Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Origin of visible photoluminescence of Si-rich and N-rich silicon nitride films

Komarov F., Vlasukova L., Parkhomenko J., Milchanin O., Żukowski P., Mudryi A., Żhyvulka V., Żuk J., Kopyciński P., Murzalinov D.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 8

184--186

EN

Amorphous Si-rich and N-rich silicon nitride films were deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) and, subsequently, annealed at 600, 800 and 1100ºC in Ar ambient. The different dependences of photoluminescence (PL) spectra on annealing temperatures were revealed for Si-rich and N-rich SiNx films. The origin of PL is discussed on the basis of band diagram depending on the x value and taking into account radiative defects in amorphous SiNx films. The PL spectra transformation after thermal treatment is explained by structural modification via competing process of creation and annealing defects.

PL

Amorficznie wzbogacony Si i N warstwy azotku krzemu zostały utworzony przez wspomagane plazmą osadzanie chemiczne z fazy gazowej (PECVD), a następnie wygrzany w temperaturze 600, 800 i 1100ºC w atmosferze Ar. Różne zależności widm fotoluminescencji (PL) w temperaturze wygrzewania zostały ujawnione dla wzbogaconych Si i N warstw SiNx. Pochodzenie PL omówiono w oparciu o schemat pasma w zależności od wartości x, z uwzględnieniem defektów radiacyjnych amorficznej warstwy SiNx. Transformacji widma PL po obróbce cieplnej jest wyjaśniona przez strukturalną modyfikację spowodowaną konkurencyjnymi procesami tworzenia się i wygrzewania defektów.

2

Webowa aplikacja do badania dynamiki procesów logistycznych z redukcją kosztów transportu

Rogaliński K., Żuk J.

Gospodarka Materiałowa i Logistyka

|

2016

|

nr 5

2--8

PL

W pracy zaprezentowano aplikację służącą do symulacyjnego badania przebiegu procesów logistycznych. Rozważany problem sterowania przepływem towarów i wymiany informacji w łańcuchu dostaw odwołuje się do sytuacji, w której zasoby centrum logistycznego, wykorzystywane do zaspokojenia zgłaszanego popytu, są uzupełniane towarami z zamówień składanych u jednego lub wielu dostawców. Aplikacja umożliwia badanie właściwości podstawowych, jak również zaawansowanych metod sterowania procesem zarządzania zasobami w warunkach zmiennego popytu oraz różnych parametrów środowiskowych. Za pomocą symulatora możliwa jest ocena wpływu doboru algorytmu oraz parametru minimalnej ilości towarów zamawianych jednorazowo u dostawców na redukcję kosztów transportu przy zachowaniu założonego poziomu obsługi klientów.

EN

The paper presents an advanced software tool for modeling and control of periodic-review inventory systems. In the presented model stock in the warehouse is replenished by one or more suppliers at the same time. The application allows its users to analyze properties of both basic and advanced supply policies in the presence of variable demand and various environmental parameters. Presented software is used to determine the impact of minimum order amount parameter and chosen supply policy on total transportation cost, while still maintaining high customer service level.

3

Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+

Pyszniak K., Żuk J., Droździel A., Wójtowicz A., Prucnal S., Turek M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 5

281-283

PL

Zaprezentowano wyniki badań jonoluminescencji węglika krzemu bombardowanego jonami H+ o energiach 120 i 180 keV. Widma jonoluminescencji w zakresie 400-800 nm mają charakter ciągły z maksimum odpowiadającym fali o długości 730 nm. Badano także zmiany natężenia świecenia wywołane bombardowaniem jonowym. Zaobserwowano bardzo szybkie (dwa rzędy wielkości) osłabienie świecenia (dawki rzędu 4·1014 H+/cm2) wywołane zwiększającą się ilością defektów w tarczy. Artykuł zawiera także prezentację aparatury pomiarowej.

EN

Experimental results of the silicon carbide ionoluminescence induced by 120 and 180 keV H+ ion beams. The obtained spectra in the range 400-800 nm are continuous with the maximum at approximately 730 nm. Changes of the luminescence intensity caused by accumulated irradiation fluence were also studied. A very fast decrease of luminescence intensity (by two orders of magnitude) for a relatively small fluence (4·1014 H+/cm2) due to the increasing damage ot the target was observed. A brief description of experimental set-up is also given.

