Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Modyfikowanie HTPB (α,ω-dihydroksypolibutadienu) w reakcjach estryfikacji, silanizacji, epoksydacji i uwodornienia

Chmielarek M., Maksimowski P., Gołofit T., Cieślak K., Pawłowski W., Tomaszewski W.

Materiały Wysokoenergetyczne

|

2018

|

T. 10

30--45

PL

α,ω-Dihydroksypolibutadien (HTPB) jest cennym komonomerem do otrzymywania poliuretanów. Dzięki swoich specyficznym właściwościom, nadaje tym tworzywom mrozoodporność i świetne właściwości mechaniczne, szczególnie w niskich temperaturach. Tak otrzymywane poliuretany znajdują zastosowanie w produkcji stałych paliw rakietowych używanych w napędach rakiet kosmicznych i wojskowych, a także są podstawą mrozoodpornych klejów i lepiszcz oraz materiałów izolacyjnych. Współczesne badania nad doborem lepiszcza wskazują na zastosowanie polimerów wysokoenergetycznych lub modyfikacji dotychczas stosowanych polimerów polepszających ich właściwości. W nowoczesnych rakietowych materiałach pędnych polimerowe lepiszcze, może zostać zastąpione odpowiednim wysokoenergetycznym związkiem chemicznym, czyli polimerem z wbudowanymi grupami energetycznymi, takimi jak azydkowa lub nitrowa. W prezentowanym artykule przedstawione zostaną wyniki badań nad takimi sposobami modyfikacji HTPB, które zapewnią jego rozszerzoną aplikację.

EN

HTPB is a valuable comonomer for the preparation of polyurethanes. Thanks to its specific properties, it gives these materials frost resistance and excellent mechanical properties, especially at low temperatures. The polyurethanes thus obtained are used in the production of propellants used in space and military rocket propulsion, and are the basis for frost-resistant adhesives and insulating materials. Research on the selection of binder indicates the use of high energy polymers or modifications of previously used polymers improving their properties. The results of research on ways of changing the properties of HTPB through its modification and thus an increase of application possibilities will be presented.

2

Analiza rozwiązań systemu fotowoltaicznego zintegrowanego z budynkiem na przykładzie domu jednorodzinnego

Chmielewska M., Cieślak K.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2017

|

z. 64, nr 4/II

297--304

PL

Koncepcja systemów fotowoltaicznych stanowiących integralną część budynku określana jako Building Integrated Photovoltaics (BIPV) zakłada dostosowanie modułów PV do różnorodnych aplikacji w budynku, głównie jako elementów będących alternatywą dla tradycyjnych materiałów budowlanych w obrębie dachów i elewacji, np. pokryć dachowych, szklanych systemów elewacyjnych i dachowych, przeszkleń ścian. Opracowanie porusza zagadnienie wykorzystania energii promieniowania słonecznego do produkcji energii elektrycznej w instalacji fotowoltaicznej zintegrowanej z budynkiem oraz obejmuje analizę uzysków energii w kontekście spełniania zapotrzebowania budynku na energię elektryczną. W celu określenia efektywności systemów BIPV przy użyciu programu PVsyst 6.43 wykonane zostały projekty instalacji ścian kurtynowych wykorzystujących różne typy modułów fotowoltaicznych oraz świetlików dachowych. Założono powierzchnię przeznaczoną na cele instalacji fotowoltaicznej, dla wszystkich przypadków przyjęto rozwiązanie on-grid. Przy wykorzystaniu programu PVsyst wykonana została analiza uzysków energii elektrycznej ze wszystkich instalacji w ciągu roku. Otrzymane wyniki odniesiono do zapotrzebowania budynku, co pozwoliło na oszacowanie względnego, procentowego pokrycia zapotrzebowania przez technologie BIPV. Niestety, nie we wszystkich przypadkach założona powierzchnia modułów pozwoliła na całkowite pokrycie zapotrzebowania budynku na energię elektryczną. Najbardziej korzystne dla projektowanego budynku rozwiązanie pozwala wyprodukować wystarczającą ilość energii, aby zaspokoić potrzeby energetyczne.

