PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 13

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O
Grochowski J., Kaczmarski J., Taube A., Kamińska E., Piotrowska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
20-23
PL
W pierwszej części niniejszego opracowania, prezentujemy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów cienkowarstwowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O oraz wyniki naszych badań w tej materii. Symulacje numeryczne mogą być stosowane do przewidywania parametrów elektrycznych zaprojektowanych struktur TFT przed wytworzeniem rzeczywistych przyrządów. Seria czasochłonnych procesów technologicznych może być zastąpiona przez symulacje komputerowe mające na celu określenie takich parametrów fizycznych materiału, które zagwarantują uzyskanie pożądanych właściwości tranzystora TFT. W niniejszej pracy prezentujemy ponadto wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości dielektryka oraz wymiarów geometrycznych kanału. Symulacje numeryczne mogą służyć jako dodatkowe narzędzie charakteryzacji materiałów i przyrządów, gdyż pozwalają na wizualizację wielkości fizycznych trudnych do zmierzenia. Są to między innymi rozkład koncentracji nośników ładunku w kanale TFT lub gęstości stanów w przerwie energetycznej półprzewodnika tlenkowego. W niniejszej pracy prezentujemy proces i wyniki podejścia łączącego metody analityczne i symulacje numeryczne, pozwalającego na ekstrakcję krzywej gęstości stanów (DoS) w funkcji energii.
EN
In this work we present an overview of various methods for amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) simulations. We will also discuss limiting factors of their usability as well as the challenges which should be overcome to make progress. We give a description of the state of-the art in the area and present our recent results. We will present our results of effects of physical structure parameters such as channel thickness and dimensions on electrical I-V transfer characteristics. Secondly, numerical simulations may serve as additional characterisation tool, as they make it possible to extract physical quantities that are difficult to measure, such as density of states within semiconductor bandgap. These advantages mean that increased use of device simulation is expected for efficient development of a-IGZO TFTs. We will present a process of combined analytical and numerical simulation approach to the extraction of density of states (DoS) versus energy curve.
2
Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O
Grochowski J., Kamińska E., Kaczmarski J., Piotrowska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
30-32
PL
W opracowaniu proponujemy nową technikę kontroli koncentracji dziur w warstwach Zn-Ir-O przy zachowaniu wysokiego poziomu transmisji optycznej. Prezentowane podejście polega na wprowadzeniu krzemu do cienkich warstw o strukturze spinelu w trakcie procesu osadzania. Dodanie tlenku krzemu o amorficznej mikrostrukturze do tlenku irydu zapobiega powstawaniu faz krystalicznych IrO2 wspomagając amorfizację oraz obniżając koncentrację swobodnych nośników. W zależności od stosunku Zn:Ir:Si:O uzyskano rentgenowsko amorficzne cienkie warstwy o przewodnictwie dziurowym. Najlepsze wyniki uzyskano dla próbek o składzie Zn3Ir8Si33O56. Materiał ten charakteryzował się opornością ρ = 0,6 Ωcm, koncentracją dziur p = 1•1018 cm-3 oraz ruchliwością µp = 2 cm2/Vs. Transmisja optyczna w zakresie widzialnym widma promieniowania elektromagnetycznego przekracza 70%, a szerokość przerwy energetycznej to 3,0 eV. Analiza HRTEM sugeruje, że ZnIrSiO składa się z nanoziaren Ir3Si i ZnIr2O4 zawieszonych w amorficznej matrycy.
EN
In this report, we propose a novel technique to control hole concentration in Zn-Ir-O thin films while retaining high optical transmission. Our approach relies on adding a controlled amount of silicon during thin spinel-type films deposition process. Addition of amorphous silicon oxide to iridium oxide is known to frustrate crystal growth of the latter one enhancing amorphization and lowering free carrier concentration. Depending on Zn:Ir:Si:O ratios, various p-type conductive XRD amorphous thin films were obtained. The best results were achieved for samples with a composition Zn3Ir8Si33O56, as obtained from RBS analysis. Transport properties were as follows: resistivity ρ = 0.6 Ωcm, hole concentration p = 2∙18 cm-3and mobility µ = 2 cm2/Vs. Optical transmission in the visible wavelength region is 70% and band gap width exceeds 2.6 eV. HRTEM analysis strongly suggests that ZnIrSiO is composed of Ir3Si, IrO2 and ZnIr2O4 nanograins embedded in an amorphous matrix.
