Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Właściwości mechaniczne kompozytu Al2O3-ZrO2-grafen

Boniecki M., Wesołowski W., Gołębiewski P., Kaszyca K., Woluntarski M., Piątkowska A., Romaniec M., Ciepielewski P., Krzyżak K.

Materiały Ceramiczne

|

2017

|

T. 69, nr 4

317--321

PL

W pracy zbadano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu o zawartości wagowej 20% Al2O3-80% ZrO2 (stab. 3%mol Y2O3). Do wykonania próbek użyto handlowego proszku ceramicznego firmy Tosoh oraz tlenku grafenu (GO) otrzymanego w ITME. Kompozyty otrzymano na bazie wodnych (GO) mieszanin obu składników, które po wysuszeniu spiekano metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej od 0% do 1% GO. Spektroskopia Ramana wykazała obecność grafenu w próbkach po spiekaniu. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO odporność na pękanie ma maksimum dla zawartości 0,02% GO (wzrost o 7% w porównaniu do matrycy), wytrzymałość maleje, moduł Younga oraz twardość Vickersa utrzymują się stałe do zawartości 0,2% GO, a następnie maleją.

EN

The effect of graphene flakes on mechanical properties of a composite containing 20 wt.% Al2O3 and 80 wt.% ZrO2 (stabilised with 3 mol.% Y2O3) was studied. A commercial ceramic powder produced by Tosoh (Japan), and graphene oxide (GO) made at the Institute of Electronic Materials Technology (Poland) were used to obtain samples. The composites were obtained basing on aqueous mixtures of both components. After drying, they were sintered by the SPS method. The composites contained from 0% to 1% of GO by weight. Raman spectroscopy revealed the presence of graphene in sintered samples. It has been stated the influence of GO content on mechanical properties of the composites, i.e. fracture toughness had a maximum for 0.02% GO (increased by 7% in comparison to the GO-free matrix), and afterwards strength decreased in the whole GO content range, Young's modulus and Vickers hardness remained constant up to 0.2% GO, and then decreased.

2

Mechanical strength and fracture toughness of brittle monocrystalline and ceramic materials

Boniecki M., Kamiński P., Wesołowski W., Krzyżak K.

Materiały Elektroniczne

|

2016

|

T. 44, nr 4

8--16

EN

The article compares the mechanical properties of a n-type silicon single crystal with an orientation <100> and resistivity ~ 2000 Ωcm, obtained by the floating zone (FZ) method, with the mechanical properties of Y2O3 ceramics. Both materials are characterized by a high value of transmission coefficient of electromagnetic radiation in the wavelength range from 2 μm to 8 μm and they can be used as optical windows in a near infrared range. However, the choice of a material type for the specific applications may depend on their mechanical properties. these properties have been determined both at room temperature and at elevated temperature, i.e. 700°C for si and 800°C for Y2O3 ceramics. We have found that at room temperature the fracture toughness of the Si single crystal KIc = 1.3 ± 0.1 MPam1/2 and the four-point bending strength σc = 289 ± 61 MPa. For Y2O3 ceramics these parameters are 1.8 ± 0.2 MPam1/2 and 184 ± 20 MPa, respectively. At 700°C the mechanical parameters for the Si single crystal are: KIc = 20 ± 3 MPam1/2 and σc = 592 ± 86 MPa. for Y2O3 ceramics at 800°C, KIc = 1.7 ± 0.1 MPam1/2 and σc = 230 ± 23 MPa. The presented data show that at elevated temperatures both fracture toughness and bending strength of the Si single crystal are significantly greater than the values of those parameters found for Y2O3 ceramics.