EN

The conception of photovoltaic systems as an integral part of the building known as Building Integrated Photovoltaics (BIPV) is based on the adaptation of the PV modules with different building elements. It became an alternative to traditional building materials within the roof and facades, glass facade systems and curtain walls. The article raises a question concerning usage of the solar energy for electricity production in photovoltaic systems integrated with the building such as glass facades, skylights or curtain walls. The article also includes an analysis of the energy production by BIPV technologies installed on the building situated in Warsaw. An analysis of produced electricity during the year for given solutions such as curtain walls and skylights with different types of solar cells was performed using PVsyst 6.43 software. The results are been compared to the electric energy consumption of the building, what enabled to evaluate the percentage of energy consumption coverage by BIPV solutions. Unfortunately, due to insufficient number of modules or localization of the PV array, not all of the presented solutions allowed to cover the building's electricity consumption.

3

Wpływ tylnego lustra dielektrycznego na działanie krzemowych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych otrzymanych metodą epitaksji z fazy gazowej

Cieślak K., Fave A., Lemiti M.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2016

|

z. 63, nr 4

71--77

PL

Metoda epitaksji z fazy gazowej została użyta do wytworzenia krzemowych, cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Emiter wyprodukowanych ogniw fotowoltaicznych był typu p i znajdował się po tylnej stronie ogniwa, a absorberem był krzem typu n. W celu obniżenia kosztów produkcji aktywnej warstwy, został użyty dwuwarstwowy krzem porowaty wytworzony na krzemie monokrystalicznym. Krzem porowaty składał się z warstwy o wysokim stopniu porowatości oraz warstwy o niskim stopniu porowatości, obecnej na powierzchni. Takie rozwiązanie pozwala na wzrost monokrystalicznej warstwy o wysokiej jakości oraz na odczepienie jej od podłoża wzrostowego i ponowne jego użycie w kolejnym procesie wzrostu epitaksjalnego. Dodatkowo w celu zwiększenia odpowiedzi ogniw słonecznych na fale elektromagnetyczne w zakresie 700 nm – 1200 nm, zostało opracowane i naniesione lustro dielektryczne składające się z warstwy SiNx/SiOx lub pojedynczej warstwy SiNx. Warstwa aktywna wraz z naniesionym lustrem była podda badaniu na współczynnik odbicia światła o długości fali z w/w zakresu. W celach porównawczych zostały zbadane próbki z dwoma różnymi lustrami oraz próbka referencyjna bez lustra. Badania wykazały, że zastosowane lustro dielektryczne spełnia swoje zadanie i zwiększa współczynnik odbicia światła o ponad 70%. Oznacza to, że zastosowanie w/w lustra dielektrycznego będzie miało pozytywny wpływ na współczynnik absorpcji światła w ogniwie fotowoltaicznym, co będzie się bezpośrednio przekładało na jego parametry elektryczne.

EN

Vapor phase epitaxy (VPE) method was used to fabricate thin film silicon solar cells. Active layer was build with p type back side emitter, n type absorber and n+ type front surface field (FSF). In order to reduce costs of production double porous silicon structure was fabricated on a monocrystalline silicone. Porous silicon had a one low porosity layer on the top of a growth substrate and high porosity area just underneath the low porosity film. That kind of structure enabled to perform growth of a monocrystalline epitaxial silicon layer. During growth, the high porosity area was degraded due to a high temperature treatment and after the process detachment of an active layer was possible. After additional cleaning seed substrate can be reused in another VPE process. In order to increase spectral response of fabricated solar cells to low energy photons from a wavelength range 700 nm – 1200 nm, dielectric mirror was developed and deposited. Two structures were checked – double layer build with SiOx/SiNx and one layer of SiNx. Active layer grown by means of VPE with a dielectric mirror deposited was examined in order to establish reflectivity from a given structures. In order to make comparison, reference sample was fabricated. It had the same structure of an active layer but there was no dielectric mirror deposited. Analysis of the results showed that the dielectric mirror works as expected and reflectivity in a wavelength range 700 nm – 1200 nm, is more than 70% higher for the structure with the dielectric mirror compared to the reference sample. It means that proposed solution would increase the absorbance inside the material and would have a positive influence on the thin silicon solar cells performance.

4

Analiza ekonomiczna eksploatacji metanu z głębokich pokładów węgla na terenie Górnośląskiego Zagłębia Węglowego

Hendel J., Cieślak K., Badecka I., Nagy S.

