Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

Szyszka A., Paszkiewicz R, Szymański T., Tłaczała M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 8

21--24

PL

W artykule przedstawiono budowę oraz funkcjonalność układu oświetlenia próbki zintegrowanego z sytemem mikroskopu ze skanujacą sondą. Układ ten umożliwia pobudzenie próbki promieniowaniem optycznym w trakcie pomiaru lokalnych właściwości elektrycznych metodami skaningowej mikroskopi potencjału powierzchniowego, skaningowej mikroskopi rezystancji rozproszonej oraz skaningowej mikroskopii pojemnośćiowej. Ma to na celu uzyskanie dodatkowych informacji o niejednorodnościach właściwości powierzchniowych stanach pułapkowych czyli o ich typie, położeniu w przerwie zabronionej oraz o czasach generacji/rekombinacji. Pierwsze eksperymenty przeprowadzone na zmodyfikownycm stanowisku Bruker Multimode V w trybie skaningowej mikroskopi pojemnościowej pozwoliły zaobserwować istnienie wpływu konstrukcji heterostruktury AlGaN/GaN/Si na właściwości defektów występujących w warstwie bariery AlGaN.

EN

In the work the design assumptions, construction and performance of integrated illumination system for scanning probe microscope is presented. The system allows for optical stimulation of sample during measurements of local electrical properties by Scanning Potential Microscopy, Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. Illumination of semiconductor sample using various wavelengths allow to obtain additional information about type, energy position and generation/recombination processes connected electronic surface states. First experiments using Bruker Multimode V Nanoscope AFM equipped with this system working in Scanning Capacitance Microscopy Mode showed the influence of AlGaN/GaN/Si heterostructure construction on electronic properties of surface defects in AlGaN barrier layer.

2

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

Szyszka A., Szymański T., Tłaczała M., Wośko M., Paszkiewicz R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

58--60

PL

Znaczne niedopasowanie stałych sieciowych oraz współczynników rozszerzalności cieplnej występujące pomiędzy warstwą epitaksjalną, a podłożem w heterostrukturach AlGaN/GaN/Si skutkuje dużą ilością defektów strukturalnych oraz występowaniem niejednorodności właściwości półprzewodnika. W prezentowanej pracy do zobrazowania lokalnych powierzchniowych niejednorodności elektrycznych właściwości AlGaN/GaN osadzanych na podłożu krzemowym techniką MOCVD została wykorzystana technika skaningowej mikroskopii pojemnościowej. Z analizy dwuwymiarowych map sygnału SCM oraz widm dC/dVAmp =f(VDC) w różnych obszarach powierzchni próbki wynika, że ujemny ładunek zgromadzony na dyslokacjach wstępujących w warstwach epitaksjalnych wpływa na właściwości powierzchni, lecz może nie mieć zdecydowanego wpływu na powstawanie dwuwymiarowego gazu elektronowego na interfejsie AlGaN/GaN.

EN

Large mismatch of lattice constants and thermal expansion coefficients between materials in AlGaN/GaN/Si heterostructures lead to high density of structural defects and material inhomogeneities in layers. In the presented work, local electronic properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures are investigated using scanning capacitance microscopy. Analysis of two dimensional images of SCM signal and dC/dVAmp =f(VDC) spectrum allowed to conclude that negative charge accumulated at dislocations in epitaxial layers could affect the surface electronic state of the structure but might not have major impact on two dimensional electron gas formation at the AlGaN/GaN interface.

3

LP-MOVPE growth and properties of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications

Ściana B., Badura M., Dawidowski W., Bielak K., Radziewicz D., Pucicki D., Szyszka A., Żelazna K., Tłaczała M.