PL

W artykule porównano właściwości mechaniczne monokrystalicznego krzemu typu n o orientacji <100> i rezystywności ~ 2000 Ωcm, otrzymanego metodą beztyglową, z właściwościami mechanicznymi ceramiki Y2O3. Oba materiały charakteryzują się dużym współczynnikiem transmisji promieniowania elektromagnetycznego w zakresie długości fali od 2 μm do 8 μm i mogą być stosowane jako okna optyczne w zakresie bliskiej podczerwieni. Wybór rodzaju materiału dla konkretnych zastosowań może być jednak uzależniony od ich właściwości mechanicznych. Właściwości te określano zarówno w temperaturze pokojowej, jak i w temperaturze podwyższonej do 700°C w przypadku Si oraz do 800°C w przypadku ceramiki Y2O3. Stwierdzono, że dla Si w temperaturze pokojowej odporność na pękanie KIc = 1,3 ± 0,1 MPam1/2,a wytrzymałość na zginanie czteropunktowe σc = 289 ± 61 MPa. Dla Y2O3 parametry KIc i σc przyjmują wartości wynoszące w tej temperaturze odpowiednio 1,8 ± 0,2 MPam1/2 i 184 ± 20 MPa. W temperaturze 700°C wartości parametrów KIc i σc dla Si są równe odpowiednio 20 ± 3 MPam1/2 oraz 592 ± 86 MPa, zaś dla ceramiki Y2O3 w 800°C KIc = 1,7 ± 0,1MPam1/2 i σc = 230 ± 23 MPa. Prezentowane dane wskazują, że w temperaturze pokojowej wytrzymałość na zginanie czteropunktowe monokrystalicznego Si jest znacząco większa niż ceramiki Y2O3. W podwyższonych temperaturach zarówno odporność na pękanie, jak i wytrzymałość na zginanie monokrystalicznego Si jest wielokrotnie większa niż w przypadku ceramiki Y2O3.

3

Kompozyt Al2O3-ZrO2 wzmocniony płatkami grafenowymi

Boniecki M., Gołębiewski P., Wesołowski W., Woluntarski M., Zybała R., Kaszyca K., Piątkowska A., Romaniec M., Ciepielewski P., Krzyżak K.

Materiały Elektroniczne

|

2016

|

T. 44, nr 1

20--28

PL

W pracy zbadano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu o zawartości wagowej 20% Al2O3 - 80% ZrO2 (stab. 3% mol. Y2O3). Do otrzymania próbek użyto handlowy proszek ceramiczny firmy Tosoh, tlenek grafenu (GO) otrzymany w ITME oraz grafen firmy SkySpring Nanomaterials Inc. (GN). Kompozyty otrzymano na bazie wodnych (GO) i alkoholowych (GN) mieszanin obu składników, które po wysuszeniu spiekano w piecu Astro pod jednoosiowym ciśnieniem i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej: 0; 0,1; 0,2; 0,5; 1 i 3% GO oraz 0,1% GN. Spektroskopia Ramana wykazała obecność grafenu. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO oraz GN: odporność na pękanie ma maksimum dla zawartości 0,1% GO i GN, wytrzymałość maleje, moduł Younga oraz twardość Vickersa utrzymują się stałe do zawartości 0,5% GO, a następnie maleją.

EN

This research addresses the effect of graphene flakes on the mechanical properties of the composite containing 20 wt. % Al2O3 and 80 wt. % ZrO2 (stab. 3 mol. % Y2O3). The samples were made from a commercial ceramic powder produced by Tosoh, graphene oxide (GO) from ITME and graphene purchased from Skyspring Nanomaterials Inc. (GN). The obtained composites based on an aqueous (GO) and alcohol (GN) mixtures of both components were first dried and then sintered under an uniaxial pressure in an Astro furnace and in a SPS machine. The composites weight content equaled to: 0; 0.1; 0.2; 0.5; 1 and 3% of GO and 0.1% GN. Raman spectroscopy revealed the presence of graphene. It was found that as a function of the GO and GN content, the fracture toughness has a maximum for 0.1% GO and GN, the strength decreases, the Young's modulus and Vickers hardness remain constant up to 0.5% GO, and then decrease.

4

Właściwości mechaniczne w podwyższonej temperaturze ceramiki Y2O3 wzmocnionej płatkami grafenowymi

Boniecki M., Wesołowski W., Gołębiewski P., Zybała R., Kaszyca K., Koziński R., Piątkowska A., Romaniec M., Ciepielewski P., Krzyżak K.

