Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2005

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Planarne domieszkowanie krzemem naprężonych studni kwantowych InxGa1-xAs/GaAs w technice MOVPE

Ściana B., Radziewicz D., Paszkiewicz B., Tłaczała M., Sitarek P., Kudrawiec R., Misiewicz J., Kováč J., Florovič M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

14-15

Przedstawiono wyniki badań, dotyczące procesów planarnego domieszkowania krzemem naprężonych, pojedynczych studni kwantowych InxGa1-xAs/GaAs w technice MOVPE. Badano wpływ parametrów procesu domieszkowania oraz szerokości studni kwantowej na rozkład domieszki krzemowej. Wprowadzenie domieszki typu delta do studni kwantowej w znaczący sposób zwiększa jej przestrzenne ograniczenie. Ponadto powoduje silną modyfikację przejść optycznych i wzmocniony efekt Starka.

This work presents the studies of Si-δ-doped InxGa1-x As/GaAs strained quantum well obtained by MOVPE technology. The influence of the growth parameters and quantum well width on silicon dopant distribution was investigated. It was shown that introducing delta layer into quantum well gives better carrier confinement. In addition, the PR and PC spectra of Si-δ-doped InxGa1-x As/GaAs SQW confirmed significant modification of the optical transitions and enhanced QCSE.