Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawiono wyniki trójwymiarowego modelowania cieplnego matryc zbudowanych na bazie krawędziowego emitera azotkowego. Obliczenia objęły wpływ liczby i szerokości emiterów (3-30 μm), ich ustawienia w matrycach (z i bez diamentowej nakładki w układzie montażowym) na maksymalny przyrost temperatury w przyrządach oraz wielkość efektu wzajemnego nagrzewania się sąsiadujących emiterów.
EN
This paper presents results of our three-dimensional thermal simulation of emitter arrays based on III-Nitride edge-emitting optoelectronic device. An impact of emitter number and width (33-30 μm), emitters location in arrays (with and without diamond heat spreaser) on a maximum temperature rise and thermal crosstalk have been taken into our calculations.
PL
W pracy przedstawiono analizę skuteczności stosowania przekładek (heat-spreaderów) wykonanych z rożnych materiałów do poprawy odprowadzania strumienia ciepła z półprzewodnikowych emiterów światła. Wśród materiałów branych pod uwagę rozważono diament o przewodności cieplnej 1200-2000 W/mK, stop diament-metal 600 W/mK oraz inne materiały często stosowane w układach montażowych przyrządów półprzewodnikowych (BeO, SiC(sub)CVD, CuW, MoCu, AIN) o przewodnościach z zakresu 170-250 W/mK. Mocowanie przekładek wykonano z powszechnie stosowanego eutektyka AuSn o grubości 1-10μm. Obliczenia zostały przeprowadzone dla modeli trójwymiarowych w oparciu o metodę elementu skończonego. Analiza objęła przewodność cieplną przekładek, ich rozmiary, umiejscowienie oraz grubość lutu Wyniki obliczeń pokazały m.in. duży wpływ warstw mocujących na efektywność odprowadzania ciepła, oraz silną zależność optymalnej grubości przekładki od jej rozmiarów planarnych, przewodności cieplnej i grubości lutu.
EN
In this paper the thermal analysis of the heat-spreader efficiency was presented. The heat-spreaders were made of various materials including diamond 1200...2000 W/mK, metal-diamond composite 600 W/mK and other high thermal conductive materials (BeO, SiC(sub)CVD, CuW. MoCu. AIN) 170…250 W/mK used in assembiles of the optoelectronic devices. The heat-spreaders were attached to the chip and copper heat-sink by hard solder AuSn of thickness 1...10μm. The 3-D finite element method calculations embraced the heat-spreader thermal conductivity, size, location and solder thickness. The results indicate, inter alia, great influence of solder on heat dissipation efficiency and telling dependence between heat-spreader optimal size and its thermal conductivity and solder thickness.
EN
Purpose: The aim of this study is to propose a new calculation method using Monte Carlo simulations making it possible to estimate surface supersaturation and its transient behavior. Design/methodology/approach: Monte Carlo simulation method is used for investigations of crystal growth from microscopic point of view. It is assumed that the surface supersaturation may be represented by the number of growth units adsorbed on the crystal surface at any given moment. Findings: The presented method allows us to analyze the surface configuration of a growing crystal face and the mechanism of single crystal growth in various assumed growth conditions (supersaturation, temperature). Research limitations/implications: The results of the performed simulations show the influence of changes in bulk supersaturation on the behavior of surface supersaturation, which is very difficult to experimentally measure. In this way, some analytical results calculated previously and concerning transient behavior of surface supersaturation can also be verified. Originality/value: For the first time, Surface Roughening Coefficient (SRC) is defined and the method of its calculation is shown. The SRC coefficient allows us to estimate surface supersaturation determining growth mechanism and, in consequence, determining the quality of grown crystals. The results are useful for control of growth process to obtain good quality single crystals.
4
Content available remote Computer simulation of operation of various designs of semiconductor lasers
EN
In the present paper, recent results of computer simulations of two-dimensional arrays of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs), transverse modes in gain-guided VCSELs as well as double-heterostructure and quantum-well nitride VCSELs are presented. As expected, the simulations enable us to propose essential design modifications of the devices under consideration.
PL
W niniejszej pracy przedstawiono ostatnie wyniki komputerowych symulacji dwuwymiarowych matryc powierzchniowych laserów złączowych z poprzecznym rezonatorem typu VCSEL, poprzecznych modów promieniowania laserów VCSEL ze wzmocnieniowym efektem falowodowym w płaszczyźnie złącza p-n, jak również azotkowych laserów VCSEL o obszarach czynnych wykonanych w wersji biheterozłączowej i z pojedynczą studnią kwantową. Tak jak oczekiwano, powyższe symulacje umożliwiły zaproponowanie istotnych modyfikacji konstrukcyjnych modelowanych przyrządów laserowych.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.