4

XLI Zjazd Fizyków Polskich w Lublinie [sprawozdanie]

Żuk J.

Postępy Fizyki

|

2012

|

T. 63, z. 3

123--125

5

Quantity-based flow control strategy for connection-oriented communication networks

Karbowańczyk M., Żuk J.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2012

|

Vol. 60, nr 2

293-300

EN

In this paper a new flow control strategy for connection-oriented communication networks is presented. It utilises methods of control theory, in particular the Smith predictor and dead-beat control, to achieve desirable dynamics of the considered network. In contrast to a number of earlier proposals in which the controller command is interpreted as the rate transmission, in our solution it is interpreted as the quantity of data that the controlled node is expected to send. This allows us to model a single virtual connection with non-persistent data source as a time-delay system in which the delay may temporarily exceed its assumed boundary. Favourable properties of the proposed control strategy are formulated as mathematical theorems and thoroughly discussed.

6

Zastosowania pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw półprzewodników modyfikowanych implantacją jonową

Gluba Ł., Kulik M., Rzodkiewicz W., Żuk J., Kobzev A. P., Pyszniak K., Droździel A., Turek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

86-89

PL

W pracy przedstawiamy wyniki analizy punktów krytycznych (E₁) dla warstw GaAs oraz Si zaimplantowanych jonami Xe⁺ dwoma różnymi dawkami. W obliczeniach stosowano metodę pochodnych ułamkowych (FDS) widm funkcji dielektrycznych. Zbadano wpływ uszkodzeń radiacyjnych na własności optyczne tych półprzewodników. Do badań została wykorzystana także metoda RBS/NRA w celu zbadania grubości tlenku oraz warstwy zaimplantowanej.

EN

In this paper we present analysis of critical points (E₁) of Xe⁺ ion implanted GaAs and Si with two different fluences. In our calculations, we applied Fractional Derivative Spectra (FDS) method to dielelectric functions. Influence of radiation damage on optical properties of these semiconductors was studied. For this study RBS/NR was also applied for characterizing thickness of implanted layer and oxide layer.

7

Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE

Pyszniak K., Gluba Ł., Turek M., Droździel A., Filiks J., Wójtowicz A., Żuk J., Mączka D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

50-52

PL

Omówiono zastosowanie metody PIPE (Particie Induced Photon Emission) do wyznaczania rozkładów głębokościowych domieszek. Omawiana metoda pozwala również na dość dokładne wyznaczanie współczynników rozpylania... Artykuł zawiera opis stosowanej aparatury, krótkie omówienie procedury pomiarowej, oraz porównanie otrzymanych wyników z symulacjami komputerowymi.

EN

The application of PIPE (Particle Induced Photon Emission) method for dopant depth profiling is described. The method gives also a possibility to determine sputtering yields for targets. The paper contains the description of an experimental setup and the applied method, as well as the comparison of the obtained results with computer simulations.

8

Self assembled InN quantum structures in Si₃ N₄ films produced by flash lamp processing

Prucnal S., Turek M., Pyszniak K., Droździel A., Rebohle L., Skorupa W., Żuk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

48-50

PL

Nanostruktury InN wytworzono w warstwach Si₃ N₄ poprzez implantację jonami In i milisekundowe wygrzewanie błyskowe. W widmie mikroramanowskim obserwuje się wierzchołki 495 oraz 592 cm&8315;¹, odpowiadające fononom Eh₂ oraz A₁ w InN. Wąskie pasmo w widmie fotoluminescencyjnym skupione wokół 1.35 µm potwierdza powstanie kryształów InN o dobrej jakości. Naprężenia powstałe w trakcie formowania się krystalitów mogą zostać zlikwidowane poprzez dobór odpowiednich warunków wygrzewania.

EN

The InN quantum structures were formed in Si₃ N₄ films by indium ion implantation and subsequent thermal annealing. The µ - Raman spectrum shows peaks at 495 and 592 cm&8315;¹ corresponding to the transverse optical (Eh₂) and longitudinal optical (A₁) phonon modes in InN, respectively. The narrow PL band at around 1.35 µm from the InN QDs was observed what confirm the formation of high quality InN crystals. Moreover, stress introduced to the InN nanocrystals during formation can be controlled by the proper choice of annealing conditions.

