PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Investigation of silicon nitride and DLC thin films hardness deposited with RF PECVD method
Dominik M., Śmietana M., Król K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 11
35-38
EN
This paper presents the results of nanohardness measurements of silicon nitride (SiNx) and two types of diamond-like carbon films (DLC) deposited by radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD) method. In order to accurately determine hardness of SiNx and DLC films two approximation methods have been applied, where first includes an effect of the substrate (layer/substrate system), and the second takes into account an additional silicon dioxide (SiO2) interlayer (layer/SiO2/substrate system). In this work thickness and roughness of the films has also been investigated. The study has shown that the DLC films are slightly harder than SiNx films.
PL
Praca ta dotyczy badań twardości warstw azotku krzemu (SiNx) oraz warstw diamentopodobnych (DLC, ang, diamond-like carbon films) osadzanych metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą. W celu dokładnego wyznaczenia twardości warstw SiNx i DLC zastosowano dwa rodzaje metod aproksymacji wyników pomiarów metodą nanoindentacji. Pierwsza z nich uwzględniała jedynie wpływ podłoża (warstwa/podłoże) natomiast w drugiej metodzie uwzględniono także wpływ dodatkowej warstwy SiO2 (tlenku krzemu) (warstwa/SiO2/podłoże). W niniejszej pracy badane były również grubość oraz chropowatość warstw. Badania wykazały, że warstwy DLC są nieco twardsze od warstw SiNx.
2
Content available remote Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)
Krysiński A., Taube A., Gołaszewska K., Śmietana M., Mroczyński R., Szmidt J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
1-4
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki prób opracowania technologii struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT) opartych o warstwy wytwarzane metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą (PECVD). Do najważniejszych zadań tej pracy należał wybór optymalnego procesu osadzania warstw dielektryka bramkowego oraz półprzewodnika amorficznego. Funkcje tych warstw pełniły, odpowiednio, warstwy tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz amorficznego krzemu (a-Si). Uzyskane wyniki charakteryzacji elektrycznej pierwszej serii wykonanych struktur testowych TFT pokazały duże możliwości opracowanej w IMiO PW technologii. Uzyskano napięcia progowe gotowych struktur tranzystorowych na poziomie UTH ~ 3 V, natomiast nachylenie charakterystyki prądowo-napięciowej w zakresie przedprogowym wyniosło SS ~ 400 mV/dec, co jest jednym z najlepszych wyników spotykanych w literaturze.
EN
In this study there are presented, the results of tries attempts of thin-film transistors (TFT) technology development based on layers fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). In the course of this work the optimization of gate dielectric, as well as amorphous semiconductor layer deposition was one of the most important task. Silicon oxynitride (SiOxNy) and amorphous silicon (a-Si), respectively, were used as those layers. The first results obtained from the analysis of electrical characteristics of fabricated TFT test structures have demonstrated a great promise of the optimized at IMiO PW technology. The threshold voltage UTH~3V and subthreshold swing SS ~ 400mV/dec values were obtained, which are ones of the best results found in literature.
3
Sterowanie odpowiedzią czujników opartych na światłowodowych siatkach długookresowych (LPG) poprzez zastosowanie cienkich pokryć
Śmietana M., Bock W. J., Mikulic P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 11
23-25
PL
Przedstawiono wyniki badań nad zastosowaniem cienkich warstw pokryciowych do sterowania czułością światłowodowych siatek długookresowych (ang. Long-period Grating, LPG) na zmiany współczynnika załamania otoczenia. Do pokrycia struktur LPG wykorzystano metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganą plazmą wysokiej częstotliwości (ang. Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, RF PECVD), której użycie umożliwia uzyskania cienkich i jednorodnych pokryć na powierzchni światłowodu. Właściwości pokryć mogą być determinowane poprzez odpowiedni dobór parametrów procesu osadzania. Przedstawiono możliwości wykorzystania warstw diamentopodobnych (DLC) i azotku krzemu (SiNx) do sterowania odpowiedzią struktur na zmiany współczynnika załamania otoczenia, co umożliwia ich późniejsze zastosowania, choćby jako wysokoczułych biosensorów, czujników wilgotności, ciśnienia hydrostatycznego lub temperatury.
EN
The work presents results on application of thin overlays for tuning sensitivity of Long-period Gratings (LPGs) to variations in external refractive index. For deposition of thin films there has been applied Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD) method, which allows for obtaining thin and uniform overlays on the surface of the fiber. Properties of the films can be determined in wide range by selection of certain set of deposition process parameters. There has been shown application of diamond-like carbon (DLC) and silicon nitride (SiNx) thin films for spectral response tuning of the gratings to variations in external refractive index. The effect can be applied for developing highly sensitive biosensors, as well as humidity, hydrostatic pressure, and temperature sensors.
4
Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi
Śmietana M., Werbowy A., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 9
126-130
PL
Praca przedstawia badania nad możliwością dostosowania technologii wytwarzania czujnikowych struktur mikroelektronicznych i optoelektronicznych do specyficznych wymagań narzucanych przez procesy osadzania warstw diamentowych i diamentopodobnych. Opracowano i zrealizowano złożone procesy technologiczne przygotowania podłoży, a także osadzania i trawienia warstw węglowych, co dało możliwość wytworzenia czujnikowych struktur światłowodowych oraz tranzystorów FET z otwartą bramką. Dowiedziono, iż w przypadku czujników światłowodowych warstwy diamentopodobne mogą wielokrotnie zwiększać czułość wytworzonych przyrządów na zmiany koncentracji związków chemicznych w roztworach wodnych.
