Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semiconductors

Vorobey R. I., Gusev O. K., Tyavlovsky K. L., Svistun A. I., Shadurskaya L. I., Yarzhembitskaya N. V., Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 8

81--85

The features of photovoltaic cells with their own photoconductivity in semiconductors with deep-level multiply-charge impurity have been considered. The use of such structures can significantly extend the dynamic range of sensitivity and gain new functional properties of single-element photoelectric receivers. Photovoltaic converters based on semiconductors with deep-level multiply-charge acceptor type impurity enable devices with a wider functionality, whereas the structure with multiply-charge donor type impurity has better linearity of energy performance. In the development of photoelectric receiver with advanced functionality features the model of recombination processes in multiply-charge impurity in a wide range of optical radiation power density has been used.

W pracy przedstawiono właściwości fotoelektrycznych przetworników z samoistną foto przewodnością na bazie półprzewodników z głęboką wieloładunkową domieszką. Wykorzystanie takich struktur pozwala w sposób istotny rozszerzyć zakres dynamicznej czułości i otrzymać nowe funkcjonalne właściwości fotodetektorów. Przetworniki fotoelektryczne na bazie półprzewodników z głęboką wieloładunkową domieszką typu akceptorowego pozwalją zbudować urządzenia o szerszej funkcjonalności, a struktury z wieloładunkową domieszką typu donorowego mają lepszą liniowość charakterystyki energetycznej. Przy projektowaniu foto odbiorników z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami wykorzystano model rekombinacyjnych procesów na wieloładunkowej domieszce w szerokiej skali gęstości mocy promieniowania optycznego.

Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range

Vorobey R. I., Gusev O. K., Tyavlovsky A. K., Tyavlovsky K. L., Svistun A. I., Shadurskaya L. I., Yarzhembitskaya N. V, Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 5

75--78

Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.

Do formowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości proponuje się wykorzystanie półprzewodników domieszkowanych głęboką wieloładunkową domieszką. Do opracowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami i dynamiczną skalą wykorzystano model zjawisk rekombinacyjnych. Udowodniono, że wykorzystanie takich struktur pozwala istotnie poszerzyć dynamiczną skalę czułości oraz otrzymać nowe funkcjonalne właściwości przetworników fotoelektrycznych z prostą strukturą.