Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w cz. (13,56 MHz)

Bienek T., Beck R. B., Jakubowski A., Kudła A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

9-10

Przedstawione w pracy eksperymenty są częścią szerszych studiów mających na celu zbadanie możliwości zastosowania jednocześnie obu etapów wytwarzania warstwy dielektrycznej, np. ultrapłytkiej implantacji jonów azotu i utleniania w jednym stanowisku technologicznym.

Presented in this work experiments are a part of a broader study that examines the possibility of conducting both stages of creation of the dielectric (e.g. ultra-shallow nitrogen implantation and silicon oxidation) in one technological reactor.

Wytwarzanie ultracienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plaźmie w. cz.

Bienek T., Beck R. B., Jakubowski A., Kudła A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

6-7

Praca poświęcona jest badaniu potencjalnych możliwości zastosowania plazmy w cz. (13,56 MHz) do wytwarzania ultracienkich (<10nm) warstw SiO2.

The aim of this work is the experimental study of potential possibilities of oxidation in r.f. (13.56 MHz) plasma application for the formation of ultrathin (<10 nm) oxide layers.