PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 14

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Noise Properties Of Thick-Film Conducting Lines For Integrated Inductors
Stadler A. W., Kolek A., Mleczko K., Zawiślak Z., Dziedzic A., Nowak D.
Metrology and Measurement Systems
|
2015
|
Vol. 22, nr 2
229--240
EN
Studies of noise properties of thick-film conducting lines from Au or PdAg conductive pastes on LTCC or alumina substrates are reported. Experiments have been carried out at the room temperature on samples prepared in the form of meanders by traditional screen-printing or laser-shaping technique. Due to a low resistance of the devices under test (DUTs), low-frequency noise spectra have been measured for the dc-biased samples arranged in a bridge configuration, transformer-coupled to a low-noise amplifier. The detailed analysis of noise sources in the signal path and its transfer function, including the transformer, has been carried out, and a procedure for measurement setup self-calibration has been described. The 1/f noise component originating from resistance fluctuations has been found to be dominant in all DUTs. The analysis of experimental data leads to the conclusion that noise is produced in the bends of meanders rather than in their straight segments. It occurs that noise of Au-based laser-shaped lines is significantly smaller than screen-printed ones. PdAg lines have been found more resistive but simultaneously less noisy than Au-based lines.
2
Content available Noise Measurements Of Resistors With The Use Of Dual-Phase Virtual Lock-In Technique
Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Dziedzic A.
Metrology and Measurement Systems
|
2015
|
Vol. 22, nr 4
503--512
EN
Measurement of low-frequency noise properties of modern electronic components is a very demanding challenge due to the low magnitude of a noise signal and the limit of a dissipated power. In such a case, an ac technique with a lock-in amplifier or the use of a low-noise transformer as the first stage in the signal path are common approaches. A software dual-phase virtual lock-in (VLI) technique has been developed and tested in low-frequency noise studies of electronic components. VLI means that phase-sensitive detection is processed by a software layer rather than by an expensive hardware lock-in amplifier. The VLI method has been tested in exploration of noise in polymer thick-film resistors. Analysis of the obtained noise spectra of voltage fluctuations confirmed that the 1/f noise caused by resistance fluctuations is the dominant one. The calculated value of the parameter describing the noise intensity of a resistive material, C= 1·10−21m3, is consistent with that obtained with the use of a dc method. On the other hand, it has been observed that the spectra of (excitation independent) resistance noise contain a 1/f component whose intensity depends on the excitation frequency. The phenomenon has been explained by means of noise suppression by impedances of the measurement circuit, giving an excellent agreement with the experimental data.
3
Content available Noise spectroscopy of resistive components at elevated temperature
Stadler A.W., Zawiślak Z., Dziedzic A., Nowak D.
Metrology and Measurement Systems
|
2014
|
Vol. 21, nr 1
15--26
EN
Studies of electrical properties, including noise properties, of thick-film resistors prepared from various resistive and conductive materials on LTCC substrates have been described. Experiments have been carried out in the temperature range from 300 K up to 650 K using two methods, i.e. measuring (i) spectra of voltage fluctuations observed on the studied samples and (ii) the current noise index by a standard meter, both at constant temperature and during a temperature sweep with a slow rate. The 1/f noise component caused by resistance fluctuations occurred to be dominant in the entire range of temperature. The dependence of the noise intensity on temperature revealed that a temperature change from 300 K to 650 K causes a rise in magnitude of the noise intensity approximately one order of magnitude. Using the experimental data, the parameters describing noise properties of the used materials have been calculated and compared to the properties of other previously studied thick-film materials.
4
Content available Noise properties of thin-film Ni-P resistors embedded in printed circuit boards
Stadler A. W., Zawiślak Z., Stęplewski W., Dziedzic A.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2013
|
Vol. 61, nr 3
731--735
EN
Noise studies of planar thin-film Ni-P resistors made in/on Printed Circuit Boards, both covered with two different types of cladding or uncladded have been described. The resistors have been made of the resistive-conductive-material (Ohmega-Ply©) of 100 Ώ/sq. Noise of the selected pairs of samples has been measured in the DC resistance bridge with a transformer as the first stage in a signal path. 1/f noise caused by resistance fluctuations has been found to be the main noise component. Parameters describing noise properties of the resistors have been calculated and then compared with the parameters of other previously studied thin- and thick-film resistive materials.
