Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wykorzystanie energii słonecznej - konwersja fototermiczna i fotowoltaiczna - nowe perspektywy

Radziemska E., Klugmann E.

Ciepłownictwo, Ogrzewnictwo, Wentylacja

|

2004

|

R. 35, nr 1

7-10

PL

Przedstawiono nowe perspektywy wykorzystania energii słonecznej. Wskazano na możliwości uzyskania w Polsce zarówno ciepła do ogrzewania domów i zaopatrywania ich w ciepłą wodę użytkową, jak i energii elektrycznej za pomocą kolektorów słonecznych i ogniw fotowoltaicznych. Omówiono kierunki rozwoju technologii solarnych na świecie i obecy poziom wykorzystania ich w krajach Unii Europejskiej. Wskazano na korzyści zastosowania nowoczesnych rozwiązań w zakresie energetyki niekonwencjonalnej dla środowiska naturalnego i społeczeństwa lokalnego.

2

Internal friction in pure Co and CoPt alloy during ordering

Klugmann E.

Tribologia

|

2003

|

nr 3

5--18

EN

Internal friction, the shear modulus defect and magnetic susceptibility behaviour of disordered equi-atomic CoPt alloy and pure cobalt has been investigated during annealing with heating rates 6 K/min and 2 K/min up to 850 K using an inverted torsional pendulum. The internal friction peak at 720 K in cobalt near the martensitic phase transition and in CoPt at 700 K, whose amplitude increase with decreasing heating rate, suggest a superposition of two effects: a rapid, thermally-activated, reorientational relaxation leading to short-range order, and a slower, migrational, structural relaxation leading to long-range order.

PL

Zbadano tarcie wewnętrzne, wskaźnik modułu sprężystości postaciowej i podatność magnetyczną stopu CoPt (50% at. Pt) w stanie nieuporządkowanym, uzyskanym w wyniku oziębienia, podczas wyżarzania do 850 K przy wzrostach temperatury 6 K/min, i 2 K/min stosując odwróconą skręcarkę wahadłową. Zaobserwowano maksimum tarcia wewnętrznego w CoPt przy 700 K oraz w monokrysztale kobaltu w 720 K w pobliżu martenzytycznej przemiany fazowej, wzrastające w miarę obniżania szybkości wzrostu temperatury wyżarzania. Otrzymane rezultaty sugerują superpozycję dwóch efektów relaksacyjnych: szybkiego, termicznie aktywowanego efektu reorientacyjnego, prowadzącego do uporządkowania bliskiego zasięgu, oraz wolniejszego, migracyjnego efektu relaksacji strukturalnej, powodującego uporządkowanie dalekie.

3

Sprawność konwersji modułu fotowoltaicznego i straty energetyczne

Radziemska E., Klugmann E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2003

|

R. 79, nr 4

291-295

PL

W pracy przedstawiono zagadnienia wpływu warunków eksploatacji ogniw fotowoltaicznych na sprawność konwersji i związane z tym procesem straty energetyczne. Omówiono metodę wyznaczania punktu maksymalnej mocy w zmieniających się warunkach nasłonecznienia i temperatury. Poruszono perspektywy rozwoju technologii produkcji i zastosowania ogniw PV na świecie w najbliższych latach, w szczególności możliwości zwiększenia sprawności konwersji ogniw.

EN

The purpose of this paper was to present the influence of exploitation conditions on the conversion efficiency of photocells and PV modules. The track of the maximum power point of a PV module due to changes in the illumination level and temperature was presented to show possible ways to shift the Maximum Power Point (MPP) between the current- voltage characteristics and the reason of a Maximum Power Point Tracking (MPPT) unit for finding the maximum power of a solar cell or a solar module in varying illumination level and temperature conditions.

4

Tranzystory organiczne

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 10

12-16

PL

W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

EN

The paper presents device construction, operation principles and some basic characteristics related to organic field-effect transistors shortly reviewing recent progress in the subject. The paper outlines the organic type TFT and SIT transistors made from easily processable and partially ordered flexible organic materials. The authors give also attention to the birth of the molecular field-effect transistor.

