Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Effect of annealing on the structure of thermal evaporated In2S3 thin films

Gremenok V., Reddy K. T., Tivanov M., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

89--91

EN

Structural studies on In2S3 thin films deposited by vacuum thermal evaporation on glass substrates at a temperature of 240oC, followed by annealing at 330°C and 400°C are presented. It was shown that the films were of amorphous in nature before annealing and after annealing the films became polycrystalline and showed β- In2S3 structure. The grain size increased and followed the usual crystal growth process as the annealing temperature increased. The annealing-induced changes of surface roughness were characterized by atomic force microscopy.

PL

Przedstawiono wyniki badania struktury cienkich warstw In2S3 naniesionych metodą termicznego osadzenia na szkło w próżni w temperaturach od 240oC i kolejnym wygrzewaniem w temperaturach 330oC i 400oC. Ustalono że warstwy miały amorficzną naturę przed wygrzewaniem, po wygrzewaniu wykazywały strukturę polikrystaliczną typu β-In2S3. Rozmiar ziaren powiększał się na skutek aktywnej nuklearyzacji i to przyczyniało się do zwykłej krystalizacji ze wzrostem temperatury. Zmiany zostały przeanalizowane za pomocą AFM.

2

Ab initio molecular dynamics calculations of heat conductivity for silicon related materials

Andriyevsky B., Janke W., Patryn A., Maliński M., Stadnyk V., Romanyuk M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

61--63

EN

Results of the ab initio molecular dynamics for pure silicon and phosphorus doped silicon crystals have been presented. The relation between the phonon lifetime and the root mean square deviation  of atoms based on the condition of the interferometric minimum has been proposed. The relation approximates adequately the temperature dependence of the heat conductivity of pure silicon. However, that relation has not reproduced properly the reference experimental magnitude of the phonon conductivity coefficient of silicon for the phosphorus content nP = 51020 cm-3. This result indicates that the additional kind of the phonon scattering on the local phosphorus stimulated defects should be taken into consideration.

PL

Przedstawiono wyniki obliczeń z pierwszych zasad dynamiki molekularnej niedomieszkowanych i domieszkowanych fosforem kryształów krzemu i zaproponowano wzór relacji między czasem życia fononów i odchyleniem standardowym atomów , bazujący na interferencyjnym warunku minimum fal fononowych. Zaproponowany wzór adekwatnie opisuje temperaturową zależność współczynnika przewodnictwa cieplnego niedomieszkowanego krzemu. Jednak zaproponowany wzór nie odtwarza zadowalająco referencyjnej doświadczalnej wartości przewodności cieplnej krzemu dla koncentracji fosforu nP = 51020 cm-3. Ten wynik wskazuje na to, że dla adekwatnego odtwarzania wartości doświadczalnych należy uwzględnić dodatkowy kanał rozpraszania fononów, związany z lokalnymi około fosforowymi defektami.

3

Determination of CdSxSe1-x thick films optical properties from reflection spectra

Tivanov M., Kaputskaya I., Patryn A., Saad A., Survilo L., Ostretsov E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 9

88--90

EN

A method for determining the band gap value and the refractive index near the absorption edge from reflection spectra was tested for CdSxSe1-x films prepared using the screen-printing and sintering technique.

PL

Przeanalizowano metodę wyznaczenia szerokości przerwy energetycznej i współczynnika załamania z pomiarów widma współczynnika odbicie warstw CdSxSe1-x otrzymanych metodami sitodruku i konsolidacji termicznej (sintering technique).

4

Determination of Cu(In,Ga)(S,Se)2–solar cell parameters from quantum efficiency spectra

Tivanov M., Moskalev A., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

188-190

EN

A method for calculation of the Cu(In,Ga)(S,Se)2-layer parameters (space-charge region width, diffusion length, built-in potential and concentration of non-compensated acceptors) in solar cell is proposed. The method is based on analysis of the quantum efficiency spectra within the framework of a solar-cell unidimensional model.

PL

Zaproponowano metodę wyznaczania parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych (szerokość obszaru ładunku przestrzennego, długość drogi dyfuzji nośników, wbudowane pole elektryczne, koncentracja nieskompensowanych domieszek akceptorowych). Metoda bazuje się na analizie widma wydajności kwantowej ogniwa w ramkach modelu jednowymiarowego.

