PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Projekt przekształtnika DC/DC w topologii podwójnego mostka aktywnego (DAB) dla układu laboratoryjnego do badania baterii litowo-jonowych
Gierczyński Michał, Grzesiak Lech M., Kaszewski Arkadiusz, Bałkowiec Tomasz, Miazga Tomasz, Straś Andrzej
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 2
77--81
PL
W artykule przedstawiono projekt przekształtnika DC/DC w topologii podwójnego mostka aktywnego. Przedstawiono specyfikę aplikacji docelowej tego przekształtnika. Wyjaśniono jego budowę oraz zasadę działania. Następnie na podstawie zależności analitycznych wyjaśniono, jak dobierać kluczowe parametry tego układu, aby spełnić wymagania określone w jego specyfikacji.
EN
The paper presents a design of a DC/DC converter in dual active bridge topology. The characteristics of its target application have been presented. Then, the structure and operational principle have been described. Finally, based on analytical expressions it has been shown, how to choose the key system parameters, in order to meet the application requirements.
2
Content available remote Modularny przekształtnik wielopoziomowy z wykorzystaniem półprzewodników z azotku galu
Straś Andrzej, Jackiewicz Krzysztof, Miazga Tomasz, Bałkowiec Tomasz, Gierczyński Michał, Kaszewski Arkadiusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
169--172
PL
W artykule opisano zagadnieniami związane z Modularnym Przekształtnikiem Wielopoziomowym wykonanym z wykorzystaniem tranzystorów HEMT z azotku galu (GaN). Przedstawiony został projekt obwodu silnoprądowego urządzenia oraz wymagania stawiane układowi sterowania. W publikacji przedstawiono również opis elektronicznej platformy sterującej dla przekształtnika.
EN
The article describes issues related to the Modular Multilevel Converter made with the use of gallium nitride (GaN) HEMT transistors. The design of the power circuit of the device and the requirements for the control system are presented. The publication also presents the description of the electronic control platform designed to control the converter.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.