9

Eksperymentalna weryfikacja algorytmów sterowania zrzutem spadochronowym z wykorzystaniem GPS

Kiczyński K., Żuk J.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2011

|

Vol. 60, nr 1

351-370

PL

Zastosowanie GPS w zrzutach spadochronowych daje liczne korzyści, w tym przede wszystkim zwiększa liczbę dostępnych stref zrzutu oraz znacząco poprawia precyzję dostarczenia ładunku. Wpływa także na bezpieczeństwo samolotu i jego załogi. Wynika to bezpośrednio z czasu przebywania w strefie zrzutu. Długość strefy zrzutu wyznacza się obecnie na co najmniej 500 m. Dla zrzutów wielokrotnych z jednego samolotu długość ta przekracza nawet 1 km. W celu skrócenia tego dystansu możliwe jest wykonanie kilku podejść, ale nie jest to dobre rozwiązanie ze względu na zagrożenie ze strony obrony przeciwlotniczej. Dodatkowo, w celu osiągnięcia dokładności zrzutu lepszej niż 100 m, samolot powinien lecieć na wysokości 150-600 m w zależności od ukształtowania strefy lądowania, rodzaju ładunku i typu spadochronu. Znacznie lepsze parametry uzyskuje się przy zastosowaniu spadochronów szybujących sterowanych sygnałem GPS. Standardowa strefa wielokrotnego zrzutu o długości 1 km umożliwia osiągnięcie strefy lądowania na znacznie mniejszym obszarze. Także wysokość wykonania zrzutu jest znacznie większa, dzięki czemu wzrasta bezpieczeństwo samolotu i załogi. W artykule omówiono kilka algorytmów sterowania zrzutem spadochronowym. Autorzy skupili się szczególnie na dwóch algorytmach sterowania lotem spadochronu - z pojedynczym nawrotem oraz z wieloma nawrotami. Opracowano także metodę pomiaru prędkości wiatru w czasie lotu spadochronu. Opiera się ona na wykonaniu przez spadochron nawrotu o 180º. Szczególną uwagę zwrócono na procedurę lądowania, której algorytm zapewnia maksymalne bezpieczeństwo ładunku przy zetknięciu z ziemią. Opracowane i przeanalizowane algorytmy sterowania lotem zostały zweryfikowane praktycznie. Zbudowano fizykalny model urządzenia do zrzutu sterowanego sygnałami GPS, wykorzystując spadochron szybujący o powierzchni czaszy 24 m² oraz silniki bezszczotkowe prądu stałego do wyciągania linek sterujących. Wykonano 27 zrzutów, z których tylko 2 zakończyły się niekontrolowanym upadkiem na ziemię i zniszczeniem urządzenia. Uzyskano 12 lądowań w strefie poniżej 100 m od punktu docelowego oraz 6 w strefie 100-200 m. Udało się zweryfikować użyteczność algorytmów sterowania na korzyść rozwiązania z pojedynczym zwrotem. Dla tego algorytmu uzyskano 9 lądowań w strefie do 100 m na 14 wykonanych. Dla algorytmu z wieloma zwrotami tylko 3 lądowania na 11 wykonanych miały miejsce w odległości do 100 m od punktu docelowego.

EN

GPS is applied for parachute airdrop systems to reach several main benefits, including an increase in the number of available drop zones and an increase in the cargo's precision, which benefits the user. Parachute airdrop systems with GPS also increase the survivability of the delivery aircraft and its crew. Current drop zones are quite large, 500 meters or more. Airdropping sequential loads (multiple loads aboard a single aircraft) require very long drop zones on the order of 1000 meters, or else the aircraft must make multiple passes over the same area, a tactically unsound thing to do. Furthermore, achieving a high degree of accuracy (less than 100 meters) requires the aircraft to fly at the lowest altitude possible, which can range from 150 meters above ground level to as high as 600 meters, depending on the altitude of the drop zone, the weight of the load, and the number and type of parachutes required. Especially parafoil airdrop systems with GPS can achieve the same or better accuracy from greater heights, allowing the aircraft to drop the load at a much higher, and usually safer, altitude. Furthermore, sequential loads which may require a conventional drop zone as long as 1000 meters can be dropped using GPS parafoil system into a much smaller area. Several algorithms for aerial delivery of payloads with a GPS parafoil system were composed and analyzed in this paper. Authors analysed advantages and disadvantages of two main algorithms for control of parafoil airdrop system using GPS. To improve parameters of designed airdrop system, a method for the wind speed was created. In this method, only one 180 degree return of the parafoil is necessary. An algorithm of the landing procedure was also created and analysed. All created and analysed algorithms were realized by the experiments. There were 27 airdrops of the system including 24 m² parafoil integrated with GPS and a special control unit with brushless DC motors. Only 2 tests were crashed. 12 airdrops finished not far than 100 meters from the desired point of impact, next 6 tests ended in the zone 100-200 meters. As far as the control algorithms are concerned, one-return algorithm appeared better than multi-return one. For the one-return algorithm, 9 tests of 14 finished successfully closer than 100 meters from the desired point of impact. For the multi-return - only 3 of 11 realized.

