PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku w płytkach krzemowych z pomiaru absorpcji na nośnikach swobodnych
Piotrowski T., Kasjaniuk S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
100-102
PL
Przedstawiono metodykę określania czasu życia nośników ładunku, wykorzystującą pomiar absorpcji optycznej nośników swobodnych w podczerwieni, pozwalającą na szybki, bezdotykowy i przeprowadzany z dużą rozdzielczością przestrzenną pomiar tego głównego parametru rekombinacyjnego. Metodyka ta uzupełnia dotychczas stosowane bezdotykowe metody pomiarowe czasu życia nośników ładunku stosowane w diagnostyce przemysłowej a może znaleźć szczególne zastosowanie do charakteryzacji multikrystalicznego krzemu.
EN
A method of charge carrier lifetime determination by using free carriers absorption measurement is presented. The method is quick, contactless and has good spatial resolution. It complements known contactless lifetime measurement methods applied in industry diagnostics and can be especially useful for multicrystalline silicon characterization.
2
Pomiary czasu życia nadmiarowych nośników ładunku w obszarach bliskich granicom ziaren z wykorzystaniem barierowego efektu fotowoltaicznego
Piotrowski T., Sikorski S., Kasjaniuk S., Lipiński M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
74-76
PL
W pracy przedstawiono sposób określania efektywnego czasu życia nadmiarowych nośników prądu w obszarach granic ziaren krzemowych płytek multikrystalicznych przeznaczonych do wytwarzania ogniw słonecznych. Do pomiaru wykorzystano efekt fotowoltaiczny powstający na barierze potencjału związanej z granicą ziaren. Pomiary weryfikowano standardową metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa w czasie z detekcją mikrofalową.
EN
A method of effective carrier lifetime determination near grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells is presented. Photovoltaic effect on potential barrier at grain boundary is used for measurements. Obtained results are werified by method of photoconductivity decay with microwave beam detection.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.