3
Diody Schottky’ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O
Kaczmarski J., Grochowski J., Kamińska E., Taube A., Kozubal M., Jung W., Piotrowska A., Dynowska E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
24-26
PL
Kontakty prostujące stanowią główny element w konstrukcji diod Schottky’ego i tranzystorów MESFET zapewniających niski pobór mocy układów scalonych i płaskich wyświetlaczy z aktywnymi matrycami. W niniejszej pracy proponujemy wytworzenie bariery Schottky’ego do a-IGZO w oparciu o przezroczysty tlenek przewodzący (ang. Transparent Conductive Oxide, TCO) Ru-Si-O. Skład atomowy i amorficzna mikrostruktura tego TCO są skuteczne w zapobieganiu reakcjom międzyfazowym w obszarze złącza, pozwalając na uniknięcie wstępnej obróbki powierzchni półprzewodnika. Kontakty Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O zostały wykonane za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego. Przedstawiamy wyniki badań nad wpływem składu chemicznego Ru-Si-O na właściwości elektryczne i optyczne kontaktu do a-IGZO. Określono okno procesowe wytwarzania Ru-Si-O, w którym warstwy tworzą przezroczystą barierę Schottky’ego do a-IGZO bez wstępnej obróbki powierzchni tego półprzewodnika. Przezroczysta bariera Schottky’ego została wykorzystana w konstrukcji tranzystora MESFET.
EN
In the following reposrt we propose utilization of transparenct conductive oxide as Schottky contact to transparent amorphous oxide semiconductor. Ru-Si-O Schottky contacts to In-Ga-Zn-O have been fabricated by means of reactive sputtering without neither any annealing processes nor semiconductor surface treatments. The ideality factor, effective Schottky barrier height and rectification ratio are equal to < 2, > 0.9 eV and 105 A/A, respectively. We employed Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O Schottky barriers as gate electrodes for In-Ga-Zn-O metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). MESFET devices exhibit on-to-off current ratio at the level of 103 A/A in a voltage range of 2 V and subthreshold swing equal to 420 mV/ dec. Channel mobility of 7,36 cm2/Vs was achieved.
4
Korzyści i zagrożenia inwestora elektrociepłowni biogazowej
Grochowski J.
Czysta Energia
|
2012
|
Nr 2
36-37
5
Content available remote Electrical and optical properties of NiO films deposited by magnetron sputtering
Guziewicz M., Grochowski J., Borysiewicz M., Kaminska E., Domagala J. Z., Rzodkiewicz W., Witkowski B. S., Golaszewska K., Kruszka R., Ekielski M., Piotrowska A.
Optica Applicata
|
2011
|
Vol. 41, nr 2
431--440
EN
Films of transparent semiconductors are widely studied and developed because of high potential applications in electronics in last decade. Our work concerns the properties of NiO films fabricated by RF magnetron sputtering. Electrical and optical parameters of the films were characterized using Hall and transmittance measurements, respectively. P-type conductivity of as-deposited films and after annealing in oxygen or argon at the temperature range from 300 °C to 900 °C was verified. Transmittance of NiO films strongly depends on deposition temperature and oxygen amount during sputtering. Films deposited at room temperature without oxygen have transmittance near 50% in the visible range and resistivity about 65 ?cm. An increase in oxygen amount in deposition gas mixture results in higher conductivity, but transmittance decreases below 6%. Resistivity of 0.125 ?cm was attained at sputtering in oxygen. Films deposited at temperature elevated up to 500 °C are characterized by transmittance above 60% and lower conductivity. Annealing of NiO films in Ar causes resistivity to rise dramatically.
6
Analiza transmisji optycznej półprzewodnikowych warstw NiO osadzanych metodą magnetronowego rozpylania katodowego
Grochowski J., Guziewicz M., Borysiewicz M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 7
199-203
PL
Optyczne właściwości cienkich półprzewodnikowych warstw NiO wytwarzanych za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego zbadano pod kątem transmisji optycznej. Określono szerokość przerwy energetycznej w zależności od warunków wzrostu warstwy. Elektryczne parametry warstw zmierzono metodą Hall'a bezpośrednio po osadzaniu oraz po procesach wygrzewania w tlenie i argonie w zakresie temperatur 200...700° C. Warstwy osadzane w temperaturze pokojowej przy zawartości tlenu w plazmie od 9% do 100% charakteryzują się transmisją poniżej 10%, przewodnictwem typu p oraz rezystywnością poniżej 0,5 Ω cm. Warstwy osadzane w podwyższonej temperaturze z zakresu 300...700° C charakteryzują się transmisją optyczną powyżej 60% oraz rezystywnością wyższą od 1 Ω cm. Wygrzewanie warstw w tlenie wywołuje zmiany transmisji i szerokości przerwy energetycznej w zależności od zastosowanej temperatury i czasu, przy czym obserwowano wzrost rezystywności po wygrzewaniu w wyższych temperaturach, zaś wygrzewanie w atmosferze argonu powoduje drastyczny spadek przewodnictwa. Warstwy NiO domieszkowano także węglem, co kilkukrotnie zmniejszało ich rezystywność. Warstwy te po dodatkowym wygrzewaniu w tlenie charakteryzują się wyższym poziomem transmisji oraz szerszą przerwą energetyczną.
