Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2025

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Buffer leakage current in lateral AlGaN/GaN HEMT

Glinkowski Mateusz, Paszkiewicz Bogdan, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

2025

R. 101, nr 2

161--165

The current leakage through the buffer layer in AlGaN/GaN type HEMT (High Electron Mobility Transistor) is an important factor for creating semiconductor AIIIN based devices with predictable parameters. In this study the current flow and potential distribution in AlGaN/GaN heterostructures with two conducting channels and a buffer layer are investigated. The presence of the second conducting channel has a significant impact on the current flow, especially in the case of unintentionally doped semi-insulating GaN buffer layers or in the presence of a strong electric field.

Upływ prądu przez warstwę buforową w tranzystorach HEMT typu AlGaN/GaN jest istotnym czynnikiem w wytwarzaniu elementów półprzewodnikowych na bazie materiałów z grupy AIIIN, o zadanych parametrach. W pracy przeanalizowano przepływ prądu i rozkład potencjału w heterostrukturach AlGaN/GaN z dwoma kanałami przewodzącymi i warstwą buforową. Obecność drugiego kanału przewodzącego ma znaczący wpływ na przepływ prądu, szczególnie w wypadku nieintencjonalnego domieszkowania półizolacyjnych warstw buforowych GaN lub w obecności silnego pola elektrycznego.