie. Polska członkiem ESRF. Pamięci Władysława Natansona. Kryształowa Brukselka w Bronowicach. Nazwa pierwiastka 111. Naruszenie parzystości w rozpraszaniu elektron-elektron. Zerowa rozszerzalność cieplna. Trójkąt bermudzki dla satelitów? Konferencja optyki stosowanej.

6

Role of 3d electrons in formation of ionic-covelent bonds in II-VI-based ternary compounds

Ławniczak-Jabłońska K., Iwanowski R.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 2

162-169

EN

The paper gives a review of thw complex studies of the electronic and local atomic structure in Zn₁₋xMxS and Zn₁₋xMxSe (M is Mn,Fe,Co or Ni) alloys performed with use of the X-ray absorption spectroscopy in the near-edge (XANES) - and extended energy range (EXAFS). These included the following absorption edges: K of Se, K and L₂,₃ of S, K and L₃ edges of transition metals and K of Zn. The contribution of the transition metal 3d electrons into formation of the ionic-covalentn bomds in these ternary compounds, estimated from the XANES analysis and chemical shift of the absorption edges, was found decreasing with the 3d shell occupation. Due to elemental and orbital selectivity of this technique one can monitor the level of hybridisation separately for p- and d-symmetry antibonding states and at the site of each constituent atom. Additionally, EXAFS studies of the spatial localisation of the 3d orbit decreases and the tetrahedral covalent radius of the transition metal in ZnS becomes higher than the analogous one for a metallic bond.