Opto-Electronics Review

|

2016

|

Vol. 24, No. 2

95--102

EN

The work presents doping characteristics and properties of high Si-doped InGaAs epilayers lattice-matched to InP grown by low pressure metal-organic vapour phase epitaxy. Silane and disilane were used as dopant sources. The main task of investigations was to obtain heavily doped InGaAs epilayers suitable for usage as plasmon-confinement layers in the construction of mid-infrared InAlAs/InGaAs/InP quantum-cascade lasers (QCLs). It requires the doping concentration of 1×10¹⁹ cm⁻³ and 1×10²⁰ cm⁻³ for lasers working at 9 μm and 5 μm, respectively. The electron concentration increases linearly with the ratio of gas-phase molar fraction of the dopant to III group sources (IV/III). The highest electron concentrations suitable for InGaAs plasmon-contact layers of QCL was achieved only for disilane. We also observed a slight influence of the ratio of gas-phase molar fraction of V to III group sources (V/III) on the doping efficiency. Structural measurements using high-resolution X-ray diffraction revealed a distinct influence of the doping concentration on InGaAs composition what caused a lattice mismatch in the range of –240 ÷ –780 ppm for the samples doped by silane and disilane. It has to be taken into account during the growth of InGaAs contact layers to avoid internal stresses in QCL epitaxial structures.

4

Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications

Badura M., Bielak K., Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Dawidowski W., Żelazna K., Kudrawiec R., Tłaczała M.

Optica Applicata

|

2016

|

Vol. 46, nr 2

241--248

EN

Quantum cascade laser is one of the most sophisticated semiconductor devices. The active region of the quantum cascade laser consists of hundreds thin layers, thus the deposition precision is the most crucial. The main technique for the fabrication of quantum cascade laser structure is molecular beam epitaxy, however, the prevalence of metalorganic vapour phase epitaxy techniques in the fabrication of semiconductor structures causes a perpetual work on the improvement production of the entire quantum cascade laser structure by the metalorganic vapour phase epitaxy. The paper presents technological aspects connected with the metalorganic vapour phase epitaxy growth of InGaAs/AlInAs low-dimensional structures for quantum cascade laser active region emitting ~9.6 μm radiation. Epitaxial growth of superlattice made of InGaAs/AlInAs lattice matched to InP was conducted at the AIXTRON 3x2″ FT system. Optical and structural properties of such heterostructures were characterised by means of high resolution X-ray diffraction, photoluminescence, contactless electroreflectance and scanning electron microscope techniques. Epitaxial growth and possible solutions of structure improvements are discussed.

5

Role of nitrogen in carrier confinement potential engineering and optical properties of GaAs-based quantum wells heterostructures

Pucicki D., Bielak K., Dawidowski W., Ściana B., Tłaczała M.

Optica Applicata

|

2016

|

Vol. 46, nr 2

255--263

EN

In this work, the authors present the results of optical characterization of GaAs-based multiple quantum well heterostructures, together with energy band structure analysis. The optical properties were investigated by applying photoluminescence spectroscopy. Structures with GaInNAs, GaInAs and GaNAs multiple quantum wells emitting around 1 μm, grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy, were compared in this work. The role of nitrogen in quantum well carriers confinement potential was analysed. The photoluminescence intensities of the samples were correlated with the analysis of energy band structures and the overlaps of the carriers’ wave functions. In addition, the main carrier activation energies were estimated based on photoluminescence temperature dependence and the Arrhenius plots analysis. It was deduced that the thermal photoluminescence decay is most probably related to the escape of electrons whereas the holes, independently of the potential well depth, are additionally confined by the local inhomogeneities or by the Coulomb interaction with the confined electrons.

6

Investigation of optical properties of silicon oxynitride films deposited by RF PECVD method

Kijaszek W., Oleszkiewicz W., Zakrzewski A., Patela S., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2016

|

Vol. 34, No. 4

868--871

EN

In this study, the authors deposited silicon oxynitride films by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (RF PECVD) method. The research explores the relationship between the deposition process parameters and the optical properties of the deposited SiOxNy films. The optical constants of SiOxNy films were measured and calculated by spectroscopic ellipsometry method. Additionally, the authors investigated the possibility of controlling the deposited film composition by the flow ratio of different gaseous precursors: ammonia (NH3), diluted silane (2%SiH4 /98%N2), nitrous oxide (N2 O) and nitrogen (N2). The gas mixture introduced to the working chamber during the growth of the film has the influence on the Si–O and Si–N bonds formation and the ratio between these bonds determines the refractive index of the deposited film.