Materiały Ceramiczne

|

2016

|

T. 68, nr 4

324--328

PL

W pracy badano wpływ płatków grafenowych oraz temperatury (w zakresie od 20 °C do 800 °C) na właściwości mechaniczne kompozytu Y2O3-grafen w funkcji zawartości tlenku grafenu (GO) w kompozycie. Do otrzymania próbek użyto handlowego nanometrycznego proszku Y2O3 o czystości 99,99% i płatków tlenku grafenu (GO) otrzymanych w ITME. Kompozyty otrzymano na bazie wodnej mieszaniny obu składników, którą po wysuszeniu spiekano pod jednoosiowym ciśnieniem (metoda HP) i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej GO 1% i 3%. Spektroskopia Ramana potwierdziła obecność zredukowanego tlenku grafenu (RGO) w otrzymanych kompozytach. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO wzrasta wytrzymałość na zginanie σc dla próbek spiekanych metodą HP o ok. 21% i 28% metodą SPS. Z kolei odporność na pękanie KIc malała w funkcji zawartości GO dla próbek spiekanych metodą HP, ale za to rosła dla próbek spiekanych metodą SPS o ok. 78%. W funkcji temperatury σc rosło o 15% (dla 800 °C) w przypadku Y2O3 spiekanego metodą HP i nie zmieniało się dla kompozytów z GO. Z kolei dla próbek spiekanych metodą SPS σc nie zmieniało się dla Y2O3 , wzrosło o ok. 8% dla 1% GO i o 19% dla 3% GO. KIc malało w funkcji temperatury dla Y2O3 spiekanego metodą HP, ale za to rosło dla kompozytów zawierających 1% i 3% GO odpowiednio o 39% i 73%. W przypadku tworzyw spiekanych metodą SPS KIc wzrosło w funkcji temperatury o ok. 88% dla Y2O3, o 20% dla 1% GO i o 26% dla 3% GO. Mechanizm wzmacniania przez płatki GO polegał na skręcaniu płaszczyzny pękania i blokowaniu jego propagacji.

EN

The influence of graphene flakes and temperature (in the range of 20 °C to 800 °C) on mechanical properties of Y2O3-graphene composites was studied. In order to obtain samples the commercial nano-sized Y2O3 powder with a purity of 99.99% and GO flakes obtained in ITME were used. The composites were manufactured basing on an aqueous mixture of both components, which was dried and sintered using HP and SPS methods. The composites contained 1% and 3% by weight of graphite oxide (GO). Raman spectroscopy confirmed the presence of reduced graphene oxide (RGO) in the resulting composites. It was found that as a function of the GO content the bending strength σc increased by approx. 21% and 28% for composites sintered using HP and SPS, respectively. In turn, the KIc fracture toughness decreased as a function of the GO content in the HP sintered samples, but it increased by approx. 78% for the samples sintered using SPS. In case of the HP sintered samples, σc increased by 15% at 800 °C for Y2O3, but did not change for the composites with GO. On the other hand, for the SPS sintered samples, σc did not change for Y2O3, but it increased by approx. 8% and 19% for the composites with 1% and 3% GO additive, respectively. KIC decreased as a function of temperature for the Y2O3 sintered by HP, but it increased by 39% and 73% for the composites with 1% and 3% GO additive, respectively. In case of the SPS sintered ceramics KIC increased at 800 °C by approx. 88% for Y2O3, 20% and 26% for 1% and 3% GO additive. The mechanism of toughening by RGO flakes consisted of twisting the plane of fracture and blocking of crack propagation.

5

Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych

Dąbrowska E., Teodorczyk M., Lipińska L., Krzyżak K., Dąbrowski A., Sobczak G., Kozłowska A., Matkowski P., Młożniak A., Maląg A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

1-4

PL

Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm.

EN

It has been shown that covering side walls of a laser diode’s chip with graphene oxide (GO) results in reduction of the laser diode's thermal resistance. Reduction of the temperature of the diode itself is also observed. In turn, additional covering the n-contact of the chip with GO results in the diode's temperature increase. On the other hand, alternative application of a chemical graphene layer in this place gives further temperature decrease. This can be explained by much higher emissivity of graphene layer compared to GO. The shifts of lasing spectral characteristics (in the 880 nm band) as well as changes in chip's deflection connected with GO and graphene applications are also shown.

6

Właściwości mechaniczne ceramiki Y2O3 wzmocnionej płatkami grafenowymi

Boniecki M., Librant Z., Wesołowski W., Gołębiewski P., Zybała R., Kaszyca K., Koziński R., Librant K., Piątkowska A., Romaniec M., Ciepielewski P., Krzyżak K., Kurpaska Ł.

