Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In this paper an application of a recently developed laser plasma source of extreme ultraviolet (EUV) for optical measurements of optical characteristics of Mo/Si multilayer mirrors is presented. The source is based on an xenon-helium double-stream gas puff target irradiated with laser pulses from a Nd : YAG laser system (E = 0.55 J, t = 3.9 ns, f = 10 Hz, M 2 = 2.5). The results show that the source can be useful for EUV lithography technologies as a metrology tool in the semiconductor industry.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.