Bezpieczeństwo Pracy i Ochrona Środowiska w Górnictwie

|

2015

|

nr 2

26--32

PL

Metan z pokładów węgla (MPW) może stać się cennym surowcem i zaspokajać część potrzeb energetycznych rejonu Górnośląskiego Zagłębia Węglowego (GZW). Niestety, dotychczasowe próby jego eksploatacji w Polsce nie dały zadowalających rezultatów. Niniejsza praca ma za zadanie odpowiedzieć za pytanie: czy możliwa jest opłacalna eksploatacja MPW na terenie GZW, prowadzona odwiertem pionowym, bez zabiegów intensyfikacji wydobycia (szczelinowanie hydrauliczne, zatłaczanie dwutlenku węgla/ azotu). Chcąc zrealizować założony cel, na podstawie bogatej literatury, stworzono modele spadku wydobycia dla wybranego pokładu, mając na uwadze następujące parametry złoża węgla: przepuszczalność, porowatość, matanonośność, współczynnik dyfuzji/czas sorpcji. Określając opłacalność ekonomiczną przedsięwzięcia, stworzono model ekonomiczny uwzględniający: nakłady inwestycyjne, koszty stałe i zmienne przedsięwzięcia, prognozowany wydatek gazu oraz wynikające z niego przychody. Modelując opisane powyżej przedsięwzięcie, posłużono się metodą Monte-Carlo.

EN

Coalbed methane (CBM) may become an important source of energy in the Upper Silesian Coal Basin. However, previous attempts of CBM exploitation did not give satisfactory results. Is it possible to be profitable an exploitation of CBM in the Upper Silesian Coal Basin by vertical wellbores without hydraulic treatments and ECBM-CO2/N2 operations? Answer on this question is the aim of this paper. To solve this problem various models were created. Many geological and petrophysical parameters e.g. permeability, porosity, sorption capacity, diffusion coefficient/sorption time etc. were taken form literature. The economic model including: capital expenditures, operating expenditures fixed and variable, estimated methane flow rate was developed for determining the economic viability of the project. Monte-Carlo method was used to modeling processes described above. Because of the extremely low value of permeability, CBM production, using vertical wellbore, without hydraulic treatment, will never be profitable.

5

An overview of coal bed methane potential in Polish coal basins

Cieślak K., Hendel J., Kuczyński S.

AGH Drilling, Oil, Gas

|

2013

|

Vol. 30, no. 4

433--441

EN

Coal bed methane (CBM) may become an important source of energy in Upper Silesian Coal Basin. Coal bed methane in Poland occurs within three coal basins of which the best recognized and most promising is the Upper Silesian Coal Basin. Approximately 80.1% of proved balance of coal deposits resources in Poland occurs in the Upper Silesian Coal Basin, where 50 fields are operated by 28 mines. Thus, since early 90s of the 20th century the USCB is attractive for foreign companies which perform evaluation of coal bed methane obtaining possibility as main fossil. However, all previous attempts to commercial production of CBM did not bring expected results, but they constitute extensive information database for current and future research towards CBM exploitation. Prognostic resources of coal bed methane in USCB are estimated to 107 bln m3. Recoverable balance resources are estimated to 87.6 bln m3. Much smaller perspectives are related to the poorly identified regions of Lublin Coal Basin and Lower Silesian Coal Basin. It is estimated that balance resources of hard coal in LCB, represents approximately 19.2% of Polish hard coal balance resources.

6

Detekcja kanałów bocznikujących w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych z wykorzystaniem badań termowizyjnych

Cieślak K., Gułkowski S., Olchowik J., Kozak B., Wiśniewski M.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2012

|

z. 59, nr 2/II/I

131-136

PL

W artykule przedstawiono analizę badań termowizyjnych do detekcji kanałów bocznikujących w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych. Analizowane ogniwa słoneczne zostały wytworzone na bazie cienkich, monokrystalicznych warstw krzemowych. Warstwa krzemu została nanoszona na podłoże przy zastosowaniu metody epitaksji z fazy ciekłej (Liquid Phase Epitaxy – LPE) [1] i stanowiła warstwę aktywną ze złączem p-n w ogniwie słonecznym. Ze względu na specyfikę wzrostu, na brzegach warstw mogą pojawiać się kanały bocznikujące, co powoduje spadek wydajności fotoogniw. Żeby zlokalizować i wyeliminować niekorzystne obszary fotoogniwa, w badaniach zastosowano analizę termowizyjną powierzchni fotoogniw i ablację laserową [2].