Materiały Elektroniczne

|

2015

|

T. 43, nr 3

15--24

PL

W pracy badano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu Y2O3 – grafen w funkcji sposobu przygotowania zawiesin tlenku grafenu GO oraz jego zawartości w kompozycie. Do otrzymania próbek użyto handlowy nanometryczny proszek Y2O3 o czystości 99,99% i GO otrzymany w ITME. Kompozyty otrzymano na bazie wodnej mieszaniny obu składników, którą spiekano po wysuszeniu w piecu Astro pod jednoosiowym ciśnieniem i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej GO 1 i 3%. Spektroskopia Ramana potwierdziła obecność zredukowanego tlenku grafenu w otrzymanych kompozytach. Poza pojedynczymi przypadkami sposób przygotowania zawiesin GO nie miał wpływu na wartości mierzonych właściwości mechanicznych. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO dla próbek spiekanych w piecu Astro twardość oraz moduł Younga nieznacznie maleją, wytrzymałość na zginanie rośnie maksymalnie o ok. 30% dla 3% GO. Odporność na pękanie mierzona na belkach z karbem nieznacznie maleje w funkcji zawartości GO, ale za to rośnie odporność na pękanie mierzona metodą Vickersa (o ok. 50%). Odporność na pękanie próbek spiekanych metodą SPS rośnie maksymalnie ok. 80% (dla obu metod pomiaru). Zaobserwowany na zdjęciach pęknięć Vickersa mechanizm wzmacniania przez płatki GO, polegał na skręcaniu płaszczyzny pękania i blokowaniu jego propagacji.

EN

The influence of graphene flakes on the mechanical properties of Y2O3 – graphene composite as a function of the preparation method of the suspensions of graphene oxide GO and its content was studied. To obtain samples, a commercial nano-sized Y2O3 powder with a purity of 99.99% and GO fabricated at ITME were used. The composites were based on an aqueous mixture of both components. They were sintered after drying under uniaxial pressure in an Astro furnace and an SPS machine. The GO weight content in the case of these composites was 1 and 3%. Raman spectroscopy confirmed the presence of reduced graphene oxide in the resultant composites. Besides isolated cases,the preparation of the GO suspensions did not affect the measured mechanical properties. It was found that for the samples sintered in the Astro furnace both hardness and Young's modulus as function of the GO content were slightly reduced, whereas the bending strength increased to approx. 30% for 3% GO. In addition, the fracture toughness measured at the notched beams decreased slightly as a function of the GO content but grew (about 50%) for the fracture toughness measured by the Vickers method. The fracture toughness of the samples sintered in the SPS machine increased up to about 80% for both measurement methods. The mechanism of reinforcing the material with graphene flakes observed in the pictures of the Vickers cracks was based on crack deflection and crack blocking.

7

Formowanie i stabilizacja rozkładu pola optycznego w płaszczyźnie złącza w diodach laserowych dużej mocy

Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Krzyżak K., Dąbrowski A., Maląg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 9

20-23

PL

Niska stabilność wiązki optycznej emitowanej przez lasery półprzewodnikowe wysokiej mocy w znaczący sposób ogranicza ich stosowalność w precyzyjnych układach. W artykule przedstawiono wyniki modelowania numerycznego oraz eksperymentalne charakterystyki diod laserowych, w których uzyskano emisję wiązki optycznej o podwyższonej stabilności.

EN

Poor stability of the beam emitted by high-power laser diodes limits their applicability in high-precision systems. In this paper, the laser diodes which emit a beam of better quality are presented. The numerical and experimental results are shown.

8

Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy

Dąbrowska E., Teodorczyk M., Krzyżak K., Romaniec M., Sobczak G., Maląg A.

Materiały Elektroniczne

|

2014

|

T. 42, nr 3

5--10

PL

Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.

EN

The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.

9

Eksploatacja gazu ziemnego w Dębowcu

Krzyżak K.

Bezpieczeństwo Pracy i Ochrona Środowiska w Górnictwie

|

2014

|

nr 8

50--52

10

Wypadki i kolizje drogowe na skrzyżowaniach typu rondo w Rybniku

Macioszek E., Krzyżak K.

Inżynieria Ruchu Drogowego

|

2013

|

Nr 1

38-44

PL

W artykule w "Inżynierii Ruchu Drogowego" nr 2/2012 autorzy przeanalizowali stan bezpieczeństwa ruchu drogowego na rondach w Rybniku. W tym numerze zostaną przedstawione wnioski z analizy rond w Rybniku pod kątem liczby wypadków i kolizji drogowych.

EN

In a previous article ("Inżynieria Ruchu Drogowego" No. 2/2012) the authors analyzed safety at roundabouts in Rybnik. The conclusions from the analysis in terms of the number of road accidents and collisions will be presented in this issue of the magazine.

