Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

Morawiec S., Sarzała R. P., Nakwaski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

70-72

W artykule przedstawiono samouzgodniony model azotkowej diody elektroluminescencyjnej uwzględniający efekty piezoelektryczne. Model składa się z analitycznej części tensorowej oraz części numerycznej rozwiązującej powiązane równania Schrödingera i Poissona. Następnie zastosowano ten model w celu znalezienia takich zmian konstrukcyjnych diody z obszarami czynnymi z wielokrotnymi studniami kwantowymi In(AI)GaN/GaN, które powinny doprowadzić do zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na jej działanie. Cel ten został zrealizowany z pełnym sukcesem.

The self-consistent model of the nitride light-emitting diode is presented including piezoelectric effects. It is composed of the analytical tensor part and numerical solving of coupled Schrödinger and Poisson equations. The model was used to propose some structure modifications of the diode with the In(AI)GaN/GaN multiple quantum well active-region, which are expected to reduce an impact of mechanical stresses within the diode volume on its performance, which has been successfully accomplished.

An impact of the electrical pumping scheme on some VCSEL performance characteristics

Morawiec S., Kowalczewski P., Sarzała R. P.

Optica Applicata

2009

Vol. 39, nr 4

691-699

A comprehensive theoretical model of an operation of vertical-cavity surface-emitting diode lasers (VCSELs) is used to compare anticipated room-temperature (RT) continuous-wave (CW) performance of three modern VCSEL designs: the MESA VCSEL with the upper ring contact on the upper p-side DBR structure and the bottom broad-area contact as well as the single and the double intra-cavity contacted VCSELs. The MESA VCSEL has been found to demonstrate the best mode selectivity because its desired single fundamental mode operation is expected even for the largest 20-žm diameter devices. However its RT CW lasing thresholds are by about 30% higher than those for both intra-cavity contacted VCSELs because of increasing free-carrier absorption and heat generation. Therefore large-size MESA VCSELs cannot operate at higher temperatures and/or for higher operation currents. On the contrary, although both intra-cavity contacted VCSELs ensure single-fundamental-mode operation for smaller devices only, they seem to operate properly also at higher temperatures and operation currents. Therefore, with an exception of some special applications, intra-cavity contacted VCSELs currently seem to be the best VCSEL designs.