Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Multi-technique characterisation of InAs-on-GaAs wafers with circular defect pattern

Boguski Jacek, Wróbel Jarosław, Złotnik Sebastian, Budner Bogusław, Liszewska Malwina, Kubiszyn Łukasz, Michałowski Paweł P., Ciura Łukasz, Moszczyński Paweł, Odrzywolski Sebastian, Jankiewicz Bartłomiej, Wróbel Jerzy

Opto-Electronics Review

2023

Vol. 31, Special Issue

art. no. e144564

The article presents the results of diameter mapping for circular-symmetric disturbance of homogeneity of epitaxially grown InAs (100) layers on GaAs substrates. The set of acceptors (beryllium) doped InAs epilayers was studied in order to evaluate the impact of Be doping on the 2-inch InAs-on-GaAs wafers quality. During the initial identification of size and shape of the circular pattern, non-destructive optical techniques were used, showing a 100% difference in average roughness between the wafer centre and its outer part. On the other hand, no volumetric (bulk) differences are detectable using Raman spectroscopy and highresolution X-ray diffraction. The correlation between Be doping level and circular defect pattern surface area has been found.

Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych

Wróbel Jarosław, Odrzywolski Sebastian, Złotnik Sebastian, Boguski Jacek, Liszewska Malwina, Budner Bogusław, Jankiewicz Bartłomiej, Matuszelański Kacper

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 1

135--138

Niniejsza praca porusza zagadnienie charakteryzacji warstw epitaksjalnych arsenku indu (InAs) pod kątem jednorodności przestrzennej. Badania przeprowadzone w pracy zostały oparte na trzech metodach charakteryzacji: wysokorozdzielczej mikroskopii optycznej, mikroskopii sił atomowych i spektroskopii Ramana. Obiektem badań były warstwy epitaksjalne InAs na podłożach arsenku galu (GaAs), które zostały wytworzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

This thesis deals with the characterization of epitaxial layers of indium arsenide (InAs) in terms of spatial homogeneity. The research conducted in the paper was based on three characterization methods: high-resolution optical microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The subject of the research were epitaxial layers of InAs on gallium arsenide (GaAs) substrates, which were produced by the method of molecular beam epitaxy (MBE).