5

Struktura elektronowa pasmowa i właściwości ferroelektryczne kryształów grupy TGS

Andriyevskyy B., Patryn A., Kurlyak V., Romanyuk M., Stadnyk V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2014

|

Nr 6

5--14

PL

Wykonano porównawcze badania struktur elektronowych pasmowych ferroelektrycznych kryształów siarczanu trójglicyny (TriGlycine Sulfate, TGS), (CH2NH2COOH)3⋅H2SO4, selenianu trójglicyny (TriGlycine Selenate, TGSe), (CH2NH2COOH)3⋅H2SeO4, oraz fluoroberylanu trójglicyny (TriGlycine FluoroBeryllate, TGFB), (CH2NH2COOH)3⋅H2BeF4. Odpowiednie obliczenia z pierwszych zasad (ab initio) przeprowadzono w ramach teorii funkcjonału gęstości z uwzględnieniem międzyatomowych oddziaływań dyspersyjnych. Zastosowana metoda pozwoliła na otrzymanie wyników, lepiej pokrywających się z badaniami doświadczalnymi. Po raz pierwszy została zaobserwowana korelacja obliczonej energii całkowitej i temperatury Curie kryształów TGS, TGSe i TGFB.

EN

Comparative studies of the electronic band structures of the ferroelectric crystals triglycine sulfate (TGS) (CH2NH2COOH)3⋅H2SO4, triglycine selenate (TGSe) (CH2NH2COOH)3⋅H2SeO4 and triglycine fluoroberyllate (TGFB) (CH2NH2COOH)3⋅H2BeF4 have been performed. The respective ab initio calculations have been carried out in the framework of the density functional theory (DFT) with taking into account the interatomic dispersion interactions. The method applied has permitted to obtain results which agree better with corresponding experimental studies. The correlation of the calculated total energy and the Curie temperature for TGS, TGSe and TGFB has been detected for the first time.

6

Determination of space charge region width and diffusion length in Cu(In,Ga)(S,Se)2 absorber from solar cell spectral characteristics

Tivanov M., Patryn A.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2014

|

Nr 6

69--76

EN

In this work we present simple non-destructive method for extracting of Cu(In,Ga)(S,Se)2-based solar cell parameters (space-charge region width and diffusion length of minority charge carriers in Cu(In,Ga)(S,Se)2 absorber) from the analysis of solar cell spectral characteristics. This method is based on one-dimensional model of a solar cell when the change of in-depth distribution of the photogenerated carriers and, hence, the change of its photoresponse with the variation of excitation wave-length in solar cell is taking into account. The following assumptions are accepted: the reflection of charge carriers from back contact and the «drawing» fields in the quasi-neutral area of the absorber layers are negligible; window and buffer layers are transparent in the analyzed of spectrum range; the injection level of minority charge carriers is low; the recombination losses at the metallurgical p-n-junction interface of the studied photosensitive structure are dependent linearly on the photocurrent density.

PL

W pracy przedstawiono prostą metodę nieniszczącego wyznaczenia parametrów (szerokość obszaru ładunku przestrzennego i długość drogi dyfuzji mniejszościowych nośników ładunku w absorberze) dla ogniw słonecznych na bazie Cu(In,Ga)(S, Se)2 z analizy charakterystyk widmowych ogniw słonecznych. Metoda opiera się na jednowymiarowym modelu ogniwa słonecznego, kiedy zmiana rozkładu generowanych optycznie nośników jest prostopadła do powierzchni i zmiana fotoodpowiedzi ze zmianą długości fali światła wzbudzającego jest brana pod uwagę. Przyjęto poniższe założenia: odbicie nośników ładunku od tylnego kontaktu oraz zmiana pola profilu w okolicy quasi-neutralne warstw absorbera są nieistotne; warstwy czołowa i buforowa są przezroczyste w analizowanym zakresie widmowym; poziom generacji mniejszościowych nośników ładunku jest niski; straty rekombinacyjne w bazowym n-p złączu badanej struktury są uzależnione światłoczułych liniowo od gęstości fotoprądu.

7

Technika elipsometrii spektroskopowej jako metoda monitorowania jakości powierzchni materiałów grupy SrxBa1-xNb2O6

Dorywalski K., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 9

22-25

PL

W artykule przedstawiono możliwość zastosowania techniki elipsometrii spektroskopowej do szybkiego i nieinwazyjnego monitorowania jakości powierzchni fotorefrakcyjnych kryształów SrxBa1-xNb2O6. Przedstawiono model optyczny materiału z chropowatą warstwą powierzchniową, który umożliwia precyzyjne wyznaczenie wielkości nierówności powierzchni w procesie dopasowania symulowanych krzywych teoretycznych oraz eksperymentalnych funkcji optycznych. Otrzymane wielkości stopnia chropowatości przy pomocy techniki elipsometrii zbliżone są do odpowiednich uzyskanych techniką mikroskopii sił atomowych.

