Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

2 2016

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Determination of CdSxSe1-x thick films optical properties from reflection spectra

Tivanov M., Kaputskaya I., Patryn A., Saad A., Survilo L., Ostretsov E.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 9

88--90

A method for determining the band gap value and the refractive index near the absorption edge from reflection spectra was tested for CdSxSe1-x films prepared using the screen-printing and sintering technique.

Przeanalizowano metodę wyznaczenia szerokości przerwy energetycznej i współczynnika załamania z pomiarów widma współczynnika odbicie warstw CdSxSe1-x otrzymanych metodami sitodruku i konsolidacji termicznej (sintering technique).

Calculation of the ultimate efficiency of p-n-junction solar cells taking into account the semiconductor absorption coefficient

Tivanov M., Moskalev A., Kaputskaya I., Żukowski P.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 8

85--87

A model based on the famous model of Shockley–Queisser for calculation the ultimate efficiency of solar cells has been proposed, taking into account the dependence of the semiconductor absorption coefficient on the band-gap and on the energy of the incident photons. The dependence of the ultimate efficiency of solar cells on thickness of the absorption layer was found out for homogeneous solar cells.

Opierając się na znanym modelu Shockley`a–Queisser`a do obliczeń maksymalnej sprawności ogniw słonecznych, zaproponowano model biorąc pod uwagę zależność współczynnika absorpcji półprzewodników od pasma wzbronionego oraz energii padających fotonów. Określono zależność maksymalnej sprawności ogniw słonecznych od grubości warstwy absorpcyjnej dla jednorodnych ogniw słonecznych.