Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Magnetronowe rozpylanie : technika i technologia

Posadowski W. M., Wiatrowski A., Tadaszak K., Kudzia J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

37-39

PL

W artykule zaprezentowano wyniki badań niestandardowych technologii nanoszenia cienkich warstw metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. Warstwy otrzymywano za pomocą oryginalnych wyrzutni magnetronowych typu WM (planarne, cylindryczne), w szczególności przystosowanych do prowadzenia procesów wysokowydajnych. Badano procesy impulsowego, magnetronowego autorozpylania oraz impulsowego, reaktywnego rozpylania.

EN

The article presents results of research on non-standard technologies for deposition of thin films using magnetron sputtering method. The layers were obtained using the original magnetron sources of WM type (planar, cylindrical), especially suited for high-efficiency processes. The pulsed self-sustained magnetron sputtering and reactive pulsed magnetron sputtering were investigated.

2

Niereaktywny impulsowy proces rozpylania magnetronowego

Posadowski W. M., Wiatrowski A., Kudzia J., Brudnik A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 10

50-51

PL

Porównywano parametry wyładowania jarzeniowego podczas stałoprądowych i impulsowych procesów rozpylania przy dużych gęstościach mocy wydzielanej w targecie. Rozpylano target Cu średnicy 50 mm i grubości początkowej 8 mm. Parametry wyładowania jarzeniowego badano metodą OES w zakresie długości fal 400...410 nm. Celem badań było określenie roli jonów Cu (404,3 nm) podczas procesu rozpylania magnetronowego. Przy zasilaniu stałoprądowym magnetronu, wraz ze zwiększaniem mocy targetu, obserwowano wzrost relacji Cu⁺/Cu*. Dla wartości Cu⁺/Cu*≥ 0,85 możliwe było prowadzenie procesu tzw. autorozpylania. Podczas rozpylania impulsowego stosunek Cu⁺/Cu* osiągał wartość porównywalną z obserwowaną w procesie rozpylania stałoprądowego dużej mocy. Mimo obecności zjawiska autorozpylania, niemożliwe było otrzymywanie warstw metodą impulsowego autorozpylania.

EN

The medium frequency magnetron plasma characteristics have been studied at relatively high target powers. The results have been compared with continuous dc discharge parameters. Planar magnetron source operated with a Cu target (50 mm in diameter, 8 mm in thickness). Continuous direct current and medium frequency pulsed sputtering discharge was studied by means of Optical Emission Spectroscopy in the 400...410 nm wavelength range. The emission results shown to be dominated by emission from metal ions (Cu⁺ 404.3 nm) at relatively high dc target power densities. Then the self-sustained magnetron-sputtering mode was observed. The emission spectra of the pulsed discharge supplied at all range of target powers showed the relation of copper ion lines' intensity to copper neutral lines' intensity comparable with those ones obtained for dc discharge of magnetron working at high target power densities. There was no possibility to carry out self-sustained sputtering mode using pulsing discharge.

3

Wydajność otrzymywania warstw dielektrycznych nanoszonych metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego

Posadowski W. M., Kudzia J., Wiatrowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

17-18

PL

Warstwy aluminium domieszkowane gazem reaktywnym (azot, tlen) otrzymywano w procesie reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego. Mod pracy magnetronu (stan powierzchni targetu) określano na podstawie zależności szybkości nanoszenia i mocy zasilania w funkcji ciśnienia parcjalnego gazu reaktywnego. Maksymalna szybkość nanoszenia przeźroczystych i twardych warstw (AlNx, AlxOy) wynosiła odpowiednio ~60 i ~ 100 nm/ min, przy mocy wydzielanej w katodzie magnetronu 75 W/cm² (odległość target-podłoże dS-T = 100 mm).

EN

Aluminium films doped with reactive gas (nitrogen, oxygen) were obtained during pulsed magnetron sputtering. Magnetron mode (surface condition of the target) was estimated from the parameters of the power supply unit and from the thin film deposition rates versus reactive gas partial pressure. The maximum deposition rate of transparent and hard films (AlNx, AlxOy) was ~ 60 and ~ 100 nm/ min respectively, at the target power density 75 W/cm² (target-substrate distance dS-T = 100 mm). The thin films were sputtered in metallic sputtering mode.

4

Badanie procesu autorozpylania niklu

Posadowski W., Kudzia J., Brudnik A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 11

24-26

PL

Przedstawiono wyniki badań procesu rozpylania niklu za pomocą wysokowydajnego układu magnetronowego WMK-50. Prowadzono rozpylanie standardowe w argonie i autorozpylanie bez obecności jakiegokolwiek gazu roboczego. W ostatnim przypadku rolę gazu roboczego spełniały rozpylone atomy niklu. Zmierzono charakterystyki prądowo-napięciowe magnetronu w dwóch ciśnieniach gazu roboczego pAr = 0 i pAr = 6,6 × 10⁻³ hPa. Zjawisko autorozpylania występowało przy gęstości mocy wydzielanej w targecie większej od ~ 430 W/cm², wówczas proces rozpylania mógł być kontynuowany przy końcowym ciśnieniu stanowiska próżniowego pt = 1,3 × 10⁻⁵ hPa. Ze wzrostem prądu targetu zaobserwowano większy względny wzrost natężenia wybranych linii emisyjnych niklu w porównaniu do natężenia linii argonu, co wskazywało w świetle wcześniejszych badań rozpylania miedzi na występowanie zjawiska chłodzenia plazmy wyładowania jarzeniowego.

EN

High efficiency magnetron sputtering process of nickel, using WMK-50 magnetron source, has been presented. Standard sputtering in argon and sustained self-sputtering (SSS) processes was carried out. The latter means that "gas" of sputtered metal ions and atoms plays the role of working gas sustaining the discharge. Current-voltage characteristics were measured at different argon pressures pAr = 0 (SSS mode) nd pAr = 6,6 × 10⁻³ hPa (argon mode). The sustained self-sputtering magnetron mode appeared at target power density higher than ~ 430 W/cm² and sputtering process could be continued at final pressure of vacuum set equal to pt = 1,3 × 10⁻⁵ hPa. The increase of target current caused the relative higher increase of Ni emission line intensity in comparison to argon lines. Comparing these data with similar ones obtained during experiments performed previously (sputtering of Cu) one may conclude that phenomenon of plasma cooling was existing.