Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Accelerating computation of a reduced order model of a structural system resulting from Craig–Bampton reduction using GPU programming

Górecki Piotr, Kalinowski Miłosz, Jeziorek Łukasz, Broniszewski Jakub, Koziara Tomasz

Computer Assisted Methods in Engineering and Science

|

2024

|

Vol. 31, no. 1

51--66

EN

The Craig–Bampton (CB) method is a well-known substructuring technique that reduces the size of a finite element model (FEM) using a set of vibration modes. For large FEA models, the reduction process could be computationally expensive since it requires algebra operations on FEM mode shapes and FEM system sparse matrices. In this paper, we investigate the potential of usage of GPU parallel processing to speed up solving the system of linear equations that results from the CB reduction process made for a model of cyclic structures. A Python based high-level approach, employing the CuPy, GinkGo and STRUMPACK libraries on the GPU, is compared with an optimized Fortran code. In side-to-side comparisons, employing the same inputs, the Python-GPU code is run on a single GPU device and the Fortran code is run on a multi-core compute node. The CB reduction process was split into several parts, each dealing with different kind of algebraic formulation of the problem. Performance comparisons were focused on the sparse system linear solver, since it turned out to be the most time-consuming part. The results suggest that the current GPU-based linear sparse solvers do not surpass the state-of-the-art CPU-based MKL PARDISO solver (at least up to 1M DOFs).

2

Wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza

Górecki Piotr, Bielecka Agata, Wojciechowski Daniel

Przegląd Elektrotechniczny

|

2021

|

R. 97, nr 2

16--19

PL

W pracy przedstawiono wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza. Przedstawiono sposób modelowania tranzystora IGBT w programie PLECS, a także sprawdzono jak należy opisywać jago właściwości statyczne by uzyskać dobrą dokładność obliczania temperatury wnętrza tego tranzystora. Wykonano obliczenia i określono wartości błędu względnego wyznaczania przyrostu temperatury wnętrza dla różnych sposobów odwzorowania jego charakterystyki wyjściowej.

EN

In the paper, an influence of complexity of a thermal library of IGBT in PLECS on the accuracy of computing its junction temperature is presented. The modeling method of IGBT in PLECS is presented, and it is also showed how to describe the static properties of the IGBT to obtain good accuracy of computing junction temperature of the transistor. Appropriate analyzes were carried out in PLECS and the relative error values of determining the IGBT junction temperature increase are determined for various manners of mapping its output characteristics.

3

Wpływ wyboru parametru termoczułego na zmierzone wartości rezystancji termicznej tranzystora IGBT

Górecki Krzysztof, Górecki Piotr

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 12

106--109

PL

W pracy przeanalizowano problem doboru parametru termoczułego na wynik pomiaru rezystancji termicznej tranzystora IGBT. Przedstawiono metody wykonywania pomiaru rezystancji termicznej tego tranzystora przy wykorzystaniu w charakterze parametru termoczułego napięcia między bramką a emiterem lub napięcia na spolaryzowanej w kierunku przewodzenia diodzie antyrównoległej. Przedyskutowano czynniki wpływające na dokładność pomiaru realizowanego przy wykorzystaniu tych metod. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów rozważanych parametrów uzyskanych przy wykorzystaniu omawianych metod dla różnych warunków chłodzenia badanego tranzystora. Oceniono uzyskane rozbieżności między tymi wynikami pomiarów.

EN

In this paper the problem of the selection of the thermo-sensitive parameter on the result of the measurement of thermal resistance of the IGBT is analysed. Methods of the measurements of thermal resistance of this transistor using the voltage between the gate and the emitter or voltage on forward biased antiparallel diode as the thermo-sensitive parameters are presented. Factors influencing measuring error of the considered measurement methods are discussed. Measurement results of thermal resistance obtained with the use of considered methods for different cooling conditions of the tested transistor are presented and discussed. Obtained differences between these results of measurements are evaluated.