Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Structural analysis of Srn+1RunO3n+1 thin films deposited by laser ablation

Chmielowski R., Madigou V., Fremy M. A., Blicharski M., Nihoul G.

Archives of Metallurgy and Materials

2006

Vol. 51, iss. 1

83-86

The series of conductive oxides, Srn + 1RunO3n+1, has been studied for applications in microelectronics as these oxides could be interesting electrode materials for ferroelectric memories (FeRAM). Sr2RuO4 seems to be an interesting candidate. Thin films of Sr2RuO4 were obtained by pulsed laser deposition on a Si (001) substrate. The influence of deposition times and pulse frequencies on the microstructure and properties of the deposited thin films was analysed. Thin films characterization was done by X-ray diffraction, EDS microanalysis, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy and conductivity measurements. Most of the films are composed of several oxides of the Srn + 1RunO3n+1 series. However, their surface is well-defined and, for some films, the conductivity is interesting for applications. Deposition parameters have strong influence on composition and microstructure of oxides films.

Badania struktury krystalicznej, mikrostruktury oraz własności elektrycznych cienkich warstw, które maja mieć zastosowanie jako elektrody w pamięciach ferroelektrycznych (FeRAM) skupiają się na materiałach tlenkowych. Jednym z nich jest Sr2RuO4 należący do grupy tlenków Srn + 1RunO3n+1, charakteryzujących się dobrymi własnościami elektrycznymi. Cienkie warstwy z Sr2RuO4 osadzono techniką ablacji laserowej na płaszczyźnie (001) monokryształu krzemu. Analizowano wpływ czasu ekspozycji oraz częstotliwości impulsów laserowych na strukturę i własności otrzymanych warstw. Badania prowadzono z wykorzystaniem, rentgenowskiej dyfrakcyjnej analizy fazowej, mikroanalizatora EDS oraz za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej i transmisyjnej mikroskopii elektronowej. Przeprowadzone badania własności elektrycznych wykazały przydatność cienkich warstw do zastosowań na elektrody w układach mikroelektronicznych.

Wybrane metody badań struktury i własności cienkich warstw i powierzchni materiałów

Kusiński J., Chmielowska M., Kopia A., Kowalski K., Chmielowski R.

Hutnik, Wiadomości Hutnicze

2004

Vol. 71, nr 3

120-128

W pracy przedstawiono wyniki badań struktury i własności katalitycznych cienkich warstw CeO2 domieszkowanych Cu (6,5, 15, 21,5, 27% at.) wytworzonych techniką ablacji laserowej. Przeprowadzno analizę fazową na dyfaktometrze rentgenowskim, badania struktury na mikroskopach skaningowym i transmisyjnym, oraz własności katalitycznych, za pomocą spektroskopii w podczerwieni. Analiza wyników badań wykazała zmiany struktury, tekstury i własności katalitycznych wraz ze wzrostem zawartości miedzi w warstwach. Ponadto przeprowadzono badania transportu masy w wysokich temperaturach w warstwie przypowierzchniowej tlenku cyrkonu stabilizowanego itrem. Stwierdzono na powierzchni, przy pomocy metody AR-XPS, bardzo silną segregację krzemu, będącego tylko śladowym zanieczyszczeniem w objętości. Metodą SIMS badano dyfuzję tytanu i wapnia wewnątrz ziaren przyległych do powierzchni i wzdłuż granic ziarnowych.

CeO2 thin films doped with copper were elaborated by Pulsed Laser Deposition with variable atomic fractions of Cu (6.5, 15, 21.5, 27% at). The thin films were characterized by means of scanning and high - resolution electron microscopy, x -ray diffraction analysis and infrared spetroscopy. The results of investigation showed structure, texture and catalytic properties modifications of the thin films with Cu content increase. Mass transport in the surface layer of yttria - stabilized zirconia was investigated at high temperatures. A very strong surface segregation of silicium, which is only a trace contamination in the bulk, was found. The diffusion of titanium and calcium in the bulk of grains adjacent to the surface and along grain boundaries was studied using the SIMS method.