5
Content available remote Właściwości szumowe rezystorów polimerowych na bazie nanorurek węglowych
Stadler A.W., Zawiślak Z., Słoma M., Jakubowska M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
52-55
PL
W artykule omówiono wyniki badań właściwości elektrycznych rezystorów grubowarstwowych z kompozycji polimerowych zawierających nanorurki węglowe. Badania rezystancji wykonano w zakresie temperatury od 77 K do temperatury pokojowej zaś pomiary szumu niskoczęstotliwościowego w temperaturze pokojowej. Przeprowadzono identyfikację szumu oraz wyznaczono intensywność szumową C materiału rezystywnego, która posłużyła do porównania właściwości badanych rezystorów i typowych rezystorów grubowarstwowych.
EN
Experimental studies of noise properties of CNT-based polymer thick film resistors have been described. Resistance has been measured in temperature range from 77 K up to room temperature. Low-frequency noise has been tested in room temperature. Noise intensity parameter C has been calculated, and then used for comparison properties of studied resistors with properties of other thick-film resistors.
6
Further improvement of Pb/Cd-free CaRuO3 thick-film resistors
Stadler A. W., Zawiślak Z., Kolek A., Kiełbasiński K., Jakubowska M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 3
115-118
EN
New generation of Pb/Cd-free CaRuO3 -based resistive paste has been used for preparation thick-film resistors (TFRs) with contacts made of various conductive pastes. Sample Pb/Cd-free TFRs with sheet resistance -2.6 kΩ have been examined in terms of noise and resistance measurements in temperature range 77...300K. Low-frequency noise has been identified to be resistance noise with two components: (i) 1/f noise and (ii) Lorentzians resulting from thermally activated noise sources (TANSs). Low frequency noise spectroscopy has been applied to obtain noise maps for different sectors of TFRs. These maps have been then used to detect TANSs and calculate their activation energy which occurred to be in the range 0.08...0.6 eV. Integral measure of noise has been mtroduced to extract noise components originated from bulk resistive material (Cbulk) and from resistive-to-conductive films interface (Cint). Next, parameters Cbulk and Cint have been used for noise properties comparison of different resistive materials and for evaluation of interface quality for different contacts. Results may be helpful in preparation/selection compatible pastes for thick-film technology in order to obtain reliable and low-noise Pb/Cd-free TFRs.
PL
W pracy przedstawiono badania właściwości elektrycznych bezołowiowych rezystorów grubowarstwowych wykonanych z pasty rezystywnej nowej generacji na bazie CaRuO3. Testowe rezystory, o rezystancji powierzchniowej -2,6 kΩ zostały poddane badaniu rezystancji i szumu w funkcji temperatury w zakresie 77.. 300K. Stwierdzono, że rezystancyjny szum niskoczętotliwościowy składa się z dwóch składników: (a) szumu 1/f i (b) szumu lorencjanowskiego pochodzącego od termicznie aktywowanych źródeł szumu (TAZS). Zastosowano niskoczęstotliwościową spektroskopię szumową do wyznaczenia map szumu dla różnych obszarów (sektorów) rezystora. Mapy pozwoliły wykryć TAZS i obliczyć ich energie aktywacji, które mieszczą się w przedziale 0.08...0.6 eV. Ponieważ mapy szumu są specyficzne dla rezystora, więc wprowadzono całkową miarę szumu a jej liniowa zależność od rozmiaru sektora rezystora była podstawą wydzielenia szumu warstwy (Cbulk) i szumu kontaktów (Cint). Parametry Cbulk i Cint posłużyły do oceny porównawczej właściwości szumowych badanych warstw oraz do oceny jakości interfejsu warstwa rezystywna/przewodząca dla różnych kontaktów. Wyniki badań mogą być pomocne przy opracowywaniu systemu kompatybilnych materiałów bezołowiowych dla technologii grubowarstwowej i jego optymalizacji w celu uzyskania materiałów do produkcji stabilnych rezystorów o małym poziomie szumów.
7
Wpływ sprzężenia elektrotermicznego na szumy materiałów niejednorodnych
Stadler A. W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 1
97-100
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań rezystancyjnego szumu 1/f obserwowanego w rezystorach grubowarstowych. Badania szumu prowadzono w funkcji temperatury oraz napięcia polaryzacji. Zaobserwowano, że wzrost napięcia polaryzacji rezystora oraz temperatury powodują stłumienie szumu. W celu wytłumaczenia obserwowanych zjawisk zaproponowano model przewodnictwa skokowego uwzględniający sprzężenie pomiędzy lokalnym polem elektrycznym i temperaturą elektronów. We wnioskach wskazano związek pomiędzy wykładnikiem opisującym tłumienie szumu przez napięcie polaryzacji i wykładnikiem opisującym sprzężenie elektrotermiczne.
