Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Direct writing of low resistance wires on an amorphous Ge-Sb-Te matrix is reported. A 1342 nm continuous wave laser was used for local heating of the sample to form these wires. Mechanical contact was not needed for making the conducting elements. The properties of the samples were investigated down to 1.4 K and the laser conditions required for the writing of low resistance GST wires were found. The results are discussed with a view to possible applications, such as connectors and electrical wires made only via remote light exposure of the samples to make different resistors and non-linear elements.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.