PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Quasi – rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
Zimoch P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
116--119
PL
W artykule dokonano analizy dwufazowego przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie z tranzystorami MOSFET załączanymi przy zerowym napięciu dren – źródło. Przeprowadzono badania symulacyjne, które wykazały, że możliwa jest praca tego typu przekształtnika przy częstotliwości rzędu kilkuset kHz oraz wykonano prototyp układu o częstotliwości pracy 400 – 600 kHz.
EN
The paper presents an analysis of a two-phase DC/DC boost converter with MOSFET transistors switched at zero drain – source voltage. Simulations, which have been conducted, have shown a possibility to make such converter with switching frequency up to a few hundred kHz. A prototype converter with switching frequency of 400 – 600 kHz has been made.
2
Content available remote Półmostkowy dwuczęstotliwościowy falownik rezonansowy do hartowania indukcyjnego kół zębatych
Legutko P., Kierepka K, Zimoch P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 12
74--78
PL
W artykule przedstawiono półmostkowy, rezonansowy falownik dwuczęstotliwościowy wykorzystywany powszechnie do hartowania indukcyjnego kół zębatych. Na wstępie pokrótce omówiono problematykę związaną z hartowaniem obwiedniowym kół zębatych, następnie zaprezentowano laboratoryjny układ rezonansowego, jednoczesnego falownika dwuczęstotliwościowego (2F) oraz omówiono jego najistotniejsze elementy składowe. W dalszej części artykułu przedstawiono przebiegi czasowe prądu odbiornika i napięcia na tranzystorze T1 oraz zaprezentowano charakterystykę modułu impedancji |Z| i fazy Θ szeregowo-równoległego obwodu rezonansowego. W końcowej części artykułu zaprezentowano model MES układu wzbudnik-wsad wykonany w oprogramowaniu ANSYS Maxwell 3D oraz sprzęgnięty z nim model obwodowy przekształtnika rezonansowego wykonany w ANSYS Simplorer. Opracowane modele komputerowe posłużyły do weryfikacji otrzymanych wyników badań oraz do zilustrowania rozkładu pola magnetycznego i prądów wirowych w układzie wzbudnik-wsad.
EN
This paper presents a simultaneous dual-frequency inverter used for induction hardening of gears. A prototype inverter was built in a halfbridge structure using two SCH2080KE SiC MOSFETs with a series-parallel resonant circuit. The control system was based on a MAX10 FPGA. The operating frequencies were 8 kHz and 267 kHz. The output power of the prototype was 3 kW and the drain efficiency was equal to 95%. Additionally, this paper presents two co-simulation models made in ANSYS software: a circuit model of the inverter made in Simplorer and a FEM model of coil and gear made in Maxwell 3D. Simulated distributions of eddy currents and magnetic induction in the gear, as well as energy density in a single tooth are presented.
3
Content available remote Badania quasi – rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Zimoch P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 7
183--186
PL
Artykuł opisuje badania sprawności dwufazowego przekształtnika DC/DC boost ZVS. W układzie zastosowano trzy warianty zaworów: tranzystorów i diod Si, wariant mieszany – tranzystory SiC MOSFET i diody Si, oraz wariant „full SiC” z tranzystorami SiC MOSFET i diodami SiC Schottky. Średnio uzyskano wzrost sprawności o około 7 punktów procentowych po zastosowaniu SiC MOSFET i wzrost o dalsze 0,9 p.p. po wprowadzeniu diod SiC.
EN
The paper presents results of efficiency measurement of a 600 kHz interleaved, zero-voltage switching, two-phase boost converter. Three sets of semiconductor devices were used: silicon MOSFETs and diodes, SiC MOSFETs and Si diodes, and a “full SiC” set with SiC MOSFETs and SiC diodes. On average efficiency had risen nearly 7 percentage points after implementing SiC MOSFETs and a further 0,9 p.p. increase was recorded after using SiC Schottky diodes.
4
Content available Modeling and simulation of grid connecting converters for photovoltaic applications in MATLAB/Simulink
Zimoch P.
Measurement Automation Monitoring
|
2017
|
Vol. 63, No. 7
252--255
EN
This paper presents simulation models of a grid-connecting converter for photovoltaic applications using MATLAB/Simulink’s Simscape SimPowerSystems toolbox. Manufacturers of these converters often do not provide any information related to the topology and control algorithms, thus impeding the modeling. Simulation models of two possible topologies of SVM based current controlled three-phase converters are shown and compared. The simulation results are compared to a 9.6 kW rooftop PV plant built in Novi Sad, Serbia, by connecting a corresponding PV array model at the input of the converter models. Simulation results have shown, that the created models produce results similar to the physical system, and that both modelled topologies are possible and viable to implement.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.