EN
1/f noise has been observed in laboratory prepared thick film resistors in temperature down to 0.3K. It has been revealed that bias voltage supresses noise magnitude. Hopping model of electrical transport taking into account both inhomogeneity of resistive material and electrothermal feedback has been proposed in order to explain above phenomenon. The relation of exponent describing noise magnitude suppression with bias voltage and electrothermal feedback exponent has been shown.
8
Właściwości elektryczne grubowarstwowych rezystorów na bazie kompozycji polimerowych z nanorurkami węglowymi
Stadler A. W., Kolek A., Mleczko K., Zawiślak Z., Ptak P., Słoma M., Jakubowska M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
22-25
PL
W artykule omówiono wyniki badań rezystorów grubowarstwowych z fazą przewodzącą wykonaną nanorurek węglowych. Badania rezystancji i szumu niskoczęstotliwościowego prowadzono w zakresie temperatury T od 5 K do temperatury pokojowej z użyciem kriostatów: helowego i azotowego. Stwierdzono, że obserwowany szum jest typu rezystancyjnego o widmie 1/f. Zauważono, że intensywność szumu, mierzona w pasmach dekadowych rośnie ze wzrostem temperatury. Posługując się niskoczęstotliwościową, spektroskopią szumową, wykryto, w zakresie T>15 K, aktywowane termicznie źródła szumu o energii aktywacji w zakresie 25 meV-1,6 eV. Na podstawie temperaturowej zależności rezystancji wykazującej ujemny TWR wyznaczono bezwymiarową. czułość, która jest porównywalna z wartościami uzyskiwanymi dla kriogenicznych czujników temperatury. Wyznaczona wartość objętościowego współczynnika intensywności szumu warstwy rezystywnej, wskazuje, ze właściwości szumowe są gorsze niż w przypadku warstw rezystywnych RuO2 -szkło.
EN
Experimental studies of carbon nanotubes/polymer thick film resistors have been described. Liquid helium and nitrogen cryostats have been involved to study temperature dependence of resistance and noise in temperature range from 5 K up to room temperature. 1/f resistance noise has been observed. Noise intensity, calculated in decade frequency bands, significantly rises with increasing temperature. Thermally activated noise sources (TANS) of activation energies in the range 25 meV-1.6 eV have been revealed using low-frequency noise spectroscopy. Relatively large value of negative TCR has been obtained from resistance versus temperature curve. Calculated dimensionless sensitivity is similar to that observed in cryogenic temperature sensors. However, bulk noise intensity of resistive layer is larger than that obtained for RuO2 based resistive layers.
9
Zjawiska fluktuacyjne w obszarze interfejsu warstw rezystora grubowarstwowego
Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 11
22-25
PL
Pokazano, że pewne systemy past rezystywnych i przewodzących używane do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych cechuje wzrost gęstości termicznie aktywowanych źródeł szumów ulokowanych w obszarze interfejsu warstw. Te źródła szumów podlegają procesowi przełączania, który skokowo zmienia układ aktywnych fluktuatorów i ich wkład w całkowity szum mierzony na zaciskach rezytora. Badania pozwalają związać zjawisko przełączania z uwalnianiem naprężeń mechanicznych, które w rezystorach grubowarstwowych powstają na skutek niedopasowania temperaturowych współczynników rozszerzalności liniowej materiałów wchodzących w skład warstw rezystywnej i przewodzącej oraz podłoża.
EN
It is shown that certain resistive and conductive inks used for the fabrication of thick film resistors are characterized by enhanced denisty of thermally activated noise sources localized in the resistive/conductive layers interface. These noise sources are subjected to the switching phenomenon, which narrowly changes the set of active fluctuators and their contribution to the overall noise measured at resistors terminations. Extensive experiments allow to attribute the switchings to the relaxation of mechanical stress, which in thick film resistors appears due to the mismatch of thermal expansion coefficients of the materials contained in the layers and/or the substrate.
10
Przyrządy wirtualne w badaniu zjawisk fluktuacyjnych w wielokońcówkowych elementach biernych
Stadler A. W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 11
25-28
PL
Przedstawiono opis budowy analizatora sygnału szumowego skonstruowanego do badań szumu w zakresie małych częstotliwości w pasywnych elementach wielokońcówkowych. Wykorzystano koncepcję przyrządu wirtualnego oraz algorytm FFT. Przeprowadzono przykładowe pomiary właściwości szumowych rezystora grubowarstwowego RuO2 -szkło w celu weryfikacji poprawności działania analizatora. Zmierzony szum miał widmo 1/f. Dokładniejsza analiza przebiegów mocy w pasmach oktawowych ujawniła, że w oktawach o dużych numerach pojawia się niegaussowski składnik szumu. Duża liczba pasm oktawowych wziętych do analizy widm drugiego rzędu pokazała zalety opracowanego analizatora, pozwalając na dokładniejsze pomiary w porównaniu z możliwościami jakie dają urządzenia seryjnie produkowane.
