Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE

Bisewski Damian, Lubicz-Krośnicka Emilia

Przegląd Elektrotechniczny

2023

R. 99, nr 9

289--292

Artykuł dotyczy problematyki komputerowego modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu (SiC). W ramach realizacji pracy sformułowano oraz zaimplementowano w programie PSPICE autorski model rozważanego tranzystora, który bazuje na zmodyfikowanym modelu Shichmana-Hodgesa krzemowego tranzystora MOS. Opracowany model, w porównaniu do innych istniejących modeli tranzystora MOS wbudowanych w popularnych programach komputerowych, modeli firmowych, a także modeli opisanych w literaturze, cechuje się dużą dokładnością. Ponadto, zaproponowany model charakteryzuje się stosunkowo nieskomplikowaną budową, tzn. w zależnościach analitycznych opisujących ten model występuje zaledwie kilkanaście parametrów, których wartości można wyznaczyć korzystając z informacji zawartych w kartach katalogowych konkretnych typów tranzystorów albo na podstawie wyników pomiarów.

The paper deals with the problem of computer modelling of characteristics and parameters of power MOSFETs made of silicon carbide (SiC). An original model of the considered transistor was formulated and implemented in the PSPICE program, which is based on the ShichmanHodges model of the silicon MOS transistor modified by the authors. In comparison to other existing MOS transistor models embedded in popular computer programs as well as models described in literature, the developed model exhibits high accuracy. Furthermore, the proposed model features a relatively simple structure, meaning that it includes only a few parameters in its analytical description. The values of these parameters can be determined based on the information provided in the datasheets of specific transistor types or through measurement results.

Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS

Bisewski Damian, Lubicz-Krośnicka Emilia

Przegląd Elektrotechniczny

2021

R. 97, nr 12

187--190

Praca dotyczy problematyki modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu. Przedstawiono aktualny status komercyjny tranzystorów SiC-MOS oraz informacje w zakresie dostępności modeli firmowych rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. Zaprezentowano budowę oraz zasadę działania modeli oferowanych przez wybranych producentów tranzystorów SiC-MOS. Przedstawiono wyniki oceny dokładności tych modeli poprzez porównanie wyników symulacji oraz charakterystyk katalogowych.

The paper concerns on modelling of the characteristics and parameters of power MOSFETs made of silicon carbide. The current commercial status of SiC-MOSFETs and information on the availability of manufacturers models of considered transistors have been discussed. The structure and principle of operation of the models offered by selected manufacturers of SiC-MOSFETs have been presented. An evaluation of accuracy of these models have been presented by comparing the simulation results and catalogue characteristics.