11

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 808 nm

Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Kalbarczyk J., Krzyżak K., Maląg A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 11b

48-51

PL

Przedstawiono zmianę charakterystyk mocowo-prądowych i spektralnych diod laserowych (DL) pracujących w paśmie 808 nm podczas trwania testów starzeniowych. Ujawniono zmiany zachodzące w obrębie paska (obszaru) aktywnego poprzez obserwacje elektroluminescencji przez okno wytrawione w n-kontakcie. Zauważono, że defekty w pasku aktywnym dla wszystkich diod propagują się pod kątem 45 ° do kierunku rezonatora. Uzyskano lepszą wydajność mocy optycznej dla DL montowanych na podkładkach CuC w porównaniu z DL montowanymi bezpośrednio na chłodnicy Cu. Stwierdzono, że o długości życia diod laserowych decydują przede wszystkim jakość wykonania lusteroraz technologia wprowadzającego naprężenia montażu chipów na chłodnicach a nie zastosowanie podkładki.

EN

In this paper changes in light vs. current (L-C) and in spectral characteristics of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm band, being performed while aging tests, are shown. The electroluminescence observations made by etched window in n-contact revealed the changes in the active stripe (region). It is significant that defects in the active stripe for all diodes are propagated at 45 ° angle measured from the direction of laser resonator. Better optical power efficiency was obtained for LDs mounted at CuC heat spreader than for those mounted directly at Cu heat sink. It was found out that the lifetime of LDs are not limited by using heat spreader but mainly by the quality of performance of laser mirrors and the technology of mounting laser chips which induce the strains.

12

Analiza stanu bezpieczeństwa ruchu drogowego na rondach w Rybniku

Macioszek E., Krzyżak K.

Inżynieria Ruchu Drogowego

|

2012

|

Nr 2

48-54

PL

Jak dotąd, w Rybniku powstało 27 (stan na 30 VI 2011 r.) skrzyżowań typu rondo. W najbliższych latach liczba skrzyżowań tego typu zwiększy się, ponieważ w budowie znajduje się kolejnych pięć rond (ustalono na podstawie (16, 17)). Dwa spośród budowanych rond zostaną zlokalizowane na północnej obwodnicy miasta, natomiast kolejne trzy w ciągu modernizowanej ulicy Żorskiej. W artykule przedstawiono wyniki analizy stanu bezpieczeństwa ruchu drogowego wykonanej dla skrzyżowań typu rondo zlokalizowanych w Rybniku (szczegółową analizę przedstawiono w pracy (23)). Analizę oparto na liczbach zdarzeń drogowych. Badaniami objęto 25 z 27 obecnie funkcjonujących na terenie Rybnika skrzyżowań tego typu.

EN

One of the major problems caused by the rapid development of communication is the low level of road safety. In order to prevent this from happening, numerous investments have been made aiming at converting various types of intersections into ones with a circular motion, or building them from scratch as a part of multi-level interchanges. Moreover, a significant increase in popularity of roundabouts is noted due to the fact that they only require a small space and also to be built they have high throughput capability. The article describes the results of the road safety analysis for roundabouts in Rybnik. The analysis is based on a number of road accidents. The study included 25 out of the 27 currently operating in Rybnik junctions of this type. The city of Rybnik, in which an analysis of road safety was conducted, is located in the south of Poland, in the Silesia region. Since the early 90's of the 20th century, the city's authorities have been investing in construction of roundabouts, which have effectively contributed to improving road safety. Such a large number of roundabouts led to: Decrease in the number of road accidents by around 40-50%, Decrease in the number of people seriously injured involved in accidents by 90%, Decrease in the number of people slightly injured involved in accidents by 76%. Since 2007 the number of road accidents at all intersections in Rybnik has been gradually decreasing. This is probably due to a specific road infrastructure, which effectively minimizes the number of road accidents.

13

Low-ohmic contacts on the basis of silver nanopowder dedicated to photovoltaic cells

Kalbarczyk J., Teodorczyk M., Krzyżak K., Gawlik G., Jarosz M., Młożniak A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

82-85

EN

The silver nanopowder pastes are relatively new kind of nanomaterials that exhibit interesting and useable properties. Research in field of preparing contacts for silicon solar cells with silver nanopowder will be continued to obtain rational results which enable to evaluate the new kind of contacts with respect to possible application in larger scale.