10

Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperyment

Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Prucnal S., Żuk J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 7

193-195

PL

W artykule zaprezentowano nowy typ źródła jonów, szczególnie użyteczny w razie potrzeby uzyskania wiązek jonów pierwiastków metalicznych, także trudnotopliwych. Opisano także model numeryczny pozwalający na obliczenia wydajności jonizacji w zależności od parametrów pracy źródła. Przedstawiono wyniki symulacji. Pokazano wybrane doświadczalne charakterystyki źródła, otrzymane dla żelaza i glinu.

EN

A new type of ion source is presented that is especially useful for metalic ion beams, also in the case of refractory metals. A numerical model enabling ion source efficiency calculations is described and some simulation results are discussed. Ion source characteristics measured for iron and aluminum are presented.

11

Zastosowanie niestacjonarnej hiperpłaszczyzny ślizgowej do sterowania dyskretnym obiektem dynamicznym

Żuk J., Bartoszewicz A.

Logistyka

|

2010

|

nr 2

PL

W referacie przedstawiono nową strategię ślizgowego sterowania, często spotykanym w logistyce, dyskretnym obiektem dynamicznym z opóźnieniem sygnału wejściowego i zakłóceniem nie spełniającym warunków dopasowania. Do zaprojektowania regulatora wykorzystano niestacjonarną hiperpłaszczyznę ślizgową, której parametry zostały dobrane tak, aby zagwarantować zbieżność uchybu regulacji do zera w skończonym, z góry zadanym czasie. Zastosowanie opracowanej metody nie powoduje występowania chatteringu oraz pozwala znacząco ograniczyć sygnał sterujący generowany w początkowej fazie procesu sterowania.

EN

In this paper a new sliding mode control strategy for, common in logistics, discrete dynamic systems with input delay and mismatched disturbance is proposed. The strategy employs a time-varying sliding hyperplane selected in such a way that the closed-loop system stability and finite time error convergence are ensured. Moreover, the system does not exhibit chattering and application of the moving hyperplane helps reduce an excessive magnitude of the initial control signal.

12

Przedszpitalna teletransmisja 12-odprowadzeniowego EKG i bezpośrednia transmisja do ośrodka kardiologii inwazyjnej w celu zmniejszenia opóźnienia leczenia interwencyjnego (PCI) u pacjentów ze STEMI. Doniesienie wstępne

Mężyński G., Kralisz P., Nowak K., Bachórzewska-Gajewska H., Poniatowski B., Prokopczuk P., Gugała K., Żuk J., Musiał W., Dobrzycki S.

Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna

|

2010

|

Vol. 16, nr 3

268-271

PL

Wstęp. Wczesne rozpoznanie oraz zastosowanie terapii reperfuzyjnej mają istotne znaczenie w rokowaniu u pacjentów z zawałem serca z uniesieniem odcinka ST (STEMI - ST Segment Elevation Myocardial Infraction). Pierwotna angioplastyka wieńcowa (pPCI - Primary Percutaneous Coronary Intervention) jest obecnie najlepszą metodą leczenia. Większość pacjentów z zawałem serca jest przyjmowanych do szpitali rejonowych i musi być transportowana do ośrodków kardiologii interwencyjnej (OKI), co powoduje znaczne wydłużenie czasu do rozpoczęcia leczenia. Kwalifikacja zaburzenia w oparciu o teletransmisję EKG (tele-EKG), a następnie bezpośredni transport chorego do OKI mogą to opóźnienie zmniejszyć. Cel. Celem pracy jest ocena porównawcza czasu rozpoczęcia leczenia interwencyjnego z wykorzystaniem teletransmisji EKG i bezpośredniego transportu pacjentów z zawałem STEMI do OKI oraz w przypadku przyjęcia pacjentów do szpitali rejonowych. Metody. Pacjentów z podejrzeniem zawału serca poddano ocenie lekarskiej w miejscu zdarzenia. Wykonywano także 12 odprowadzeniowy zapis EKG, który natychmiast transmitowano do OKI przez telefon komórkowy. W oparciu o typowe objawy podmiotowe oraz zapis EKG kardiolog interwencyjny decydował o bezpośrednim transporcie chorego do OKI, z pominięciem dyżurnego szpitala rejonowego. Analizowano czas wystąpienia objawów zawału, pierwszego kontaktu z lekarzem, przybycia do szpitala oraz rozpoczęcia zabiegu pPCI. Odpowiednie przedziały czasowe porównywano z grupą kontrolną, którą stanowili chorzy ze STEMI, transportowani do ośrodka kardiologii interwencyjnej ze szpitali rejonowych w celu wykonania pPCI. Grupę kontrolną dobrano pod względem miejsca zamieszkania. Jako czas pierwszego kontaktu w grupie badanej przyjmowano godzinę transmisji EKG, zaś w grupie kontrolnej - zanotowany czas przybycia karetki do pacjenta. Czas od pierwszego kontaktu do przybycia do ośrodka, w przypadku grupy kontrolnej, zawierał czas transportu do szpitala rejonowego, czas oceny w izbie przyjęć i czas transportu do OKI. Wyniki. Transmisję EKG wykonano u 113 pacjentów. W 74 przypadkach (65,5%) stwierdzono cechy STEMI. Pacjenci ci zostali bezpośrednio przetransportowani do ośrodka. Średnia odległość transportowania wyniosła w grupie badanej 25,3±27,4 km. We wszystkich przypadkach w OKI potwierdzono rozpoznanie zawału STEMI oraz wykonano zabieg koronarografii. Pierwotną angioplastykę wykonano u 72 pacjentów (97,3%). Średni czas od początku zawału do pierwszego kontaktu z lekarzem wyniósł 189,3±162 min w grupie badanej i 154,4±131 min w grupie kontrolnej (p = 0,06), zaś od przybycia do szpitala do rozpoczęcia PCI odpowiednio 27,7±18 min i 30,8±14 min (p=0,13). Istotnie statystycznie skrócił się czas od pierwszego kontaktu do przybycia do OKI 43,8±25 min w grupie badanej i 81,7±63 min w grupie kontrolnej (p<0,001), jak również od pierwszego kontaktu do rozpoczęcia leczenia inwazyjnego 71,6±32 i 112,6±64 min (p<0,001). Wnioski. Teletransmisja 12-odprowadzeniowego EKG jest użytecznym narzędziem do wczesnego rozpoznawania zawału serca z uniesieniem odcinka ST (STEMI). W połączeniu z bezpośrednim transportem pacjenta do ośrodka kardiologii inwazyjnej pozwala na istotne zmniejszenie opóźnienia rozpoczęcia terapii reperfuzyjnej w porównaniu ze strategią transportu pacjenta uwzględniającą przyjęcie do szpitala rejonowego.

EN

Background. Early diagnosis and reperfusion is crucial for outcome in patients with ST elevation myocardial infarction (STEMI). Primary PCI is the best therapy, but majority of patients are admitted to hospitals without PCI facilities. Rerouting patients to PCI center may cause unacceptable delays. Wireless prehospital 12-lead electrocardiographic transmission and direct transfer to interventional centre may reduce treatment delay. Aim. The goal of this study was assessment of delays in patients with prehospital ECG transmission and direct transport to PCI centre compared to patients initially admitted to referring hospitals. Methods. STEMI suspected patients were included into the study. Prehospital clinical diagnosis was established by ambulance physician. Prehospital ECG was transmitted by wireless technology to invasive hospital. Based of typical symptoms of STEMI interventional cardiologist in the PCI center decided on direct transfer for primary PCI. Time intervals for symptoms onset, first medical contact, hospital arrival and primary PCI, were evaluated. Corresponding intervals were compared with controls from database of our previous study on transfer STEMI patients for primary PCI via referring hospitals. Controls were matched according to the place of living. As a first medical contact we regarded time of ECG transmission in study group and time of ambulance on-scene arrival in control group. In control group interval "first medical contact-invasive center" includes time the transfer and evaluation in ER (emergency room) of referring hospital and transfer to PCI hospital. Results: ECG transmission was performed in 113 patients. 74 (65.5%) were STEMI patients and directed to the PCI center. Average distance of transfer was 25,3±27,4 km. In all patients diagnosis of STEMI was confirmed and all patients underwent coronarography. Primary PCI was performed in 72 patients (97,3%). The average time delay from symptoms onset to the first medical contact was equal 189,3±63 min in the study group and 154,4±131 min. in control group (p=0,06). Time from hospital arrival to PCI (door-to-needle) was 27,7±18 min in study group and 30,8±14 min. in control group (p=0,13). In the study group time intervals "first medical contact-invasive center" (43,8±25 min vs. 81,7±63, p<0,001) and "first medical contact-PCI" (71,6±32 min vs. 112,6±64 min p<0,001) were significantly shorter . Conclusion. Wireless 12-lead ECG transmission is useful tool in early diagnosis of STEMI. Application of prehospital ECG transmission with direct transfer to PCI hospital result in reduction in the treatment delay compared to strategy with initial admission to referring hospital.

