PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Mikołajewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 11
80--83
PL
W referacie przedstawiono obliczenia projektowe oraz rezultaty pomiarów dla rezonansowego wzmacniacza klasy E z tranzystorem GaN GS61008P. Dla zbudowanego układu o nominalnych parametrach: moc wyjściowa POnom= 100 W, częstotliwość fpnom= 13,56 MHz, napięcie zasilania EZnom= 24 V opracowano efektywny bramkowy układ sterujący o minimalnej mocy zasilania PZDR = 0,22 W. W pracy zbadano wpływ sposobu sterowania kluczem tranzystorowym na sprawność energetyczną wzmacniacza przy częstotliwościowej (FM) regulacji mocy wyjsciowej. Ponadto, wskazno na konieczność zabezpieczenia tranzystora GaN przed uszkodzeniem na wypadek zaniku bramkowego sygnału sterującego w układach zasilanych dławikowo.
EN
In the paper a design project and measurement results for a resonant Class E amplifier with a GaN GS61008P transistor have been presented. The designed and built amplifier operated at the frequency fnom= 13.56 MHz with output power POnom= 100 W from suppy voltage EZnom= 24 V, and minimum supply power of its gate driver was only PZDR= 0.22 W. Frequency control of the amplifier h.f. output power and the amplifer efficiency were tested for various methods of the transistor driving. Moreover, it was proved that GaN transistors require overvoltage protection circuits if applied to h.f. amplifiers with a supply choke.
2
Content available remote Optymalizacja układu sterującego w rezonansowym wzmacniaczu w.cz. klasy E
Mikołajewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
31--34
PL
W referacie omówiono procesy komutacji w tranzystorowym kluczu MOSFET w rezonansowym wzmacniaczu klasy E sterowanym w bramce przebiegiem prostokątnym. Przeprowadzone symulacje oraz rezultaty pomiarów wzmacniacza doświadczalnego o mocy wyjściowej PO = 14W i częstotliwości pracy fp = 10 MHz wskazują, że pojemności własne tranzystora, a w szczególności pojemność CGD istotnie wpływają na osiągnięcie przełączania typu ZVS i straty komutacyjne w praktycznym układzie. Otrzymane wyniki badań pozwalają na lepsze dopasowanie bramkowego układu sterującego do parametrów wzmacniacza i zastosowanego klucza tranzystorowego.
EN
In the paper switching losses in a Class E amplifier with a MOSFET transistor switch driven with a rectangle wave are disscussed. Simulation and measurement results for the Class E amplifier operating at fp= 10 MHz with output power PO= 14 W have shown that the transistor's internal capacitances and CGD in particular have major influence on the circuit operation in ZVS mode and its switching losses. Obtained results allow optimizing the gate driver by minimizing its cost while maintaining high efficiency of the amplifier.
3
Content available remote Wzmacniacz klasy E na zakres CB
Mikołajewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
16--19
PL
Istotnym problemem utrudniającym zastosowanie wysokosprawnego rezonanasowego wzmacniacza klasy E w technice nadawczej jest konieczność opracowania odpowiednich obwodów wejściowych i wyjściowych wzmacniacza, które zapewnią jego poprawną pracę w dostatecznie szerokim paśmie częstotliwości. W artykule przedstawiono wyniki prac związanych z opracowaniem i budową ekonomicznego doświadczalnego wzmacniacza klasy E o poszerzonym paśmie pracy na zakres częstotliwości CB. Skonstruowany układ osiągał w paśmie 24 - 30 MHZ moc wyjściową 12 W (z nierównomiernością charakterystyki mocy – 0,14 dB +0,4 dB) dla napięcia zasilania EZ = 12 V =const. uzyskując drenową sprawność energetyczną od 0,83 do 0,95. Przedstawione wyniki badań mogą być użyteczne przy konstruowaniu wzmacniaczy klasy E przeznaczonych do pracy w urządzeniach nadawczych o mocy do kilkudziesięciu watów na zakres częstotliwości pracy do kilkudziesięciu MHz.