5

Internal friction in FePd alloy during ordering

Klugmann E., Polowczyk M.

Tribologia

|

2002

|

nr 5

1401-1413

EN

Internal friction and the shear modulus defect of disordered by quenching equi-atomic FePd alloy has been investigated during annealing up to 900 K using an inverted torsional pendulum. The internal friction decreases until the Curie point T(c)= 740 K, whereas the shear modulus defect increases, reaching at lower heating rate a subsidiary maximum at T(c) and a main maximum at the critical order-disoder transition point of 814 K. Heating rate dependent effects (eg. shift of the Curie point, changes in the internal friction level and magnetic susceptibility) were observed and are discussed in terms of thermally activated, migrational and structural relaxations leading to atomic order.

PL

Zbadano tarcie wewnętrzne oraz wskaźnik modułu sprężystości postaciowej stechiometrycznego stopu FePd w stanie nieuporządkowanym - uzyskanego w wyniku oziębiania, podczas wyżarzania do 900 K za pomocą odwróconej skręcarki wahadłowej. Tarcie wewnętrzne maleje aż do osiągnięcia punktu Curie (T(c) = 740 K), podczas gdy wskaźnik modułu sprężystości postaciowej wzrasta, osiągając przy najmniejszej prędkości wzrostu temperatury pierwsze maksimum przy temperaturze T(c) i główne maksimum w punkcie przemiany ze stanu nieuporządkowanego w uporządkowany w 814 K. Został zaobserwowany efekt prędkości nagrzewania na punkt Curie, zmiany w poziomie tarcia wewnętrznego oraz podatności magnetycznej. Omówiono termiczną aktywację, migrację oraz relaksację strukturalną prowadzącą do uporządkowania struktury.

6

Półprzewodniki organiczne

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 3

11-14

PL

Przedstawiono podział rodzajowy półprzewodników organicznych (PO). Określono wiązania podwójnie sprzężone oraz π-elektrony, które mają fundamentalne znaczenie w teorii PO. Zaprezentowano panujące obecnie koncepcje przewodnictwa elektrycznego oraz fotoprzewodnictwa PO. Przytoczono informację o zwiększeniu do blisko 100% wydajności kwantowej procesu generacji nośników przez wprowadzenie do donorowego PO fullerenów odgrywających tam rolę akceptorów.

EN

A classification of organic semiconductors (OS) is presented. Conjugated bonds and π-electrons as idea of fundamental meaning in the OS theory are introduced. The actual conceptions of increase up to 100% of the quantum efficiency of photoinduced charge generetion by mixing electron-donor type polymer with fullerenes is quoted.

7

Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 10

3-8

PL

Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.

EN

Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.

8

Diament półprzewodnikowy

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1998

|

Vol. 39, nr 7-8

15-18

PL

Właściwości diamentu jako półprzewodnika krystalicznego o szerokiej przerwie energetycznej przedstawiono w porównaniu do krzemu. W tym kontekście omówiono możliwości domieszkowania akceptorowego i donorowego diamentu, rezystywność elektryczną, przewodność cieplną, wytrzymałość na przebicie i prędkość nasycenia swobodnych elektronów i dziur. Przedstawiono wpływ temperatury, światła, pola magnetycznego i naprężeń mechanicznych na rezystywność i oszacowano wartość piezorezystywności diamentu. Wskazano, że diament jako półprzewodnik domieszkowany ma właściwości atrakcyjne do zastosowań elektronicznych w zakresie wysokich temperatur i dużych mocy cieplnych.

EN

Diamond as semiconducting, wide band gap crystalline material in comparision with silicon is reviewed. The acceptor and donor doping possibilities, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown are discussed. The influence of temperature, light, magnetic field intensity and mechanical strain on electrical resistivity is reported. The range of piezoresistivity of diamond is estimated. It is concluded that diamond as impurity semiconductor can now be considered for a range of high power and heat resistant electronic devices.