7

Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Kopalko K., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2016

|

Vol. 34, No. 4

726--734

EN

Conventional deep level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS techniques were used to study electrical properties of deep-level defects in dilute GaNAs epitaxial layers grown by atmospheric-pressure metalorganic vapourphase epitaxy (APMOVPE) on the GaAs substrate. Three samples with nitrogen concentrations of 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % were investigated. In DLTS and LDLTS spectra of the samples, four predominant electron traps were observed. On the basis of the obtained electrical parameters and previously published results, one of the traps was associated with N-related complex defects, while the other traps with common GaAs-like native defects and impurities, called EL6, EL3 and EL2.

8

Epitaksja LP-MOVPE wysokorezystywnych warstw InP kompensowanych żelazem do zastosowania w kwantowych laserach kaskadowych

Badura M., Radziewicz D., Ściana B., Pucicki D., Bielak K., Dawidowski W., Zborowska-Lindert I., Kosior Ł., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 9

19--22

PL

Kwantowe lasery kaskadowe są jednymi z najbardziej wyrafinowanych przyrządów półprzewodnikowych. Znajdują zastosowanie m. in. w spektroskopii fotoakustycznej, diagnostyce medycznej czy detekcji śladowych ilości niebezpiecznych gazów. Niektóre z tych aplikacji wymagają pracy ciągłej lasera, w temperaturze pokojowej. Aby zapewnić odpowiednie warunki pracy, niezbędne jest zastosowanie wydajnej techniki odprowadzania ciepła z obszaru rdzenia lasera. Jedną z możliwości jest osadzenie wysokorezystywnych warstw InP:Fe. W niniejszej pracy zaprezentowano etapy opracowywania technologii InP:Fe do zastosowań w kwantowych laserach kaskadowych. Warstwy były osadzone techniką LP-MOVPE na stanowisku firmy Aixtron. Jako źródeł materiałów grup III oraz V użyto odpowiednio: TMIn oraz PH3 (100%), natomiast atomy żelaza pozyskano z CP2 Fe. Przeprowadzono diagnostykę otrzymanych struktur za pomocą takich technik jak HRXRD, AFM czy pomiary elektryczne I-V.

EN

Quantum cascade lasers are one of the most sophisticated semiconductor devices. Their main applications are photoacoustic spectroscopy, medical diagnostics and harmful gas sensing. Some of them need continuous wavelength operation mode at room temperature. In order to assure proper working conditions it is necessary to apply efficient technics of heat dissipation from the laser core. One of the possibilities is to use highly-resistivity InP:Fe layers. In the present work there is elaboration of InP:Fe technology presented. Layers were deposited using LP-MOVPE technique at the AIXTRON system. There were TMIn, PH3 and Cp2Fe materials used as a group III, V and dopant sources. Test structures were investigated by the means of HRXRD, AFM and I-V measurement techniques.

9

Analiza temperaturowych charakterystyk I-V testowych ogniw słonecznych na bazie związków złożonych (In,Ga)(As,N)

Dawidowski W., Ściana B., Mikolášek M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 7

3--5

PL

Analiza temperaturowych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych pozwala na określenie zmian w wartościach podstawowych parametrów ogniwa: gęstości prądów nasycenia j0 i zwarciowego jsc, napięcia rozwarcia Voc, współczynnika wypełnienia FF oraz sprawności konwersji η. Ponadto prezentowane wyniki umożliwiają porównanie charakterystyk ogniwa pracującego przy oświetleniu widmem AM 1.5 oraz 20-krotnie skoncentrowanym promieniowaniem słonecznym.

EN

The analysis of current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics of solar cells enables to observe the changes in the saturation j0 and short circuit jsc current densities, open circuit voltage Voc, fill factor FF and conversion efficiency η versus the temperature. Moreover the presented results compare I-V-T characteristics measured under AM 1.5 and concentrated 20×AM 1.5 spectrum.