EN
Work presents researches on adaptation of microelectronic and optoelectronic sensing structures technology to specific requirements imposed by deposition processes of diamond and diamond-like carbon films. There were developed complex technological processes of substrates preparation, as well as deposition and processing of carbon films, in order to fabricate fibre optic sensing structures (e.g. long-period gratings) and also microelectronic open-gate field effect transistors. It was proven that in case of fibre optic sensors diamond-like carbon film overlay can multiple their sensitivity to variations of concentration of chemical compounds in water solutions.
5
Content available remote Tunel w odcinkach
Śmietana M., Czarny-Kropiwnicki R.
Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne
|
2007
|
Nr 6
80--81
6
Content available remote 2,9 m średnicy : największy mikrotunel kanalizacyjny w Polsce
Czarny-Kropiwnicki R., Śmietana M.
Inżynieria Bezwykopowa
|
2007
|
nr 1
78-80
7
Warstwa diamentopodobna jako obszar czynny dla czujników światłowodowych
Śmietana M., Szmidt J., Dudek M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
37-38
PL
Przedstawiono ideę konstrukcji głowicy czujnikowej zawierającej warstwy diamentopodobne, osadzone w procesie RF PACVD na specjalnie przygotowanych światłowodach planarnych. Badania wykazują bardzo wysoką czułość podobnego rozwiązania opartego na włóknach światłowodowych na zmiany wilgotności otoczenia głowicy. Wykazano zależność czułości układu od wielkości obszaru czynnego DLC/NCD głowicy i parametrów procesu osadzania.
EN
The manuscript presents an idea of using diamond-like carbon film deposited with the Radio Frequency Plasma Activated Chemical Vapour Deposition method onto specially prepared optical planar waveguide, which can be used as a sensing head. The experiments prove very high sensitivity to humidity of similar fibre optic system. The sensitivity depends on a length of the DLC/NCD section and deposition process parameters.
8
Content available Właściwości warstw NCD jako pokryć włókien światłowodowych w zależności od parametrów procesu RF PCVD
Śmietana M., Szmidt J., Dudek M., Niedzielski P.
Inżynieria Biomateriałów
|
2004
|
R. 7, nr 35-36
67-70
PL
Komunikat przedstawia właściwości pokryć diamentopodobnych otrzymanych w metodzie RF PCVD (Radio Frequency Plasma Chemical Vapour Deposition) na kwarcowych rdzeniach światłowodów typu PCS (Polymer Clad Silica), które mogą być wykorzystane jako głowice czujników. Poruszono problem technologicznego osadzania warstw DLC i NCD na podłożach dielektrycznych oraz opracowano sposób umieszczania próbek w reaktorze i takiego przeprowadzenia procesu, aby otrzymać oczekiwany efekt. Zaprezentowano wpływ parametrów procesu osadzania na transmisję światłowodu. Otrzymane pokrycia można scharakteryzować jako trwałe i cechujące się dobrą adhezją. Wykonano zdjęcia pokryć za pomocą Skaningowego Mikroskopy Elektronowego (SEM) oraz Mikroskopu Sił Atomowych (AFM). Eksperyment dowodzi bardzo wysokiej czułości otrzymanego układu na zmiany wilgotności otoczenia, w tym także w otoczeniu płynów organicznych "in vitro". Czułość ta zależy od długości pokrycia rdzenia warstwą DLC lub NCD oraz od parametrów procesów jej osadzenia. Ze względu na biokomatybilność pokryć NCD układ może znaleźć zastosowania "in vivo".
EN
The manuscript presents properties of diamond-like carbon cladding deposited with the Radio Frequency Plasma Chemical Vapour Deposition (RF PCVD) method into Polymer Clad Silica (PCS) optical fibre, which can be used as a sensing head. A technological subject of depositing diamond-like carbon (DLC) and nanocrystalline diamond (NCD) layers onto dielectric substrates is also raised. An original way of placing samples in a plasma reactor and process taken in order to get a desirable effect were worked out. An influence of deposition process parameters on fibre's transmission is presented. The coats can be characterized by good adhesion and stability. Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) images of the deposited layer were made. The experiments prove very high sensitivity to humidity. Such a sensor head can also find applications in an "in vitro" organic liquids environment. The sensitivity depends on a length of the uncoated section and deposition process parameters. Considering a biocompatibility of the NCD, presented tool can find "in vivo" applications.
9
Wyszukiwanie pozycyjne - algorytmy i struktury
Śmietana M.
Informatyka Teoretyczna i Stosowana
|
2004
|
R. 4, nr 6
13-26
PL
Praca ta zbiera i systematyzuje zagadnienia związane z problemem wyszukiwania pozycyjnego i pokazuje możliwości, jakie w tym zakresie powstają przy stosowaniu nowoczesnych struktur danych, takich jak binarne drzewa poszukiwań cyfrowych, binarne drzewa trie i binarne drzewa patricia. Dodatkowo zawiera praktyczne wskazówki kiedy warto stosować wyszukiwanie pozycyjne, a kiedy należy zastanowić się nad alternatywnymi metodami takimi jak: funkcje mieszające, poszukiwanie indeksowane kluczem, drzewa TST (ternary searching tree), drzewa pozycyjne wielokierunkowe. Opisywane w pracy algorytmy wyszukiwania pozycyjnego oraz budowania drzew pozycyjnych przedstawiono za pomocą diagramów UML. Metody wyszukiwania pozycyjnego są zarówno dyskutowane teoretycznie pod względem złożoności czasowej i pamięciowej jak i badane empirycznie.
10
Głowica światłowodowego czujnika zmian współczynnika załamania lub poziomu cieczy oparta na światłowodzie grubordzeniowym
Śmietana M., Kalenik J.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2003
|
Vol. 23, nr 11
34-36
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.