PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available The influence of temperature on spectral characteristics of silicon photovoltaic cells
Dąbrowski Jacek, Buchert Łukasz, Zarębski Janusz
Metrology and Measurement Systems
|
2024
|
Vol. 31, nr 1
153--164
EN
The paper presents the results of research on commercial photovoltaic cells made of crystalline silicon. In particular, the focus was on the description of the elaborated by the authors measuring system with measurements methodology used for assessment of the influence of temperature on spectral characteristics of the tested cells, describing the dependence of the current sensitivity (spectral response, responsivity) and the external quantum efficiency on the wavelength of optical radiation. The investigations carried out in the proposed test system made it possible to evaluate the properties of the cells in the conditions similar to the operating conditions.
2
Content available remote Modelowanie diod SiCPiN w programie SPICE
Zarębski Janusz, Bisewski Damian, Kaczerski Krystian
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 10
220--223
PL
W pracy przeprowadzono ocenę możliwości wykorzystania programu SPICE do modelowania charakterystyk statycznych oraz czasowych przebiegów w zakresie przełączania diod PiN wykonanych w technologii węglika krzemu (SiCPiN). Przedmiotem badań są dostępne komercyjnie diody SiCPiN firmy GeneSiC. Wykazano, że wykorzystanie w symulacjach firmowych wartości parametrów występujących we wbudowanym w programie SPICE modelu diody prowadzą do istotnych różnic ilościowych, a nawet jakościowych pomiędzy kształtem charakterystyk rozważanych przyrządów półprzewodnikowych otrzymanych z obliczeń i pomiarów. Przeprowadzona przez autorów estymacja wartości tych parametrów doprowadziła do znacznej poprawy wyników symulacji
EN
In the paper, an assessment was carried out on the feasibility of using the SPICE program to model the static characteristics and switching waveforms of silicon carbide PiN diodes (SiCPiN). The focus of the research are commercially available SiCPiN diodes from GeneSiC. It was shown that using the parameter values provided by the built-in SPICE diode model could lead to significant quantitative and even qualitative differences in the shape of the characteristics of the considered semiconductor devices, compared to the results obtained from calculations and measurements. The authors conducted an estimation of these parameter values, leds to a significant improvement in the simulation results.
3
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Szelągowska Joanna, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 2
178--181
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
4
Content available remote Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych
Górecki Krzysztof, Zarębski Janusz, Stepowicz Witold J., Górecki Paweł, Bisewski Damian, Detka Kalina, Ptak Przemysław, Dąbrowski Jacek, Godlewska Małgorzata, Bargieł Kamil, Szelągowska Joanna
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
130--133
PL
W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.
EN
This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.
5
Content available remote Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Bargieł Kamil, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 1
231--234
PL
W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
EN
In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.
6
Content available Compact Thermal Models of Semiconductor Devices : a Review
Górecki Krzysztof, Zarębski Janusz, Górecki Paweł, Ptak Przemysław
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2019
|
Vol. 65, No. 2
151--158
EN
In the paper the problem of modelling thermal properties of semiconductor devices with the use of compact models is presented. This class of models is defined and their development over the past dozens of years is described. Possibilities of modelling thermal phenomena both in discrete semiconductor devices, monolithic integrated circuits, power modules and selected electronic circuits are presented. The problem of the usefulness range of compact thermal models in the analysis of electronic elements and circuits is discussed on the basis of investigations performed in Gdynia Maritime University.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.