Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Investigation of hydrogenation of Ti films under ion irradiation from water plasma

Pranevicius L., Tuckute S., Milcius D., Urbonavicius M.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 11b

358-360

Paper aims to show that plasma implantation technique is capable of splitting water molecules into their constituent atoms and storing of implanted hydrogen in the bulk of nanocrystalline Ti. The main plasma treatment parameters: the water vapour pressure –1 - 10 Pa, the discharge current – 0.2 A and voltage – 250 - 300 V. The as-deposited and plasma treated Ti films were characterized using the X–ray diffractometer (XRD), the electron dispersion spectroscopy (EDS) combined with the scanning electron microscopy (SEM). The distributions profiles of broken hydrogen atoms have been measured experimentally by glow discharge optical emission spectroscopy (GDOES) and oxygen - by Auger Electron Emission spectroscopy (AES).

Celem niniejszego artykułu jest wykazanie, że technika implantacji plazmowej umożliwia podział cząsteczek wody na jej atomy składowe i przechowanie implantowanego wodoru w objętości nanokrystalicznego Ti. Główne parametry obróbki plazmowej: ciśnienie pary wodnej – 1 - 10 Pa, prąd wyładowania – 0,2 A i napięcie – 250 - 300 V. Nałożone i poddane obróbce plazmowe warstwy Ti zostały scharakteryzowane za pomocą dyfraktometru rentgenowskiego (XRD), elektronowej spektroskopii dyspersyjnej (EDS) połączonej ze skaningowym mikroskopem elektronowym (SEM). Profile rozkładu wybitych atomów wodoru zostały zmierzone doświadczalnie za pomocą optycznej spektroskopii emisyjnej wyładowania jarzeniowego (GDOES) oraz wybitych atomów tlenu za pomocą emisyjnej spektroskopii elektronów Augera (AES).

Oxygen and carbon impurity effects on hydrogen storage properties of MgNi alloy films

Pranevicius L., Milcius D., Lelis M., Wirt E., Bacianskas A.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

78-80

1.5 um-thick MgNi films with ratio of Mg/Ni=2.5 have been sputtered on quartz substrates and hydrogenated at 0.8 MPa hydrogen pressure for 250 °C. It is shown that the decomposition of Mg2Ni and surface segregation of Mg occur during hydrogenation. For C-free MgNi films, the metallic Mg is bonded with oxygen and form non-permeable for hydrogen oxide layer. Carbon impurities modify surface hydrogen permeation properties, and complete transformation of Mg2Ni film into Mg2NiH4 takes place during 30 min.

Powłoki MgNi o grubości 1,5 um i stosunku Mg/Ni=2,5 zostały napylone na substraty kwarcowe i uwodornione przy ciśnieniu wodoru 0,8Mpa i temperaturze 250oC. Stwierdzono, że w trakcie hydrogenizacji następuje rozkład Mg2Ni i powierzchniowa segregacja Mg. W przypadku powłok MgNi bez zawartości węgla metaliczny Mg wiąże się z tlenem tworząc nieprzenikalną dla wodoru warstwę tlenku. Domieszki węgla modyfikują przepuszczalność powierzchni dla wodoru i powodują przemianę powłok Mg2Ni w Mg2NiH4 w czasie 30min.