EN
Appliction of high-efficiency resonant Class E amplifiers to radiotransmitters is limited by difficulties in designig input and output wideband matching circuits. The paper presents results obtained for a wideband Class E designed to operate in CB band. The nominal output power of the built amplifier was PO= 12W in 24-30 MHz band with power flatness - 0.14 dB +0.4 dB for the supply voltage EZ=12V. The measured drain efficiency was in the range from 0.83 to 0.95. The circuit can find applications in practical transmitters operating with the ouput power up to a few tens of watts in the megahertz range.
4
Analiza transformatorowego wzmacniacza klasy E
Mikołajewski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 9
12-15
PL
Zastosowanie transformatora o istotnym rozproszeniu magnetycznym we wzmacniaczu klasy E umożliwia zredukowanie liczby elementów indukcyjnych w układzie przy jednoczesnym zapewnieniu izolacji galwanicznej pomiędzy wejściem i wyjściem. Pozwala to zwiększyć stopień miniaturyzacji wzmacniacza oraz obniżyć koszty jego wykonania. W artykule przeanalizowano pracę transformatorowego wzmacniacza klasy E w warunkach nominalnych dla dowolnego unormowanego czasu D włączenia klucza i sinusoidalnego prądu w wyjściowym obwodzie rezonansowym. Wyniki przeprowadzonej analizy wykorzystano do zaprojektowania i zbudowania układu o unormowanym czasie włączenia D = 0,4 oraz 0,5 przy napięciu zasilania VI = 28 V, mocy wyjściowej P OMAX = 50 W i częstotliwości pracy f = 300 kHz. Otrzymane zależności opisujące pracę transformatorowego wzmacniacza klasy E umożliwiają zaprojektowanie układu z uwzględnieniem wybranych parametrów transformatora jak i optymalizację wzmacniacza ze względu na parametry klucza tranzystorowego.
EN
Class E amplifier with a transformer features a reduced number of inductive components combined with input-to-output isolation necessary in many applications. This simplifies miniaturization of the circuit and decreases its cost. The paper presents an analysis of the Class E amplifier with a transformer for the nominal operation at any on -duty cycle of the transistor switch and a sinusoidal output current. A practical design example and experimental results are given for the Class E transformer amplifiers operating with duty cycles D=0.4 and 0.5 output power PO =50 W, supply voltage VI = 28 V and the switching frequency f = 300 kHz. Results of the analysis are also valid for transformerless Class E amplifiers with a shunt capacitor and a series resonant circuit with a sinusoidal output current.
5
Rezonansowa przetwornica napięcia stałego typu E² z prostownikiem synchronicznym
Mikołajewski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 10
12-14
PL
W artykule przedstawiono rozwiązanie rezonansowej przetwornicy napięcia stałego typu E² ze wzmacniaczem klasy E oraz rezonansowym synchronicznym prostownikiem klasy E. W prezentowanym układzie zredukowano liczbę elementów indukcyjnych stosowanych we wzmacniaczu klasy E poprzez zastosowanie transformatora pełniącego jednocześnie funkcje dławika zasilania, cewki obwodu rezonansowego, elementu dopasowującego impedancję i zapewniającego separację galwaniczną pomiędzy wejściem i wyjściem. Umożliwia to uproszczenie konstrukcji i obniżenie kosztu wykonania przetwornicy. Układ doświadczalny proponowanej przetwornicy (EZ = (36-48) V, VO = 12 V, lOMAX = 5 A, fMIN = 480 kHz) został zaprojektowany, zbudowany oraz przeprowadzono pomiary jego podstawowych parametrów elektrycznych uzyskując dobrą zgodność z obliczeniami, w tym wysoką sprawność energetyczną ηMAX ≈ 90%.
EN
A resonant Class- E² DC/DC converter with a Class E amplifier and a resonant synchronous rectifer is introduced. In the circuit the number of used inductive components has been reduced and replaced by an isolation transformer which is also a supply choke, a resonant inductor as well as a matching component. This simplifies the converter design and reduces its cost. The experimental circuit (EZ = (36-48) V, VO = 12 V, lOMAX = 5 A, fMIN = 480 kHz) has been designed, built and tested demonstrating high efficiency ηMAX ≈ 90% and a good agreement of experimental and theoretical results.
