Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Regulowany Multiplikator Pojemności w Technologii CMOS
PL
W pracy przedstawiono nowe rozwiązanie regulowanego multiplikatora pojemności w technologii CMOS 50nm. Prezentowany układ charakteryzuje się bardzo małą wartością napięcia zasilania (0,5V) i mocy rozpraszanej (22nW-213nW). Układ umożliwia multiplikację pojemności w zakresie 5-100 razy, przy zachowaniu odpowiednio dobrych parametrów układowych takich jak dynamika, prąd niezrównoważenia czy zakres częstotliwości pracy.
EN
A novel solution for capacitance multiplier in 50 nm CMOS is presented in the paper. The circuit is characterized by low supply voltage (0.5V), very low dissipation power (22nW-213nW). The capacitance multiplying factor can be varied in a wide range (5-100), while keeping good electrical parameters such as offset current, dynamic and frequency range.
PL
W pracy przedstawiono układ wzmacniacza pseudoróżnicowego CMOS, sterowanego z elektrod podłoża. Przeprowadzono analizę teoretyczną wielkosygnałową jego działania, która udowodniła, że prezentowany wzmacniacz charakteryzuje się bardzo dobrą liniowością charakterystyki przejściowej, lepszej niż uzyskiwana dla konkurencyjnych rozwiązań układowych i możliwością pracy przy napięciach zasilania znacznie mniejszych od 1V.
EN
A novel solution for a bulk-driven pseudo-differential input stage in CMOS technology has been described in the paper. The large-signal analysis has been carried out, showing very good linearity of its transfer characteristic. The amplifier operates properly for supply voltages much less then 1V.
3
PL
W pracy przedstawiono nowe rozwiązanie wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS, sterowanego z elektrod podłoża. Układ ten charakteryzuje się małą wartością napięcia zasilania (O,5V), oraz małą wartością transkonduktancji (31,1nS) i mocy rozpraszanej (107nW). Wzmacniacz jest przeznaczony do zastosowań w układach filtrów aktywnych na zakres bardzo małych częstotliwości.
EN
A novel solution for a bulk-driven transconductance amplifier is described in the paper The circuit is characterized by low supply voltage (0,5), as well as small transconductance (31,1nS) and low dissipation power (107nW). The amplifier is devoted for applications in low-freąuency active filters.
PL
W pracy przedstawiono rozwiązanie mikromocowego filtru bikwadratowego CMOS, pracującego w trybie prądowym. Struktura filtru oparta jest o nowy układ zwierciadła prądowego , wykorzystujący tranzystory sterowane z elektrody podłożowej. Dzięki temu uzyskano linearyzację charakterystyk filtru i bardzo małą wartość napięcia zasilania, równą 0,5V.
EN
A novel solution for a low-power current-mode biquad filter in CMOS technology is described in the paper. The circuit structure is based on a new current mirror realized with bulk-driven transistors. Thanks to this, linear circuit characteristics are obtained for supply voltages as low as 0,5V.
5
Content available remote Novel Bulk-driven Fully-balanced Transconductance Amplifier
EN
A novel solution for fully-balanced transconductance amplifier controlled from bulk terminals is presented. The circuit operates from a single supply voltage of only 1.2V and exhibits improved linearity over previously known solutions.
6
Content available remote Low-Voltage CMOS Transconductance Amplifier Controlled from Body Terminals
EN
A novel solution for fully-balanced transconductance amplifier controlled from body terminals is presented. The circuit operates from a single supply voltage of only 3V and exhibits very large frequency range.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.