Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakteryzacja metodą XPS warstw azotku krzemu dla ogniw słonecznych

Socha R. P., Lipński M., Hejduk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

31-34

Przedstawiono charakteryzacje powierzchni warstw azotku krzemu przy użyciu spektroskopii fotoelektronów generowanych promieniowaniem X. Warstwy osadzano metodą chemiczną ze wspomaganiem plazmowym PECVD z użyciem generatora niskiej (LF-100 kHz) i radiowej częstotliwości (RF-13,56 MHz). Pokazano, ze warstwy osadzane przy użyciu metody RF PECVD mają większą zawartość fazy krzemowej przy podobnej zawartości fazy i₃N₄. Warstwy nanoszone przy użyciu generatora LF lepiej nadają się więc na warstwy antyrefleksyjne i pasywujące, natomiast warstwy nanoszone przy użyciu generatora RF do wytwarzania struktur wielowarstwowych z krzemowymi krystalicznymi kropkami kwantowymi dla ogniw trzeciej generacji.

Surface characterization of the silicon nitride layer using XPS method is presented. The layers were deposited by PECVD method applying low frequency (LF-100 kHz) or radio frequency (RF-13.56 MHz) generators. It was shown that the layers deposited with RF PECVD contain more silicon phase than the layers deposited with LF PECVD for the same contents of Si₃N₄ phase. The LF PECVD SiNx layers are more suitable for ARC and passivation layers whilst the RF PECVD for multilayered structures with silicon quantum dots that are used for third generation solar cells.