10

Zastosowanie funkcji Lamberta W do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu ogniw słonecznych

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 8

22-24

PL

Znajomość podstawowych parametrów modelu jednodiodowego ogniwa słonecznego pozwala na porównanie parametrów ogniw wytwarzanych różnymi technologiami. Ponadto, umożliwia symulowanie pracy ogniw słonecznych oraz analizowanie ich modeli zastępczych. W pracy omówiono właściwości funkcji specjalnej Lamberta W oraz przedstawiono jej wykorzystanie do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu zastępczego ogniwa na podstawie zmierzonych charakterystyk I–V: ciemnych i jasnych.

EN

The knowledge of single diode model parameters is essential for comparison of solar cells fabricated with different methods. Moreover, it enables the simulation of solar cell devices and analysing their equivalent circuits. In this work we present the single diode model of solar cell, the properties of Lambert W function and its application for determining the single diode model parameters, based on measured dark and illuminated I–V characteristics.

11

AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolásek M., Latkowska M., Radziewicz D., Pucicki D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2014

|

Vol. 60, No. 2

151-156

EN

Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.

12

Technologia LP-MOVPE heterostruktur InGaAs/InP do konstrukcji kwantowych laserów kaskadowych

Badura M., Bielak K., Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Dawidowski W., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 11

34-36

PL

Kwantowe lasery kaskadowe (QCLs), tzw. lasery unipolarne, które emitują fale o długości z zakresu okna atmosferycznego 3…5 μm, wymagają zastosowania układu materiałowego o dużej nieciągłości pasma przewodnictwa i bardzo dobrej przewodności cieplnej. Wymagania te spełnia układ materiałowy InGaAs/AlInAs/InP. W pracy przedstawiono wyniki badań związanych z epitaksją związków potrójnych InGaAs, dopasowanych sieciowo do InP, przy zastosowaniu niskociśnieniowej metody MOVPE. Pierwszym etapem badań było opracowanie kinetyki wzrostu niedomieszkowanych warstw In- GaAs, dopasowanych sieciowo do InP. Otrzymane warstwy wykazały bardzo dobre właściwości optyczne, co zostało potwierdzone wynikami pomiarów fotoluminescencji. Morfologia tych warstw, badana przy użyciu mikroskopu AFM, wykazała tarasowy wzrost typu „step-flow” i atomową gładkość powierzchni. Kolejnym etapem prowadzonych badań są prace technologiczne związane z domieszkowaniem heterostruktury InGaAs/InP krzemem.

EN

Quantum cascade lasers (QCL) so-called unipolar lasers, which emit light with wavelength at range of atmospheric window 3÷5 μm, require construction from the material system with sufficient conduction band discontinuity and high thermal conductivity. Such requirements are fulfilled by InGaAs/AlInAs/InP. In these paper are shown results of investigation of metalorganic vapor phase epitaxy of ternary alloy InGaAs lattice matched to InP. Grown layers have good optical properties, what is confirmed by photoluminescence measurements. Surface morphology of described samples tested by AFM exhibits step-flow growth and atomic scale surface smoothness. The next stage of ours research will be focused on n-type doping of InGaAs/InP heterostructure with SiH4 as a dopant source.

13

Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 8

40-42

PL

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AIIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Sprawność konwersji takich ogniw przekracza 40% przy zastosowaniu skoncentrowanego promieniowania słonecznego. Ważnymi elementami w konstrukcji takiego przyrządu są poszczególne podogniwa wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy przedstawiono technologię AP-MOVPE dolnego podogniwa na bazie InGaAsN oraz wyniki charakteryzacji otrzymanej struktury epitaksjalnej. Ponadto zaprezentowano wyniki pomiarów J-V wytworzonych ogniw słonecznych typu p-i-n.

EN

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. Efficiency of the MJSC devices exceeds 40% under concentrated sunlight. Individual subcells based on different semiconductors are crucial components of tandem solar cell. In this papers we describe AP-MOVPE technology of the bottom InGaAsN subcell and characterization of its epitaxial structure. Moreover, the fabrication process of the test solar cell structure and J-V measurement results are presented and discussed.