14

Concept of epitaxial silicon structures for edge illuminated solar cells

Sarnecki J., Gawlik G., Teodorczyk M., Jeremiasz O., Kozłowski R., Lipiński D., Krzyżak K., Brzozowski A.

Opto-Electronics Review

|

2011

|

Vol. 19, No. 4

486-490

EN

A new concept of edge illuminated solar cells (EISC) based on silicon epitaxial technique has been proposed. In this kind of photovoltaic (PV) devices, sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure which is perpendicular to junction surface. The main motivation of the presented work is preparation of a working model of an edge-illuminated silicon epitaxial solar cell sufficient to cooperation with a luminescent solar concentrator (LSC) consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. The technological processes affecting the cell I–V characteristic and PV parameters are considered.

15

Wpływ trawienia chemicznego na parametry elektrooptyczne krawędziowych ogniw fotowoltaicznych

Kalbarczyk J., Teodorczyk M., Dąbrowska E., Krzyżak K., Sarnecki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 8

128-130

PL

Poniższa praca przedstawia wyniki badań dotyczących optymalizacji warunków trawienia chemicznego powierzchni czynnej krawędziowych ogniw fotowoltaicznych w roztworach kwasowych i zasadowych. Wykonane zostały pomiary podstawowych parametrów elektrycznych ogniw po różnych wariantach trawienia (trawienie kwasowe, zasadowe oraz mieszane - kwasowo-zasadowe). Fakturę powierzchni pochłaniającej światło po trawieniu chemicznym pokazano na zdjęciach.

EN

The following thesis presents the results of research applied to the optimization of photovoltaic cells active surface wet chemical etching conditions in acidic and alkaline solutions. Measurements of basic electrical parameters of cells after different variants of etching (acidic, alkaline, acidic-alkaline) has been carried out. Light-absorbing surface quality after etching has been presented at pictures.

16

Wpływ rezystancji termicznej na parametry elektrooptyczne i termiczne diod laserowych

Dąbrowska E., Kozłowska A., Teodorczyk M., Sobczak G., Krzyżak K., Kalbarczyk J., Maląg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

95-98

PL

Przedstawiono przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy stałej repetycji i wydłużającym się czasie impulsu dla diod laserowych różniących się rezystancją termiczną. Zarejestrowano wzrost temperatury złącza DL po włączeniu impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Stwierdzono, że czym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie trwania impulsu o długości 1 ms w pomiarach dynamicznych tym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu i tym większa rezystancja termiczna DL. Przy pomocy kamery termowizyjnej sprawdzono temperaturę diody przy pracy ciągłej w płaszczyźnie równoległej do luster. Widoczne miejsca gorące odpowiadają obniżeniom intensywności w profilu NF.

EN

In this paper, the shift of spectral characteristics measured at the constant pulse repetition and various pulse duration for laser diodes with various thermal resistances has been presented. Temperature increase of LD's p-n junction during current pulse was investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using ICCD camera made. It has been demonstrated that LDs with larger thermal resistance have larger spectral shift during 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant pulses repetition with variable pulse duration. Measurements by thermal camera show diode temperature distributions in mirror plane during continuous operation. The hot spots revealed by thermal camera correspond with lower intensity points in near field distributions.

17

Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych

Sarnecki J., Kozłowski R., Teodorczyk M., Gawlik G., Jeremiasz O., Lipiński D., Brzozowski A., Krzyżak K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

65-68

PL

W pracy przedstawiono technologię wytwarzania krzemowej struktury planarnej ze złączem p-n przeznaczonej do konstrukcji paskowego ogniwa słonecznego oświetlanego krawędziowo, współpracującego z luminescencyjnym koncentratorem słonecznym. Planarną strukturę krzemową ogniwa wykonano metodą epitaksji z fazy gazowej. Omówiono kolejne operacje technologiczne służące otrzymaniu ogniw krawędziowych. Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur epitaksjalnych i paskowych ogniw krawędziowych.

EN

The presented work reports on epitaxialy grown silicon structures with p-n junction designed for fabrication an edge illuminated solar cells. In this kind of photovoltaic devices sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure. The edge illuminated PV cell can cooperate with a luminescent solar concentrator consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. We have proposed a new concept of edge illuminated solar cells based on silicon epitaxial technique. The technological factors affecting the cells I-V characteristics and efficiency are discussed.