EN

The article presents the capabilities of spectroscopic ellipsometry as a fast and nondestructive tool for monitoring of surface quality of photorefractive SrxBa1-xNb2O6 crystals. Optical model with surface roughness layer is shown which allows to determine precisly the values of surface roughness in the fitting procedure of modeled and experimental optical functions. The obtained surface roughness quantities by spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy are in good agreement.

8

Synchrotron-based VUV spectroscopic ellipsometry system in application to optical properties studies of wide-bandgap materials for optoelectronics

Dorywalski K., Patryn A., Andriyevsky B., Cobet C., Esser N.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 3

243--246

EN

The paper presents the implementation of spectroscopic ellipsometry measurements in the vacuum-ultraviolet spectral range with use of synchrotron radiation as a light source. Current status of VUV ellipsometer and the principle of its operation is described. The procedure of measurements and ellipsometric data evaluation taking into account surface roughness of the measured specimen of optically uniaxial widebandgap single crystal is presented through the example of Sr61Ba39Nb2O6 ellipsometric characterization. Complex dielectric function ε(E) = ε1(E) + iε2(E) for Sr61Ba39Nb2O6 was obtained in the spectral photon energy range 2–25 eV for polarization direction along b and c crystallographic axes.

PL

W artykule przedstawiono implementację techniki spektroskopii elipsometrycznej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronowego jako źródła światła do zakresu widmowego nadfioletu próżniowego. Zaprezentowano obecny status VUV systemu elipsometrycznego oraz opisano sposób jego funkcjonowania. Poprzez charakteryzację optyczną kryształu Sr61Ba39Nb2O6, przedstawiono procedurę analizy elipsometrycznych danych pomiarowych dla optycznie jednoosiowego monokryształu z uwzględnieniem anizotropii optycznej oraz niejednorodności powierzchni badanej próbki. Uzyskano zależności dyspersyjne tensora zespolonej przenikalności dielektrycznej ε(E) = ε1(E) + iε2(E) dla kryształu Sr61Ba39Nb2O6 w szerokim zakresie widmowych 2–25 eV, dla kierunków wzdłuż osi krystalograficznych b oraz c.

9

Pomiary SPV krzemu stosowanego w fotowoltaice z wykorzystaniem wielokanałowego źródła optycznego

Bychto L., Patryn A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 5

47-50

PL

Metody pomiaru fotonapięcia powierzchniowego SPV są kluczowymi technikami wyznaczania istotnych parametrów materiałów półprzewodnikowych, w szczególności krzemu SQSi (Solar Quality Silicon) stosowanego do produkcji ogniw słonecznych. Celem pracy jest wykazanie, że możliwe jest zastąpienie elementów mechanicznych części wzbudzającej SPV półprzewodnikowymi źródłami światła (SSL). W artykule omówiono zagadnienia dotyczące opracowania i wykonania bloku wzbudzającego z użyciem diod LED i sprzęgacza światłowodowego układu SPV, a także pomiarów podstawowych parametrów optycznych bloku wzbudzającego oraz próbnych badań materiałów krzemowych metodą SPV w trybie stałego strumienia światła. Uzyskane wyniki potwierdziły możliwość wykorzystania elementów SSL do budowy bloku wzbudzającego.

EN

The surface photovoltage method SPV is one of the key methods for evaluation essential intrinsic parameters of semiconductor materials, especially Silicon used for solar cells production. The aim of the paper is the developing the SPV method in the way in which traditional excitation system based on lamp source and monochromator may be replaced with electronic controlled semiconductor source of light (SSL). The paper presents results of design and realization of the excitation block on a base of LED diodes and optical fiber splitter as well as results of analysis of semiconductor materials by using the SPV method in the constant photon flux mode. The obtained results confirmed the possibilities of reasonable using of the SSL elements to design an excitation block for SPV analysis the solar quality silicon materials.