14

Stability of ZnO nanofibers in processing liquid agents

Stafiniak A., Boratyński B., Fronc K., Elbaum D., Paszkiewicz R., Tłaczała M., Baranowska-Korczyc A.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 3

312--317

EN

The aim of the research was to determine the impact of developers, removers and solvents on the stability of ZnO nanofibers. Surface imaging of nanofiber morphology was studied using Scanning Electron Microscope. From the obtained results a set of factors which have the least inﬂuence on the etching of ZnO nanofibers during device processing was selected. The dependence of the grains size on the fibers robustness in the liquid solutions was investigated. It was found that the nanofibers calcinated at higher temperatures were more stable. This was due to the grain size of the fiber as the fibers calcinated at higher temperatures revealed larger grain size. The studies have shown that smaller grains were dissolved much faster, leaving the porous core of the ZnO nanofiber.

15

Evaluation of AlGaN/GaN heterostructures properties by QMSA and AFM techniques

Szyszka A., Wośko M., Paszkiewicz B., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 4

543--547

EN

Atomic force microscopy and Quantitative Mobility Spectrum Analysis (QMSA) were applied for characterization and evaluation of the quality of AlGaN/GaN heterostructures. The structural uniformity, growth mode and electrical properties of the heterostructures were determined. The obtained results indicated that the time of growth of the low temperature GaN nucleation layer inﬂuenced the morphology and electrical properties of the AlGaN/GaN heterostructure.

16

Rola, wymagania i technologia złącza tunelowego dla wielozłączowego ogniwa słonecznego

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 7

33-35

PL

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AlIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Istotnym elementem konstrukcyjnym takiego ogniwa jest złącze tunelowe, umożliwiające połączenie elektryczne i optyczne pomiędzy sąsiednimi podogniwami minimalnych stratach. Niniejsza praca omawia funkcje złącza tunelowego oraz wymagania konstrukcyjne stawiane przez ten przyrząd. Dodatkowo przedstawione zostały prace autorów dotyczące epitaksjalnego wzrostu wytworzenia testowej struktury diody tunelowej na bazie GaAs.

EN

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. One of the most important parts of their construction is a tunnel junction (TJ), which is designed for series electrical connection between individual subcells. This work describes the main principles of the tunnel junction work and requirements for MJSC applications. Moreover the results concerning an epitaxial growth and fabrication of the test GaAs-based tunnel diodes are presented and discussed.

17

Influence of the AP MOVPE process conditions on InGaAsN/GaAs MQW MSM photodetectors parameters

Ściana B., Zborowska-Lindert I., Radziewicz D., Pucicki D., Badura M., Dawidowski W., Tłaczała M., Latkowska M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

32-35

PL

Stopy półprzewodnikowe AIIIBV z małą zawartością azotu, zwane „rozrzedzonymi azotkami”, są intensywnie badane ze względu na swoje unikalne właściwości i potencjalne zastosowanie w laserach IR i wydajnych wielozłączowych ogniwach słonecznych. Epitaksja (MOVPE lub MBE) tych materiałów jest trudna, proces kontrolowany jest głównie przez temperaturę wzrostu i koncentrację azotu w fazie gazowej. Precyzyjne wyznaczenie składu stopu InGaAsN jest złożone i wymaga zastosowania wielu technik pomiarowych. W pracy opisano technologię i optyczne właściwości niedomieszkowanych studni kwantowych 3×InGaAsN/GaAs otrzymanych metodą epitaksji z fazy gazowej z zastosowaniem związków metaloorganicznych przy ciśnieniu atmosferycznym (AP MOVPE). Testowe struktury epitaksjalne, otrzymane w różnych warunkach, zastosowano jako obszar aktywny fotodetektorów MSM. Omówiono i przeanalizowano wpływ parametrów osadzania na optyczne właściwości struktur MQW oraz ciemne i oświetlone charakterystyki dc I-V fotodetektorów MSM.