EN

Solar cells were fabricated on the base of thin silicon monocrystalline layers obtained in liquid phase epitaxy process (LPE). Modification of LPE was introduced – growing substrate was covered with SiO2 and growing windows was opened in dielectric cover. Specificity of growth on that kind of substrate introduces some crystallographic defects on the edge of the sample. After solar cells fabrication these deformations can make “hot spots” which decrease solar cell performance. In order to localize this areas infrared thermography examination was introduced and UV laser was used to eliminate it from a solar cell.

7

Badanie kinetyki wzrostu epitaksjalnych warstw lateralnych dla zastosowań fotowoltaicznych

Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M., Paprota M., Syroka M., Głowienka R.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2012

|

z. 59, nr 2/II/I

297-302

PL

W artykule przedstawiono rezultaty badań dotyczących kinetyki wzrostu warstw epitaksjalnych otrzymywanych techniką ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth – lateralny wzrost warstw epitaksjalnej). Omówiona została metoda przeprowadzenia eksperymentu. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu tj. szybkości chłodzenia, rozmiarów okien Si, na kinetykę wzrostu lateralnego na podłożu krzemowym.

EN

Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) may be promising technique in photovoltaics application due to possibility of producing high quality Si epitaxial layers on silicon substrates. The advantage of this method is that density of the dislocations in new layer is less than in the substrate. The main goal of this method is to obtain as wide and as thin structures as possible. For this reason our research was concentrated on technological parameters of the growth process and its influences on width of the layer.

8

Modelling of the Interface Evolution During Si Layer Growth on a Partially Masked Substrate

Gulkowski S., Olchowik J., Cieślak K., Moskvin P.

TASK Quarterly : scientific bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk

|

2011

|

Vol. 15, No 1

91-98

EN

High-quality thin Si layers obtained from the solution by epitaxial lateral overgrowth (ELO) can play a crucial role in photovoltaic applications. The laterally overgrown parts of the layer are characterized by a lower dislocation density than that of the substrate. The height and width of the layer depend on several factors, such as the technological conditions of liquid phase expitaxy (LPE), growth temperature, cooling rate and the geometry of the system (mask filling factor). Therefore, it is crucial to find the optimal set of technological parameters in order to obtain very thin structures with a maximum width (high aspect ratio). This paper presents a computational study of Si epilayer growth on a line-pattern masked silicon substrate from Si-Sn rich solution. To solve this problem, a mixed Eulerian-Lagrangian approach was applied. The concentration profile was calculated by solving the two-dimensional diffusion equation with appropriate boundary conditions. The growth velocity was determined on the basis of gradients of concentration in the border of the interface. Si interface evolution from the opened window was demonstrated.

9

Badanie struktury ziarna prochu siedmiokanalikowego do amunicji średnikalibrowej i jednokanlikowego do amunicji strzeleckiej

Cieślak K., Ostaszewski D., Książczak A.

Problemy Techniki Uzbrojenia

|

2011

|

R. 40, z. 117

37--43

PL

Zbadano strukturę prochu bazowego(zielonego) siedmio i jedno kanalikowego stosując metodę sorpcji azotu i mikroskopii elektronowej. Warstwa palna składa się z lepiszcza utworzonego z niskazotowej nitrocelulozy i włókien wysokoazotowych. Powierzchnia ziarna jest pokryta kilku nanometrową warstwą żelowanej nitrocelulozy. W przypadku prochu siedmiokanalkowego powierzchnia właściwa jest mniejsza w stosunku do powierzchnia właściwej prochu jednokanalikowego. Im większa jest grubość warstwy palnej tym mniejsza jest powierzchnia właściwa. Ujednolicenie właściwości powierzchni jak i warstwy podpowierzchniowej jest możliwe w procesie impregnacji prochu zielonego.