13

Sliding mode approach to congestion control in connection-oriented communication networks

Bartoszewicz A., Żuk J.

Journal of Applied Computer Science

|

2009

|

Vol. 17, nr 1

9-25

EN

In this paper, a novel sliding mode flow controller design for the connection-oriented communication networks is proposed. The networks are modeled as discrete time systems with the available bandwidth acting as disturbance. The proposed controller is designed in such a way that the closed-loop system stability and fast, finite time error convergence are ensured. In order to avoid the problem of excessive control signal magnitude, a sliding mode controller with saturation is proposed. When this controller is applied no bottleneck link buffer overflow and full utilization of its available bandwidth are guaranteed. Furthermore, transmission rates generated by the controller are always upper bounded and nonnegative.

14

Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al⁺

Turek M., Pyszniak K., Prucnal S., Droździel A., Żuk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

102-105

PL

Zaprezentowano nową konstrukcję źródła jonów pierwiastków metalicznych. Podstawowym rozwiązaniem konstrukcyjnym jest umieszczenie molibdenowego parownika wewnątrz komory plazmowej źródła. Parownik jest nagrzewany przez spiralną katodę oraz przez wyładowanie łukowe. Wytworzone pary trafiają wprost do plazmy wyładowania łukowego, gdzie ulegają jonizacji w wyniku zderzeń z elektronami. Źródło umożliwia uzyskiwanie znacznych natężeń prądu Al⁺, rzędu 70 µA, ponadto pracuje stabilnie przez kilkanaście godzin. Artykuł zawiera opis konstrukcji źródła oraz numerycznego modelu jego pracy, jak również omówienie wyznaczonych charakterystyk źródła jonów.

EN

A new construction of the metalic ion source is presented. The clue of the design is an evaporator made of molybdenum and placed inside a discharge chamber. The evaporator is heated by a spiral cathode as well as by an arc discharge. Vapors are ionized in the arc discharge by electron impact. The source provides typically the current 70 µA of Al⁺ ions. The source operates stable over a dozen hours. The paper presents the construction of the source, the numerical model as well as the discussion of its characteristics measured in experiments.

15

Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu

Kwietniewski N., Pazio K., Sochacki M., Szmidt J., Droździel A., Kulik M., Prucnal S., Pyszniak K., Rawski M., Turek M., Żuk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 6

32-35

PL

W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej konstrukcji. Zaimplantowany materiał został następnie wygrzany w argonie przez 20 min. w t = 1600°C. Przeprowadzono badania rozkładów głębokościowych SIMS oraz rozpraszania mikro-ramanowskiego. Z pomiarów metodą c-TLM wyznaczono wartości rezystancji charakterystycznej kontaktów. Pomiary Halla wykazały, że koncentracja nośników w warstwie implantowanej p⁺ o grubości 350 nm zawiera się w przedziale 3...4 · 10¹⁸ cm⁻³ Gęstość prądu wytworzonych diod osiąga maksymalną wartość 220 A/cm² przy polaryzacji w kierunku przewodzenia 10 V, natomiast napięcie przebicia zawiera się w granicach 550...600 V.