10

Electric and magnetic properties of nickel and nickel-plladium nanowires deposited in anodic aluminum oxide template

Bayev V., Fedotova J., Maximenko A., Streltsov E., Malashchonak M., Azarko I., Fedotov A., Svito I., Patryn A., Apel P., Tyutyunnikov S., Milosavljević M.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2012

|

Nr 4

43--54

EN

Structure, electric and magnetic properties of ordered Ni and Ni-Pd nanostructures synthesized by means of electrochemical deposition in porous anodic aluminum oxide templates were investigated. Templates were filled with nickel and nickel-palladium compositions using the alternative current. Matrix parameters (pores diameter and depth) determine the sizes and morphology of the formed metal nanowires. Negative sign of magnetoresistance was observed at T < 50 K and attributed to TMR effect due to variable range hopping carrier transport mechanism. Positive magnitoresistance was observed at T > 100 K and explained by Lorence-like mechanism. The presence of magnetic perpendicular anisotropy towards template plane in synthesized nanostructures was revealed. Demagnetizing factors of individual nanowire in parallel and perpendicular direction towards template plane were determined by magnetic resonance spectroscopy. Revealed increase of coercivity in nanowires containing palladium was explained by the formation of quasi- multilayered structure of Ni/Pd nanowires during the ac electrochemical deposition.

PL

Struktura, właściwości elektryczne i magnetyczne uporządkowanych Ni Ni-Pd nanostruktur syntezowanych metodą elektrochemicznego nanoszenia w porowatej matryce z utlenionego aluminiowego anodu. Matryca została wypełniona Ni lub Ni-Pd mieszanką z wykorzystaniem prądu zmiennego. Parametry matrycy (średnica i głębokość pór) wpływały na rozmiary i morfologię tworzących się metalicznych nanodrutów. Ujemna magnetorezystancja była obserwowana w temperaturze T<50K i mogła być opisana w ramkach mechanizmu skokowej przewodności. Pozytywna magnetorezystancja została obserwowana dla T>100K i odpowiada mechanizmowi typu Lorence. Obecność magnetycznej prostopadłej anizotropii w stosunku do płaszczyzny matrycy była zanotowana. Demagnezujący czynnik pojedynczych nanodrutów w kierunkach równoległych i prostopadłych do płaszczyzny matrycy był wyznaczony z badań metodą magnetycznej spektroskopii rezonansowej. Zaobserwowany wzrost komercyjności w nanodrutach zawierających palladium może być związany z formowaniem kwasi-wielowarstwowej struktury w Ni/Pd nanodrutach w trakcie elektrochemicznego osadzenia.

11

DC conductivity mechanisms in granular nanocomposite films Cux(SiO2)1-x, deposited in Ar gas atmosphere

Fedotov A., Swito I., Patryn A., Kalinin Y., Sitnikov A.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2012

|

Nr 4

29--42

EN

In the article are presented the results of the study of structure of Cux(SiO2)1-x nanocomposites with a wide range of metallic fraction content and their DC conductivity measured in the temperature range between 3 and 300 K. The Cux(SiO2)1-x thin film samples with 0.36 < x < 0 and thicknesses 3 to 5 μm were fabricated by ion-beam sputtering of the compound Cu/SiO2 target with argon onto the glass ceramic substrate. The as-deposited films displayed their evolution from practically homogeneous (at x < 0.50) to granular (in the range of 0.50 < x < 0.58) structure with x increase where the granules dimensions approached approximately 100 - 200 nm. The study of conductivity have shown that the studied nanocomposite films with x < 0.68 are on dielectric side of metal-insulator transition and possess thermally activated tunneling of electrons between Cu nanoparticles whereas the samples with x > 0.68 indicate the metallic-like character of conductance along the percolating net of Cu nanoparticles inside of silica matrix. In dielectric regime (for nanocomposites with x < 0.68) DC carrier transport is realized by VRH mechanism described by Shklowski-Efros law, by jumps of electrons between Cu nanoparticles.

PL

W artykule przedstawiono rezultaty badań struktury nanokompozytów Cux(SiO2)1-x w szerokim zakresie zawarcia fazy metalicznej and ich DC przewodnictwo zmierzone w zakresie temperatur od 3 do 300K. Cienkie warstwy Cux(SiO2)1-x z 0.36 < x < 0 i grubością 3 I 5 μm były przygotowane poprzez rozpylanie wiązką argonową jonową kompaunda Cu/SiO2 tarczy na podłoże ze szklanej ceramiki. Wszystkie warstwy po napylaniu wykazywały transformację struktury od praktycznie jednorodnej (dla x < 0.50) do granulowanej (0.50 < x < 0.58) gdzie, ze wzrostem x liniowe rozmiary granul osiągają 100-200 nm. Badania przewodnictwa wykazało że nanokompozytowe filmy z x < 0.68 są po dielektrynej stronie przejścia metal-izolator i wykazują termiczne aktywowane tunelowanie elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami, w tym czasie jak przy x > 0.68 zauważono przewodność podobną do metalicznej wzdłuż perkolacyjnej sieci nanocząstek Cu wewnątrz matrycy silicydu. W trybie dielektrycznym (dla nanocząstek z x<0.68) transport nośników jest realizowany wg VRH mechanizmu zgodnie z prawem Shklowskiego-Efrosa, poprzez skoki elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami.