EN

The structure of seven and single-perforated base propellants („green”) were examined using nitrogen adsorption method and scanning electron microscopy. The burning layer consist of a binder created by low nitrogen grade nitrocellulose and high nitrogen content fibers. The grains surface is covered with few nanometers layer of gelatinized nitrocellulose. In case of seven-perforated propellant the specific surface is lower than the specific surface of single-perforated one. By increasing the burning layer thickness its specific surface is decreasing. The unification of feature structure and as well as undersurface burning layer is possible in impregnation process of the green propellant.

10

Wpływ wewnętrznego lustra na wydajność kwantową fotoogniw wytwarzanych w oparciu o krzemowe warstwy lateralne

Cieślak K., Olchowik J. M., Gułkowski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

20-21

PL

W pracy przedstawiono rezultaty badań krzemowych ogniw słonecznych, wytwarzanych za pomocą, epitaksji z fazy ciekłej LPE (Liquid Phase Epitaxy). Epitaksja z fazy ciekłej pozwala w ekonomiczny sposób uzyskiwać cienkie monokrystaliczne warstwy, które mają również zastosowania w fotowoltaice. W prowadzonych badaniach zastosowano pewną modyfikację klasycznej metody LPE - wzrost na częściowo maskowanym dielektrykiem podłożu krzemowym. Taki sposób nosi nazwę epitaksji lateralnej ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) i pozwala na uzyskanie warstw o znacznie mniejszej gęstości defektów w stosunku do gęstości defektów w podłożu wzrostowym [1], co więcej warstwa dielektryka obecna wewnątrz struktury fotoogniwa stanowi lustro dla niezaabsorbowanych fotonow, co pozwala na wydłużenie ich drogi optycznej. W pracy porównano wpływ wewnętrznego lustra z dielektryka SiO₂ na wydajność kwantową, badanych fotoogniw.

EN

This work contains research of silicon thin film solar cells obtained from a lateral overgrowth liquid phase epitaxy (LPE). Liquid phase epitaxy is an economic method that enables to produce thin, monocrysallic films for photovoltaic applications. Presented research are based on some modification of the LPE method - it uses partially masked by dielectric, growing silicon substrates. This modification is called epitaxial lateral overgrowth (ELO) and enables to obtain lower defects density in a growing layer comparing to a growing substrate [1]. Moreover dielectric layer inside a solar cell structure forms an inner mirror for photons which are not absorbed in the active layer. This work presents influence of the inner mirror formed from SiO₂ efficiency of the solar cells.

11

Numeryczna analiza procesu wytwarzania ogniw słonecznych w oparciu o krzemowe warstwy lateralne

Gułkowski S., Olchowik J. M., Cieślak K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

25-26

PL

W pracy przedstawiono metodę optymalizacji parametrów technologicznych procesu wzrostu krzemowych warstw lateralnych otrzymywanych metodą epitaksji z fazy ciekłej, stosowanych do wytwarzania ogniw słonecznych. W celu przeprowadzenia takiej optymalizacji wykorzystano aparat symulacji transportu masy w kierunku granicy rozdziału faz - interfejsu.

EN

This paper presents technological parameters optimization of the epitaxial lateral overgrowth process for photovoltaic applications. Computer simulations were used to investigation mass transport in direction of the interface.

12

Optymalizacja procesu epitaksji z fazy ciekłej do zastosowań fotowoltaicznych

Cieślak K., Olchowik J. M., Gułkowski S.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2010

|

z.57[271], nr 4

83-88

PL

W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania cienkich warstw krzemowych do zastosowań fotowoltaicznych. Proces oparty jest o technologię epitaksji z fazy ciekłej. Analiza rezultatów przedstawiająca gęstość prądu zwarcia w zależności od parametrów epitaksji z fazy ciekłej pozwala na znalezienie optymalnych warunków technologicznych dla procesu.

EN

This work present a technology of producing thin film silicon layers for photovoltaic applications which is based on a liquid phase epitaxy. Analysis of the results obtained in the experiment enables to establish a short circuit current density dependence on the liquid phase epitaxy parameters. This can be used to find optimal conditions for the process.