EN
Optical properties of thin semiconducting NiO films deposited by reactive magnetron sputtering were examined using optical transmittance measurements. Bandgap widths of these films were calculated in dependence of deposition process' parameters. Electrical properties of films were measured after deposition and annealing processes in 0₂ and Ar at temperatures from 200...700° C by Hali method. NiO films deposited at room temperature and having oxygen amount in process plasma varying from 9% to 100% are characterized by optical transmittance below 10%, p-type conduction and resistivity lower than 0.5 Ω cm. Films deposited at temperatures elevated from 300...700° C are characterized by transmittance above 60% and resistivity higher than 1 Ω cm. Annealing in oxygen results in change of optical transmittance level and bandgap width depending on used time and temperature. Resistivity is higher after annealing at higher temperatures in oxygen while annealing in argon ambient causes conductivity to drop dramatically. Doping thin NiO films with carbon was also performed which resulted in Iower resistivity few times. After additional annealing NiO:C films in O₂ their optical transmittance level raised and bandgap width widened.
7
Elektrociepłownia biogazowa - pierwsza w Wielkopolsce
Grochowski J.
Czysta Energia
|
2011
|
Nr 5
46-47
8
Nowelizacja zapisów prawa energetycznego po wejściu Polski do Unii Europejskiej
Grochowski J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Konferencje
|
2005
|
z. 24
85--94
PL
W referacie przedstawiono ogólną charakterystykę Prawa energetycznego obowiązującego wg stanu prawnego na dzień 3 maj 2005 r., ze szczególnym uwzględnieniem zawartych w nim znowelizowanych zapisów w latach 2003 i 2005.
EN
General characteristic of the Energy Low according to the legal status on the third of may 2005 was presented in the paper with the emphasis on provisions amended in 2003 and 2004.
9
Energetyczno-ekonomiczna konkurencyjność użytkowania podsystemów energetycznych w mieszkalnictwie
Grochowski J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Konferencje
|
2005
|
z. 24
73--83
PL
W referacie przedstawiono wybrane wyniki obliczeń dotyczące reperkusji energetycznych oraz ekonomicznych, będących konsekwencją wyboru użytkowanego podsystemu energetycznego w gospodarstwie domowym.
EN
Selected results of calculations coming from energetic and economic consequences of energy subsystem choice in hausing are presented in the paper.
10
Content available remote Nowe rozwiązanie problemu suszenia gruboziarnistej zawiesiny nieorganicznej w kominowanej suszarce rozpryskowo-fluidalnej
Pakowski Z., Grochowski J., Bartczak Z., Tomalczyk M., Adamiec J.
Przemysł Chemiczny
|
2003
|
T. 82, nr 8-9
1240-1242
11
Model symulacyjny prognozowania struktur energetycznych gospodarki bytowo-komunalnej
Owczarek D., Grochowski J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Konferencje
|
2003
|
z. 23
107--115
PL
W referacie przedstawiono charakterystykę modelu symulacyjnego umożliwiającego badanie potrzeb energetycznych sektora komunalno-bytowego. Wyjaśniono sens prowadzenia badań w zakresie elektrochłonności i energochłonności różnych działów gospodarki oraz podano metodykę wyznaczania potrzeb energetycznych wybranych sekcji sektora bytowo-komunałnego.
EN
This article contains the profile of simulating model, which give a possibility to research energy demand in communal-living sector. It was explained a sense of running research in a range of energy demand for different branch of economy. It also shows methodology of calculation energy demand in selected section of communal-Jiving sector.
12
Legislacja w energetyce i jej wpływ na bezpieczeństwo energetyczne kraju
Grochowski J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Konferencje
|
2001
|
z. 21
121-130
PL
W referacie przedstawiono wybrane problemy dotyczące bezpieczeństwa energetycznego kraju, w świetle obowiązującego prawu oraz aktualnych i prognozowanych krajowycli potrzeb energetycznych.
EN
In the paper selected problems concerning the energetics safety of the country are presented. Obligatory regulations as well as actual and prognostic domestic energetics needs are taken into consideration.
13
Rozporządzenia wykonawcze do ustawy prawo energetyczne
Grochowski J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Konferencje
|
1999
|
z. 17
69-80
PL
W referacie przedstawiono zestawienie aktualnie obowiązujących aktów prawnych dotyczących ustawy Prawo energetyczne wraz z ich krótką charakterystyką.
EN
A set of present ordinances concering the Power Act and their short characteristics are presented in the paper.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.