EN

AIIIBV semiconductor alloys with small amount of nitrogen, so called dilute nitrides have been extensively studied due to their unusual properties which make them very attractive for IR lasers and very efficient multijunction solar cells. The epitaxial process (MOVPE or MBE) of these materials is very difficult and strongly depends on the growth temperature and the nitrogen concentration inside an epitaxial reactor Additionally, a precise determination of the quaternary InGaAsN alloys composition is complicated and requires applying a lot of examination methods. This work presents the technology and optical properties of undoped triple quantum wells 3×InGaAsN/GaAs grown by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP MOVPE). Epitaxial test structures obtained at different process conditions are used as the active regions of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors. The influence of the growth parameters on the optical properties of MQW structures and measured dark and illuminated dc I-V characteristics of MSM detectors is analysed and discussed.

18

Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

Głowacki P., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

108-110

EN

The paper describes alternative method to improve adhesion of platinum thin layer to AlGaN/GaN heterostructures. Our approach was to use low temperature annealing before and during deposition process. The main goal was to observe if such treatment can provide better quality of Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructures.

PL

Artykuł opisuje alternatywną metodę poprawy adhezji cienkich warstw platynowych do heterostruktur utworzonych na azotku galu. Zastosowano niskotemperaturowe wygrzewanie przed i w trakcie procesu osadzania. Głównym celem było sprawdzenie, czy takie potraktowanie próbki może zapewnić lepszą jakość kontaktów Schottky’ego do heterostruktur AlGaN/GaN.

19

Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Latkowska M., Kovac J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 7

90-92

PL

Wzrost światowego zapotrzebowania na energię elektryczną wymusza rozwój badań w zakresie alternatywnych źródeł energii. Fotowoltaika wydaje się być perspektywicznym i nieszkodliwym dla środowiska sposobem konwersji promieniowania słonecznego na sygnał elektryczny. Obok powszechnych już ogniw i modułów krzemowych aktualnie badane są wysokosprawne, wielozłączowe ogniwa bazujące ma materiałach AIIIBV. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki dotyczące zastosowania poczwórnych związków półprzewodnikowych InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n.

EN

The worldwide increase of electric power consumption forces the development of alternative sources of energy. Photovoltaics seems to be a promising and harmless to the natural environment method of producing electrical power. Besides silicon cells and panels, present researches are focused on high efficiency and multijunction solar cells based on AIIIBV semiconductors. This paper presents the results of application of the new InGaAsN semiconductor compounds in the p-i-n solar cell construction.

20

Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych

Szyszka A., Macherzyński W., Prażmowska J., Wośko M., Stafiniak A., Gryglewicz J., Ramiączek-Krasowska M., Paszkiewicz B., Jankowski B., Ściana B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

55-58

PL

W pracy przedstawione zostały wyniki charakteryzacji lokalnych właściwości detektorów MSM (Metal-Semiconductor-Metal) oraz rezystancyjnych wytworzonych w warstwach GaN, struktur tranzystorów unipolarnych wykonanych w warstwach azotku galu, cienkich warstw metali katalitycznych, heterostruktur AlAs/AIGaAs/GaAs oraz powierzchni węglika krzemu wykonanych różnymi trybami mikroskopii sił atomowych. Badania zostały przeprowadzone metodami Skaningowej Mikroskopii Potencjału Powierzchniowego SSPM (ang. Scanning Surface Potential Microscopy), Skaningowej Mikroskopii Rezystancji Rozproszonej SSRM (ang. Scanning Spreading Resistance Microscopy) oraz obrazowania fazowego.

EN

In this work characterization results of MSM (metal-semiconductor-metal) and resistive detectors fabricated in gallium nitride layers, GaN based unipolar transistors, thin catalytic metal layers, AlAs/AIGaAs/GaAs heterostructures and silicon carbide surface by various techniques of atomic force microscopy are presented. The examinations were performed by Scanning Surface Potential Microscopy (SSPM), Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) and in phase imaging mode.