Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowania pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw półprzewodników modyfikowanych implantacją jonową

Gluba Ł., Kulik M., Rzodkiewicz W., Żuk J., Kobzev A. P., Pyszniak K., Droździel A., Turek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 11

86-89

W pracy przedstawiamy wyniki analizy punktów krytycznych (E₁) dla warstw GaAs oraz Si zaimplantowanych jonami Xe⁺ dwoma różnymi dawkami. W obliczeniach stosowano metodę pochodnych ułamkowych (FDS) widm funkcji dielektrycznych. Zbadano wpływ uszkodzeń radiacyjnych na własności optyczne tych półprzewodników. Do badań została wykorzystana także metoda RBS/NRA w celu zbadania grubości tlenku oraz warstwy zaimplantowanej.

In this paper we present analysis of critical points (E₁) of Xe⁺ ion implanted GaAs and Si with two different fluences. In our calculations, we applied Fractional Derivative Spectra (FDS) method to dielelectric functions. Influence of radiation damage on optical properties of these semiconductors was studied. For this study RBS/NR was also applied for characterizing thickness of implanted layer and oxide layer.

Element depth profiling of implanted samples

Kobzev A.P.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

309-316

Nuclear techniques, namely Rutherford Back Scattering (RBS) and Elastic Recoil Detection (ERD) have been used in the analysis of the implanted samples. The sensitivity of the RBS method depends on the atomic number of the implanted elements as Z[indeks górny]2. Thus, there is a possibility of measuring very low concentrations of heavy ions implanted in a light matrix. The depth profile of oxygen was obtained using elastic resonance in the nuclear reaction 16O(4He, 4He)16O at 3.045 MeV of 4He ions. The ERD technique was applied to obtain the depth profile of hydrogen. Some problems concerning the roughness of the implanted samples are discussed as well.

Do badań implantowanych próbek użyto metod jądrowych opartych na efekcie rozpraszania wstecznego Rutherforda (RBS) i elastycznego odrzutu (ERD). Czułość metody RBS zmienia się wraz z liczbą atomową Z implantowanego pierwiastka, jak Z[indeks górny]2, co daje możliwość pomiaru nawet bardzo niewielkiej koncentracji ciężkich, implantowanych do lekkich tarcz, jonów. W przypadku głębokościowych rozkładów koncentracji tlenu do badań zastosowano rezonansową reakcję jądrową 16O(4He, 4He)16O dla jonów 4He o energii 3.045 MeV. Natomiast technikę ERD zastosowano w badaniach głębokościowych profili wodoru. W pracy omówione są także pewne problemy związane z chropowatością warstw implanowanych próbek.