13

Modelowanie procesu otrzymywania cienkich warstw epitaksjalnych w zastosowaniu do ogniw słonecznych

Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2010

|

z.57[271], nr 4

205-210

PL

Przedstawione zostały rezultaty komputerowego modelowania wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych otrzymywanych z roztworu. Obliczenia szybkości wzrostu interfejsu warstwy prowadzone były w oparciu o strumienie dyfuzyjne składnika Si rozpuszczonego w roztworze binarnym Si-Sn. Cienkie warstwy epitaksjalne otrzymywane metodą LPE mogą prowadzić do obniżenia kosztów produkcji ogniw fotowoltaicznych, co ma fundamentalne znaczenie w badaniach nad technologią otrzymywania energii ze źródeł odnawialnych.

EN

This work presents results of calculation of the concentration profiles of Si in the Si-Sn rich solution. Influence of the stream of silicon on concentration gradients near the interface and growth rate in normal and lateral direction has been presented. Aspect ration of the grown layer has been calculated. Technology of the obtaining thin epitaxial layer can lead to decrease the total cost of silicon solar cells production. It is a great of importance for obtaining energy form renewable sources.

14

Oddziaływanie ciekłych nitroestrów na granulat nitrocelulozowy w aspekcie wytwarzania stałych materiałów miotających

Książczak A., Pawłowski W., Cieślak K.

Problemy Techniki Uzbrojenia

|

2009

|

R. 38, z. 110

103--112

PL

Stale materiały miotające, wykorzystujące jako główny składnik granulat nitrocelulozowy, wymagają opracowania nowoczesnej technologii, która pozwoli na bezpieczniejsze i prostsze otrzymywanie paliw. Niniejsza praca to wstęp do szerokich badań nad taką technologią. Obejmuje ona zbadanie zjawisk fizykochemicznych zachodzących podczas procesu formowania paliw. Jako składniki, obok granulatu, wybrano ciekłe nitroestry, które powodują żelatynizację nitrocelulozy. Podjęto próbę opisu kinetyki procesu pęcznienia granul nitrocelulozowych. Badania prowadzono w różnych temperaturach dla 3 ciekłych nitroestrów: nitrogliceryny, diazotanu dietylenoglikolu i diazotanu trietylenoglikolu. Oznaczono czasy relaksacji, i współczynniki dyfuzji.

EN

Solid propellants obtained from nitrocelluloses granules need to develop modern technologies of production. This technology is a much safer and simpler method of obtaining propellant. This work is an introduction to the extensive research on this technology. It includes the examination of physicochemical phenomena occurring during the processing of propellants. As components, added to granules, selected liquid nitrate esters, which are known to cause gelation of nitrocellulose. The kinetics of swelling process of nitrocelluloses granules was attempted to describe. The research was conducted at different temperatures for 3 liquid nitrate esters: nitroglycerin, diethyleneglycol dinitrate and triethyleneglycol dinitrate. The relaxation times and diffusion coefficients were specified.

15

Badania kinetyki wzrostu krzemowych warstw lateralnych w gradientowym polu temperaturowym dla struktur baterii słonecznych

Olchowik J. M., Jóźwik I., Gułkowski S., Cieślak K., Szymczuk D., Zdyb A.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2008

|

z. 47 [252]

309-320

PL

Praca poświęcona jest analizie wytwarzania cienkowarstwowych krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań fotowoltaicznych. Zjawisko konwersji energii słonecznej odbywa się zazwyczaj w niewielkiej przypowierzchniowej części półprzewodnikowych struktur krystalicznych. Zatem dla celów użytecznych wykorzystywana jest zaledwie niewielka część materiału, natomiast znaczna jego część stanowi jedynie podstawę konstrukcyjną ogniwa słonecznego. Z uwagi na niski współczynnik absorpcji światła słonecznego dla Si, umieszczenie cienkiej krzemowej warstwy lateralnej pomiędzy dwoma dielektrykami daje możliwość zwielokrotnienia drogi optycznej fotonów, a tym samym pozwala konstruować wysokowydajne cienkowarstwowe struktury baterii słonecznych. Podstawową zaletą warstw lateralnych jest uniezależnienie struktury ich defektów od defektów podłoża. Zatem takie rozwiązanie pozwala stosować w technologiach fotowoltaicznych podłoża o słabej jakości, a więc czynić cały proces wytwarzania baterii słonecznych bardziej ekonomicznym. Badania kinetyki wzrostu krzemowych warstw lateralnych były prowadzane w różnych warunkach, z wykorzystaniem techniki epitaksji z fazy ciekłej (LPE) w wariancie poziomym i pionowym.

