Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Semi-analytical model of Raman generation in silicon-on-insulator rib waveguide with DBR/F-P resonator

Tyszka-Zawadzka A., Szczepański P., Mossakowska-Wyszyńska A., Karpierz M., Bugaj M.

Opto-Electronics Review

2013

Vol. 21, No. 4

382-389

An approximate method of modelling of Raman generation in silicon-on-insulator (SOI) rib waveguide with DBR/F-P resonator including spatial field distribution and nonlinear effects such as Raman amplification and two photon absorption (TPA), is developed. In threshold analysis of steady-state Raman laser operation, an analytical formula relating threshold pump power to the system parameters is obtained. The analysis of the above threshold operation is based on an energy theorem. In exact energy conservation relation, we approximate the Stokes field distributions by that existing at the threshold, whereas the approximate pump field distributions are obtained by integrating the equations for the pump signal using the linear (threshold) pump field distributions and the threshold Stokes field distributions. An approximate, semi-analytical expression related the Raman output power to the pump power and system parameters is derived. Our calculations remain in a good agreement with the exact numerical solutions.

Analityczny model gęstości stanów w strukturze jednowymiarowego kryształu fotonicznego

Rudziński A., Szczepański P., Tyszka-Zawadzka A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 7

49-53

Przedstawiono prosty, w pełni analityczny model gęstości stanów w strukturze jednowymiarowego kryształu fotonicznego. Prezentowany model umożliwia analizę wpływu parametrów i defektów kryształu na jego właściwości, dzięki czemu stanowi narzędzie odpowiednie zarówno do badania, jak i projektowania tego typu struktur dla różnych zastosowań. W ogólnej postaci może być on zastosowany do obliczeń dla dowolnych struktur wielowarstwowych.

We present a simple, fully analytical model of density of states in one-dimensional photonic crystal structure. The introduced model allows to investigate the impact of the parameters and defects of the photonic crystal on its properties, thus being a tool adequate for both research and designing of this type of structures for diversified applications. In its general form, the model can be used in calculations for arbitrary multilayer structures.