12

Dyspersja przenikalności dielektrycznej kryształów SBN w zakresie spektralnym światła widzialnego i nadfioletu

Dorywalski K., Andriyevsky B., Patryn A.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2010

|

Nr 2

65--76

PL

Dyspersja przenikalności dielektrycznej (funkcje pseudo-dielektryczne) <ε>(E) = <ε1>(E) + i<ε2>(E) kryształów SrxBa1-xNb2O6 (SBN) została zmierzona w temperaturze pokojowej dla pięciu współczynników zawartości atomów Sr (x = 0,40; 0,55; 0,61; 0,65; 0,75) oraz Ba (1-x) przy pomocy spektroskopii elipsometrycznej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronowego w zakresie energii fotonów E = 1,3 – 10 eV. Uzyskane widma <ε2>(E) dla SBN są bardzo zbliżone do analogicznego widma kryształu LiNbO3, w którym oktaedryczne grupy NbO6 są odpowiedzialne za osobliwości zależności <ε>(E). Przeanalizowano zmiany charakterystyk dyspersyjnych SBN wraz ze zmianą współczynnika x. Ustalono, że zależność części urojonej przenikalności <ε2> SBN od współczynnika x jest o charakterze ekstremalnym, nieliniowym.

13

Elipsometria spektroskopowa kryształów ferroelektrycznych w nadfiolecie próżniowym

Andriyevsky B., Patryn A., Ciepluch-Trojanek W.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2009

|

Nr 1

75--86

PL

Badania kryształów ferroelektrycznych pozostają jednym z głównych kierunków współczesnej nauki o ciele stałym głównie dzięki zainteresowaniom mechanizmami mikroskopowymi przemian fazowych. Z tego względu ważne jest badanie struktury elektronowej pasmowej i osobliwości wiązań chemicznych międzyatomowych w kryształach ferroelektryków. Takie dane są niezbędne do wyjaśnienia osobliwości oddziaływania elektron-fononowego i ewentualnych mechanizmów strukturalnych przemian fazowych. Widma optyczne współczynnika odbicia R kryształów TGS w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych były badane w zakresie energii fotonów E od 4 do 22 eV, głównie w pracach [1, 2]. Jednak metodyka pomiarów współczynników odbicia R(E) w tych pracach nie gwarantowała obliczenie przy pomocy relacji KramersaKroniga widm części rzeczywistej i urojonej przenikalności elektrycznej e1(E) i e2(E) kryształów TGS o wystarczająco wysokiej dokładności. W niniejszej pracy są przedstawione wyniki badań właściwości optycznych w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych ferroelektrycznych kryształów siarczanu trójglicyny (TriGlycine Sulfate, TGS), (CH2NH2COOH)3×H2SO4, otrzymane metodą elipsometrii spektroskopowej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronu BESSY-II w Berlinie. Ta metodyka, w porównaniu do stosowanej w pracach [1, 2], jest generalnie o wiele dokładniejsza.

14

Analiza doświadczalna złożoności symboli graficznych jako czynnika sterującego jakością pracy przy komputerze

Patryn A., Susłow W., Statkiewicz M.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2009