EN
A construction of Noise Signal Analyzer developed for low-frequency noise studies in multi-terminal passive electronics devices has been described. FFT-based architecture and virtual instrument concept have been engaged to prototype the instrument. A simple experiment on noise in RuO2-glass multi-terminal resistors has been performed to verify operation of the Analyzer. It has been found that the noise in studied samples is of 1/f shape. A more detailed analysis of powers in octave bands revealed that in higher octaves non-Gaussian component appeared. Large number of octave bands taken into account during second spectra analysis confirmed usefulness of Analyzer which allows for more detailed analysis as compared to commercial instruments.
11
Noise signal analyzer for multi-terminal devices
Stadler A. W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 12
54-56
EN
A construction of Noise Signal Analyzer dedicated for low-frequency noise parametrization of multi-terminal electronics devices and elements has been described. Virtual instrument concept and FFT-based architecture have been used to develop the instrument. An experiment on noise in RuO2-glass multi-terminal resistors has been performed in room-temperature to test usefulness of the Analyzer. It has been confirmed that the measured noise is of 1/f shape. It has been revealed in further analysis of measurements by the use of second spectra approach that in higher octaves non-Gaussian component appears. The experiment proves that Analyzer significantly extends the range of possible noise analysis of the system in question.
PL
Opisano konstrukcję analizatora szumu niskoczęstotliwościowego w elementach i przyrządach wielokońcówkowych. Wykorzystano architekturę FFT i koncepcję przyrządu wirtualnego. Przeprowadzono eksperyment w temperaturze pokojowej dotyczący pomiaru szumu w wielokońcówkowym rezystorze RuO2+szkło, pokazując przydatność opracowanego analizatora. Potwierdzono, że zaobserwowany szum jest typu 1/f. W widmach drugiego rzędu wykryto składnik niestacjonarny. Eksperyment pokazał, że opracowany analizator znacznie rozszerza zakres możliwej do przeprowadzenia analizy szumu w badanych elementach.
12
Gaussianity evaluation of noise in RuO2-glass resistors
Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K., Żak D., Ptak P., Szałański P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 12
31-33
EN
Low-frequency noise in thick-film resistors of RuO2 and glass mixture study in temperature below 2 K has been described. Second spectra method has been used to test gaussianity of the measured noise. Possibility of nongaussianity in observed 1/f noise has been found at lowest temperature in experiment, T= 0.37 K.
PL
Opisano badania szumu w zakresie małych częstotliwości w rezystorach RuO2-szkło w temperaturze poniżej 2 K. Zastosowano metodę widm drugiego rzędu do określenia cech gaussowskich zmierzonego szumu 1/f. Wykryto niestacjonarność szumu w najniższej temperaturze uzyskanej podczas eksperymentu, T= 0,37 K.
13
Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu
Kolek A., Zawislak Z., Stadler A. W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 10
38-40
PL
Omówiono metodę pomiarów weryfikujących koncepcję, zgodnie z którą źródłem szumów niskoczęstotliwościowych są systemy dwustanowe o kinetyce aktywowanej termicznie. Pokazano, że takie systemy wywołują szumy w rezystorach grubowarstwowych wykonanych z past rezystywnych na bazie dwutlenku rutenu i szkła.
EN
A study on low-frequency noise sources in thick film resistors made of resistive pastes based on ruthenium dioxide and glass has been presented. The paper focuses on the excess noise spectrum dependence on temperature in the range 77 K < T < 300 K. Experimental data have been then analyzed to extract characteristic values of activation energy and time constant describing unique features of the measured spectra. It has been proved that the noise in RuO2 + glass thick film resistors is caused by two-states systems of thermally activated kinetics.
14
Rezystory grubowarstwowe RuO2 + szkoło jako kriogeniczne czujniki temperatury
Mleczko K., Żak D., Kolek A., Stadler A. W., Szałański P., Zawiślak Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
54-55
PL
Wykonane w laboratorium rezystory RuO2 + szkło badano pod kątem zastosowań w termometrii niskotemperaturowej. Badania obejmowały stabilność w cyklach chłodzenia od 300 do 77 K oraz pomiary zależności rezystancji od temperatury i pola magnetycznego.
EN
Laboratory-maded thick film RuO2 + glass resistors were tested for the application as low temperature thermometers. Stability in thermal cycles and temperature and magnetic field dependences of resistance were examinated.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.