EN

This work presents an analysis of crystallization of the epitaxial lateral layers (ELO) for photovoltaic applications. Usually, main part of photovoltaic conversion is realized near surface of crystalline structures of semiconductors, therefore it needs only a little part of material. Because of very weak coefficient of light absorption in silicon, the thin ELO layer, placed between two dielectric coverings, gives the possibility of multiplications of optical way of photons and allows fabricating the Si solar cells by means of the thin films technology. The main advantage of such approach is the fact that the masking film prevents from the defects propagation present in substrate into the ELO layer. Such a method of crystallization allows using the poor quality substrate in application to many electronic devices, especially for solar cells, diminishing the costs of their production. The investigated Si-ELO layers were grown in various conditions: using standard horizontal LPE apparatus as well as vertical one with the temperature gradient.

16

Analiza 4-letniej eksploatacji solarnych układów hybrydowych Instytutu Fizyki Politechniki Lubelskiej

Olchowik J. M., Gułkowski S., Tomaszewski R., Adamczyk J., Olchowik G., Cieślak K.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2008

|

z. 47 [252]

297-308

PL

Przedstawiono wyniki czteroletniej analizy funkcjonowania systemu solarnego Instytutu Fizyki Politechniki Lubelskiej. System, składający się z 20 płaskich kolektorów słonecznych oraz 20 modułów fotowoltaicznych został zainstalowany na dachu auli Wydziału Zarządzania i Podstaw Techniki Politechniki Lubelskiej w 2004 roku. Analizowany układ solarny wykorzystuje współbieżnie dwa rodzaje konwersji - fototermiczną i fotowoltaiczną.

EN

This work presents the results of solar system analysis of Institute of Physics of Lublin University of Technology. The system consisted of 20 photocollectors and 20 solar modules was installed in 2004 on the roof of auditorium of the Faculty of Management and Base of Technology. The analyzed system, which is the hybrid system, used two form of solar energy conversion: photothermal (PT) as well as photovoltaic (PV).

17

Properties of films fabricated from ZnS/Mn2+ nanoparticles

Zdyb A., Cieślak K., Olchowik J. M.

Materials Science Poland

|

2008

|

Vol. 26, No. 2

389--394

EN

Nanoparticles of manganese doped zinc sulfide (ZnS/Mn2+) were obtained by wet chemical method. AFM images of the nanoparticles were analysed and their size distribution was estimated. The layer of ZnS/Mn2+ nanoparticles reveals a semiconducting character. Conductivity increases with temperature and its value is of the order of 10-9 źcm-1.

18

Monitoring i optymalizacja wykorzystania energii solarnej w Politechnice Lubelskiej

Olchowik J., Gułkowski S., Cieślak K., Jóźwik I., Adamczyk J., Tomaszewski R., Szymczuk D., Banaś J., Zabielski K., Mucha J.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2006

|

z. 40 [229]

371-376

PL

W pracy przedstawiono wyniki dwuletniej analizy funkcjonowania systemu solarnego Instytutu Fizyki Politechniki Lubelskiej. System ten wykorzystuje równocześnie dwa rodzaje konwersji - fototermiczną i fotowoltaiczną. Do analizy wykorzystano autorski system monitoringu.

EN

This work presents two years analysis of functioning of solar system in Institute of Physics of Lublin University of Technology. This system uses two types of solar energy conversion - phototermal and photovoltaic. The original system of monitoring was used.

19

Analysis of wave packet interference pattern in Young experiment

Cieślak K., Olchowik J. M.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

1037--1042

EN

Since its beginning the quantum mechanics has been so controversial theory, that not all physicist ware able to agree with its assumptions. Nowadays it seems that the problem does not exist any more, although the quantum theory is still incomplete. The main point of the discussion, which has been risen all the time, is the problem of the measurement understood as the influence of the observer or the detector presence on the wave pocket describing the state of the observed system. In this paper the problem of the detector influence on the state of the system is reported on the basis of two-slit experiment described in new formalism called projection evolution. This new approach connects two ways of state evolution: unitary evolution and evolution visible during the measurement.