PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Próby odbiorowe systemów oddymiania z wykorzystaniem pomiaru zasięgu widzialności
Wróbel P., Ostapiuk Ł., Sałek P.
Materiały Budowlane
|
2014
|
nr 10
147--148
PL
W artykule zaprezentowano możliwości wykorzystania urządzeń do pomiaru zasięgu widzialności na potrzeby prób odbiorowych systemów oddymiania w budynkach, w celu umożliwienia oceny skuteczności ich działania. Dzięki zastosowaniu detektora homodynowego uzyskano dobrą dokładność pomiarową, którą zweryfikowano na stanowisku testowym. Przedstawiono również metodę weryfikacji dokładności pomiarów oraz przykładowe wyniki uzyskane w warunkach rzeczywistych.
EN
The article presents possibilities of using dedicated devices designed to measure a visibility range for acceptance tests of smoke ventilation systems in buildings in order to enable the evaluation of their operation efficiency. Good measurement accuracy was obtained thanks to employing a homodyne detector, which was then verified at an acceptance station. Furthermore, a method of validation of measurement accuracy has been described here along with exemplary results received in actual conditions.
2
Modelowanie napięcia progowego w niedomieszkowanych dwubramkowych strukturach MOS
Sałek P., Łukasiak L., Jakubowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 2
18-20
PL
Współczesna technologia mikroelektroniczna zaczyna sięgać ograniczeń o charakterze przyrządowym. Coraz mniejsze rozmiary przyrządów powodują uwidocznienie efektów krótkiego kanału (SCE) oraz jednoczesny wzrost statystycznych rozrzutów parametrów elektrycznych związanych np. z fluktuacją liczby atomów domieszek w obszarze aktywnym tranzystora. Jednym ze sposobów rozwiązania tych problemów jest niedomieszkowana struktura dwubramkowa (DGMOS). Ze względu na brak domieszek klasyczna definicja napięcia progowego traci sens. W artykule tym zaproponowano nową definicję, której użyteczność została udowodniona przez porównanie z wynikami symulacji numerycznych.
EN
Modern microelectronic technology reaches its fundamental limits. Smaller dimensions of devices cause negative side effects, like short channel effects (SCE) and increase of statistical spread of electrical parameters due to random-dopant fluctuations. Undoped double-gate (DG) structure (Fig. 1) is a likely candidate to replace conventional MOSFET. Better SCE control and homogeneous channel allows more aggressive scaling of the dimensions. The standard threshold definition is no longer valid in undoped devices, therefore a new threshold voltage model is proposed for symmetrical undoped double gate MOS transistor (DGMOSFET).
3
Genetic algorithms in crystallographic texture analysis
Sałek P., Tarasiuk J., Wierzbanowski K.
Archives of Metallurgy
|
1999
|
Vol. 44, iss. 2
175-182
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.