|

Nr 1

113-122

PL

Produktywność dialogu prowadzonego pomiędzy człowiekiem a komputerem za pośrednictwem graficznego interfejsu użytkownika (ang. Graphical User Interface, GUI) zależy między innymi od użyteczności zestawu obiektów graficznych, składających się na dany interfejs. W tym kontekście pojęcie „użyteczność” (ang. usability) daje możliwość całościowego ujęcia rozmaitych cech tych obiektów graficznych (budowy, kolorystyki, kontrastu) i aspektów ich interpretacji przez użytkownika komputera (pragmatyki). Projektanci, tworząc aplikacje komputerowe, ciągle poszukują nowych skuteczniejszych rozwiązań dla GUI w zakresie grafiki komputerowej. Grafika ta może być tworzona na bazie fotografii cyfrowej, skanowanych ilustracji bądź też od podstaw w edytorach graficznych (rysowanie) lub nawet w programach do generacji sztucznych form graficznych. Przydatność tych obiektów graficznych w kontekście danej aplikacji komputerowej istotnie zależy od poziomu intuicyjności metafory graficznej: przyszły użytkownik ma być w stanie szybko opanować nowe metafory [1] wprowadzone przez projektantów do przestrzeni wirtualnej i skutecznie manipulować programem za pośrednictwem kontrolek graficznych. Inaczej można powiedzieć, że sukces nowego zestawu grafik dla GUI (np. w postaci tradycyjnych ikon czy piktogramów) zależy od tego czy posiada on cechy łatwego do opanowania swoistego języka graficznego w ramach danej aplikacji. Istnieją międzynarodowe i krajowe standardy (ISO/FDIS 9186-1, ISO 9241, PN-ISO 9186:2005), które wskazują projektantom sposób właściwego postępowania podczas tworzenia ergonomicznych symboli graficznych i piktogramów [2]. Standardy te, niestety, nie zawsze dają odpowiedzi na pytania praktyczne, ponieważ odzwierciedlają jedynie obecny na moment ich powstania poziom wiedzy w dziedzinie ergonomii. Zdaniem autorów, nie rozwiązano problemu rankingowania graficznych elementów GUI ze względu na ich użyteczność, brak jest ogólnie przyjętej skali do porównania przydatności elementów graficznych, które mają tworzyć wspomniany metaforyczny język interfejsu użytkownika. Trudność zdefiniowania takiej skali związana jest z niewystarczającą ilością badań złożonych procesów kognitywnych zachodzących podczas pracy użytkownika aplikacji komputerowej z GUI. Również bezpośrednie przeniesienie modelu zjawisk zbadanych w sytuacjach realnych na przestrzenie wirtualne nie zawsze wydaje się być rozwiązaniem efektywnym. Symbole graficzne i piktogramy można analizować jako obiekty składające się z samej grafiki oraz przypisanego jej znaczenia czy metafory. Procesy postrzegania takich symboli zależą, więc zarówno od cech grafiki zawartej w symbolach jak i ich pragmatyki. Najmniej zbadanym wydaje się być wpływ budowy samej grafiki, zawartej w symbolach – bez analizy przypisanego tej grafice znaczenia. Autorzy niniejszego referatu, zajmując się badaniem alternatywnych inteligentnych graficznych interfejsów użytkownika [3, 4], proponują jako jedno z kryteriów użyteczności elementów GUI poziom błędów użytkownika, rejestrowanych podczas wykonywania zadań rutynowych. Tego typu zadania, zaplanowane w ramach prowadzonych badań mają strukturę testów psychodiagnostycznych komputerowych, takich jak test korektorski [5] czy test pamięciowy [3]. Seria zakończonych badań zawierała zastosowanie opracowanych przez autorów algorytmów i aplikacji testujących. Przewidywały one czynności krótkoterminowego zapamiętywania, odtwarzania i zliczania na materiale tradycyjnym dla takich pomiarów – symbolach alfanumerycznych, oraz na planszach złożonych z obiektów graficznych, nieznanych osobom badanym z użytku codziennego. Obiekty te były tworzone w sposób sztuczny, algorytmicznie i interesowały badaczy jako formy (instancje, obiekty) graficzne, które podczas wykonania testu nie miały dla osób testowanych przypisanego (stałego, wyuczonego) sposobu interpretowania. Można powiedzieć, że dążono do tego, aby metafory tych obiektów nie istniały, aby nie można ich było zaliczyć do grupy symboli. Stwarzało to podczas testowania wymuszoną sytuację uczenia się tych nowych obiektów, bowiem wykonywane na tych obiektach czynności wymagały poprawnego ich rozpoznawania i zapamiętywania.

15

Errors in identification of geometrical graphical forms: computerized study

Patryn A., Susłow W., Statkiewicz M.

Metody Informatyki Stosowanej

|

2009

|

nr 2 (19)

93-100

EN

Authors of this paper propose as one of usability criteria of GUl elements the level of user 's errors that can be registered during performance of routine tasks. These tasks, lead by the authors in the form of on experiment, had the structure of psycho-diagnostic computer tests, such as proof-reader 's test, and memory test. The series of completed tests was based on on algorithms and testing applications developed by the authors.