PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT
Patrzyk Joanna, Zarębski Janusz, Bisewski Damian
Przegląd Elektrotechniczny
|
2024
|
R. 100, nr 10
289--293
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych oraz wybranych na ich podstawie wartości podstawowych parametrów roboczych tranzystora bipolarnego wykonanego w technologii węglika krzemu. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz przeprowadzono ich symulacje za pomocą programu SPICE. W symulacjach wykorzystano zarówno wartości parametrów wbudowanego w programie SPICE modelu tranzystora bipolarnego, zaczerpnięte ze strony producenta, jak i autorskie wartości parametrów otrzymane z wykorzystaniem procedury estymacji.
EN
The paper presents the results of measurements of static characteristics and the values of the basic operating parameters of a BJT transistor made of silicon carbide. The shape of these characteristics was discussed and their simulations were performed using the bipolar transistor model built in the SPICE program. The program used in the simulations both parameter values taken from the manufacturer's website, and the parameter values obtained using the estimation procedure, respectively.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.