EN

We report on fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n diodes. In order to obtain p⁺ -type layer, a four energy Al box-like profile was implanted with atotal fluence of 7,1 • 10 ¹¹ cm ⁻² at 500°C, using the UNIMAS ion implanter equipped with a plasma ion source of our construction. Implanted material was subsequently annealed for 20 min at 1600°C in argon. SIMS depth profiling and micro-Raman scattering investigations we re performed. The values of specific contact resistance were determined by the c-TLM method. The performed Hall measurements have shown that 350 nm thick p⁺ layers are characterized by carrier concentration of 3...4 • 10 ¹⁸ cm ⁻³. The fabricated diodes have probed forward current density up to 220 A/cm² at 10 V forward drop and 550...600 V breakdown voltages.

16

Badanie wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs metodą elipsometrii spektralnej

Kulik M., Rzodkiewicz W., Żuk J., Komarov F.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2008

|

R. 84, nr 3

196-199

PL

Zaprezentowano rezultaty badania wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs. Badania przeprowadzono metodą elipsometrii spektralnej.

EN

In this paper we present the results of spectroscopic ellipsometry study of changes in optical constants (refraction and extinction indices) of near-surface layers of GaAs caused by ion implantation. Parameters of models describing the samples have been compared with the results obtained for these materials by using the study with RBS-Channeling methods.

17

Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

Kulik M., Żuk J., Rzodkiewicz W., Pyszniak K., Droździel A., Turek M., Prucnal S., Sochacki M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

15-18

PL

Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej w przypadku obu politypów SiC.

EN

The paper presents results of spectroscopic ellipsometry and micro-Raman scattering studies of Al⁺ ion-implanted 6H-SiC containing 15R-SiC polytype inclusion. Multiple implantation with 5 different Al⁺ energies and fluences was performed using the UNIMAS ion implanter with a modified ion source. The sample temperature was maintained at 500°C during the implantation process. Micro-Raman scattering and spectroscopic ellipsometry investigations indicate the formation of post-implantation amorphous regions in a subsurface region of both SiC polytypes.

18

Teoretyczno-eksperymentalne badania penetracji pancerza RHA litego i warstwowego pociskiem EFP

Jach K., Rutyna K., Świerczyński R., Żuk J.

Problemy Techniki Uzbrojenia

|

2005

|

R. 34, z. 94

135--143

PL

W pracy przedstawiono wyniki prac teoretyczno-eksperymentalnych dotyczące przebijania litych i wielowarstwowych tarcz ze stali RHA. Ciałem przebijającym był pocisk typu EFP z żelaza ARMCO. Zaprezentowano wyniki symulacji komputerowych procesu napędzania oraz deformacji sferycznej wkładki kumulacyjnej przez produkty detonacji aż do momentu uformowania pocisku EFP typu powłokowego - dla oceny jego kształtów i parametrów. W oparciu o uzyskane dane przyjęto zastępczy model pocisku do symulacji procesu zderzenia. Przedstawiono wyniki modelowania komputerowego procesu penetracji pancerza litego i warstwowego przez tego typu pocisk oraz wyniki eksperymentu poligonowego penetracji tarczy RHA 70 mm.

EN

Theoretical and experimental results of homogeneous and multi-layered RHA targets penetration by an ARMCO iron EFP are presented in the paper. A computer simulation from initial movement and deformation of spherical shaped charge liner to the creation of EFP is included both with a simplified model of the projectile for the simulation of penetration process. Experimental results are provided for 70 mm RHA plate.

19

ABC prawa unijnego w transporcie. Cz. 9, Alokacja zdolności przepustowej infrastruktury

Żuk J.

TTS Technika Transportu Szynowego

|

2004

|

R. 11, nr 7-8

51-56

PL

Ze względu na występujące różnice w podejściu do tematyki zdolności przepustowej oraz różnice w wynikach obliczeń, do chwili obecnej nie było możliwe przeprowadzenie porównania i wyciągnięcie ogólnych wniosków na skalę ogólnoeuropejską. W konsekwencji niezbędne stało się jednoznaczne zdefiniowanie ogólnie obowiązującego pojęcia rozporządzalnej zdolności przepustowej infrastruktury kolejowej.

20

Nowe technologie kierowania pracą pociągową na bazie stałego miesięcznego planu obrotu lokomotyw : doświadczenia kolei rosyjskich

Nekrasevic V., Kur H., Żuk J.

Przegląd Kolejowy

|

1999

|

Nr 2

15-17