Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

1 2025

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Investigating the influence of boron diffusion temperature on the performance of n-type PERT monofacial solar cells with reduced thermal steps

Korichi Hakim, Kezrane Mohamed, Bensdira Ahmed Baha-Eddine

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2025

T. 15, nr 2

61--64

This research work aims to optimise the fabrication of n-based PERT monofacial solar cells of p⁺nn⁺ structure, using a simplified processand standard-sized n-type Czochralski (Si-Cz) monocrystalline silicon wafers. The aim is to achieve a conversion efficiency of 14.3%, comparableto the best performances reported for similar architectures. The study focused on the influence of the boron diffusion temperature on the emitter sheet resistance and the electrical performance of the cells. A diffusion temperature of 970°C was found to be optimal, offering a good compromise betweenlow sheet resistance and uniform boron diffusion. Surface passivation by a layer of silicon oxide, deposited by dry thermal oxidation at 900°Cin a controlled oxygen atmosphere, minimised surface recombination. The incorporation of an 80nm-thick silicon nitride (SiNx) anti-reflection coating (ARC), combined with pyramidal surface texturing, significantly reduced reflectance and optimised the absorption of incident light. The best-performingn-base PERT monofacial solar cell showed a short-circuit current density (Jsc) of 36.8 mA/cm², an open-circuit voltage (Voc) of 635 mV, a form factor (FF) of 0.79 and a conversion efficiency of 14.3%. These promising results confirm the potential of n-based PERT monofacial solar cells to achieve high performance using a simplified manufacturing process and standard wafer sizes, paving the way for low-cost production.

Niniejsza praca badawcza ma na celu optymalizację produkcji jednopowierzchniowych ogniw słonecznych PERT o strukturze p⁺nn⁺, wykorzystujących uproszczony proces i monokrystaliczne płytki krzemowe typu n Czochralskiego (Si-Cz) o standardowych rozmiarach. Celem jest osiągnięcie sprawności konwersji na poziomie 14,3%, porównywalnej z najlepszymi wynikami odnotowanymi dla podobnych architektur. Badania koncentrują się na wpływie temperatury dyfuzji boru na rezystancję obszaru emitera i wydajność elektryczną ogniw. Stwierdzono, że temperatura dyfuzji 970°C jest optymalna, oferując dobry kompromis między niską rezystancją powierzchniową a równomierną dyfuzją boru. Pasywacja powierzchniza pomocą warstwy tlenku krzemu, osadzonej przez suche utlenianie termiczne w temperaturze 900°C w kontrolowanej atmosferze tlenu, zminimalizowała rekombinację powierzchniową. Zastosowanie powłoki antyrefleksyjnej (ARC) z azotku krzemu (SiNx) o grubości 80 nm, w połączeniu z piramidalnym teksturowaniem powierzchni, znacznie zmniejszyło współczynnik odbicia i zoptymalizowało absorpcję padającego światła. Najlepiej działające jednopowierzchniowe ogniwo słoneczne PERT na bazie n wykazało gęstość prądu zwarciowego (Jsc) 36,8 mA/cm², napięcie obwodu otwartego(Voc) 635 mV, współczynnik kształtu (FF) 0,79 i sprawność konwersji 14,3%. Te obiecujące wyniki potwierdzają potencjał jednopowierzchniowych ogniw słonecznych PERT na bazie n do osiągnięcia wysokiej wydajności przy użyciu uproszczonego procesu produkcyjnego i standardowych rozmiarów płytek, torując drogę do taniej produkcji.