6
Content available A self-oscillating h.f. power generator with a Class E resonant amplifier
Mikołajewski M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2013
|
Vol. 61, nr 2
527--534
EN
Self-oscillating h.f. power generators with a Class E amplifier are used as industrial high-efficiency h.f. power sources. In the paper a modification of the classic Class E generator by applying an additional capacitor in the matching and feedback circuit is presented. The proposed solution increases the degree of freedom in the generator design and can noticeably reduce its cost by eliminating the need for the use of high-value h.f. capacitors in the feedback loop divider. The self-oscillating Class E generator (150 W/6.78 MHz) with the proposed modification has been designed, built and its parameters were measured. Theoretical predictions were in a good agreement with experimental results. Moreover, the burst control method of the output power in the generator has also been presented.
7
Content available High-Frequency Power Amplitude Modulators with Class-E Tuned Amplifiers
Modzelewski J., Mikołajewski M.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2008
|
nr 4
79-86
EN
A high-frequency power amplifier used in a drain amplitude modulator must have linear dependence of output HF voltage Vo versus its supply voltage VDD. This condition essential for obtaining low-level envelope distortions is met by a theoretical class-E amplifier with a linear shunt capacitance of the switch. In this paper the influence of non-linear output capacitance of the transistor in the class-E amplifier on its Vo(VDD) characteristic is analyzed using PSPICE simulations of the amplifiers operating at frequencies 0.5 MHz, 5 MHz and 7 MHz. These simulations have proven that distortions of theVo(VDD) characteristic caused by non-linear output capacitance of the transistor are only slight for all analyzed amplifiers, even for the 7 MHz amplifier without the external (linear) shunt capacitance. In contrast, the decrease of power efficiency of the class-E amplifier resulting from this effect can be significant even by 40%
8
Content available remote Searching for Flickering Variability in Several Symbiotic Stars and Related Objects: BX Mon, V471 Per, RS Oph, V627 Cas, CI Cam, V886 Her, Z And, T CrB, MWC 560, V407 Cyg
Gromadzki M., Mikołajewski M., Tomov T., Bellas-Velidis I., Dapergolas A., Gałan C.
Acta Astronomica
|
2006
|
Vol. 56, No. 1
97--125
EN
UBVRI photometric observations of 10 symbiotic stars and related objects obtained in the period 2002-2003 are presented. Analyzing differential light curves we found rapid light variations with timescales of tens of minutes and significant amplitudes in the well-known flickers MWC 560, RS Oph, V407 Cyg and T CrB. MWC 560 and V407 Cyg demonstrate quasi periodic oscillations (QPO) with similar amplitudes and timescales. Flickering and unusual flare in V627 Cas as well as some indications of flickering presence in BX Mon are detected. The existence of 29 min oscillations in Z And with an amplitude ≈0.02 mag in the U-band is confirmed. Only one symbiotic star, V471 Per, and both non symbiotic, CI Cam and V886 Her, seem to be constant on flickering timescales. Nevertheless, small night to night changes in the brightness of V886 Her were observed as well.
9
Content available remote HP Lyr - Possibly the Hottest RV Tau Type Object
Graczyk D., Mikołajewski M., Leedjärv L., Frąckowiak S. M., Osiwała J. P., Puss A., Tomov T.
Acta Astronomica
|
2002
|
Vol. 52, No. 3
293--304
EN
We report Johnson's UBVRI photometric and optical spectroscopic observations of a long period variable HP Lyr which up to now has been considered to be an eclipsing binary with a period of 140 days. Its spectral type changes continuously from A2-3 at maxima to A7-F2 at minima. We propose that the brightness changes are caused by pulsation of the star with two periods: P1=69.35 days, and P2=2×P1=138.7 days. These periods decreased by more than 1% between 1960 and 1980. The spectral luminosity class corresponds to an A type supergiant Iab. HP Lyr is also the optical counterpart of the infrared source IRAS 19199+3950. Relatively high galactic latitude (b=+11°.7) and high radial velocity (-113 km/s) indicate that HP Lyr is an evolved, most likely post-AGB star. All these features suggest that this star is an RV Tau type object.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.