Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Łączenie podłoży szklanych metodą bondingu anodowego

Knapkiewicz P., Cichy B., Posadowski W., Krówka K., Kubicki W., Dziuban J. A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 6

86-87

W pracy wykazano, że możliwe jest połączenie dwóch podłoży szklanych w procesie bondingu anodowego przez cienką warstwę krzemu polikrystalicznego (PSi). Metoda ta otwiera drogę do wytwarzania tanich, całkowicie szklanych chipów fluidycznych, jak również innych struktur szklanych, stosując techniki mikroinżynieryjne. Może być z powodzeniem stosowana do łączenia różnej wielkości podłoży. W pracach własnych z powodzeniem połączono 3" podłoża szklane. Opisywaną metodę łączenia podłoży szklanych przez cienką warstwę PSi zastosowano do wytworzenia chipu mikrofluidycznego przeznaczonego do elektroforezy kapilarnej. Testy niszczące połączonych struktur testowych wykazały, że siła łączenia jest większa od 40 MPa, co odpowiada połączeniu krzemu i szkła w procesie bondingu anodowego.

The glass-to-glass integration method using anodic bonding technique through thin polysilicon layer (PSi) as intermediate layer has been presented. The method opens a way to fabricate chip, all glass microfluidic chips, as well as another glass structures, using microengineering technology. It can be use for integration glass wafers with different shape. 3" glass wafers has been successfully assembled. The method described in this paper, has been used for fabrication microfluidic chip dedicated to capillary electrophoresis. Breaking tests of test samples has shown bonding force higher then 40 MPa, what corresponds to bonding force of glass and silicon assembled by anodic bonding process.

Badanie cienkich warstw nanoszonych metodą magnetronowego rozpylania krzemu w atmosferze Ar + O₂

Posadowski W. M., Chmiel Ł., Wiatrowski A., Krówka K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 9

16-18

Badano proces reaktywnego, impulsowego, magnetronowego osadzania cienkich warstw krzemu w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Rozpylano target Si o średnicy 50 mm przy różnych mocach i ciśnieniach parcjalnych tlenu. Mierzono szybkość osadzania warstw SiOx oraz tzw. moc krążącą - charakterystyczny parametr zasilacza impulsowego DORA. Na tej podstawie określano mody pracy reaktywnego rozpylania magnetronowego. Istotnym wynikiem badań było pokazanie możliwości wysokowydajnego osadzania cienkich warstw dielektrycznych w metalicznym trybie pracy magnetronu.

The pulsed reactive magnetron sputtering process in Ar + O₂ atmosphere was investigated. The silicon target of 50 mm in diameter was sputtered at different target powers and oxygen partial pressures. The deposition rate of SiOx films and 50 called circulating power were measured. On this basls the modes of magnetron reactive sputtering were described. The point of investigation was the SiOx films high efficiency deposition possibility at metallic mode of sputtering.