PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Numerical model of capacitance-related phenomena in semiconductor lasers based on partial differential equations
Wasiak Michał, Sarzała Robert P.
Opto-Electronics Review
|
2024
|
Vol. 32, No. 2
art. no. e150606
EN
This paper presents a model of the capacitance and electrical properties of semiconductor lasers biased with modulated voltage. The model is based on the finite-element method (FEM), which is widely used in computer modelling and is a natural generalisation of a wellknown constant-voltage FEM electrical model. In principle, the model can be applied to any kind of device where inductance can be neglected. Here, it is applied to simulate the complex impedance and other high-frequency electrical properties of a vertical-cavity surface-emitting laser. These properties are very important for the application of such lasers in optical data transfer systems. The results show that both the diameter of the top mesa and the surface area of the top electrical contact have a strong impact on the performance of the laser. This impact is analysed as a function of the modulation frequency.
2
Content available Comparison of TJ and ITO GaN VCSELs in terms of their frequency characteristics
Śpiewak Patrycja, Wasiak Michał, Sarzała Robert P.
Opto-Electronics Review
|
2024
|
Vol. 32, No. 3
art. no. e150609
EN
The work focuses on vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) made of nitride materials that emit a wavelength of 445 nm. Two structures were examined: a laser with a tunnel junction and implantation (TJ VCSEL) and an ITO contact (ITO VCSEL). The analysis delves into capacitance phenomena influencing the modulation speed of these lasers. The results highlight differences in active currents between two structures, i.e., currents which contribute to the modulation of the laser emission. According to the authors’ simulations, the TJ VCSEL is more effective in modulating the number of carriers in the active region than the ITO VCSEL, assuming the same modulation amplitude of driving current.
3
Content available Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers
Śpiewak Patrycja, Gębski Marcin, Strupiński Włodek, Czyszanowski Tomasz, Kołkowski Walery, Pasternak Iwona, Sarzała Robert P., Nakwaski Włodzimierz, Wasiak Michał
Metrology and Measurement Systems
|
2023
|
Vol. 30, nr 3
519--529
EN
Experimental methods are presented for determining the thermal resistance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and the lateral electrical conductivity of their p-type semiconductor layers. A VCSEL structure was manufactured from III-As compounds on a gallium arsenide substrate. Conductivity was determined using transmission line measurement (TLM). Electrical and thermal parameters were determined for various ambient temperatures. The results could be used for computer analysis of VCSELs.
4
Content available remote Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych
Dąbrówka Dominika, Sarzała Robert P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
162--165
PL
W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy numerycznej matrycy azotkowych laserów o emisji krawędziowej emitujących falę 540 nm. Rozważono trzy różne rozwiązania konstrukcyjne zapewniające efektywne ograniczenie modu w rejonie obszaru czynnego emitera. Obliczenia przeprowadzono dla matryc zawierających od dwóch do dziesięciu emiterów. Wyniki pokazują, iż równomierny rozkład temperatury w poszczególnych emiterach można uzyskać bez wyrafinowanego układu sterującego, ale jedynie odpowiednio rozmieszczając emitery w matrycy.
EN
In the paper the results of a numerical thermal crosstalk analysis of 540 nm nitride-based edge-emitting lasers are presented. The work investigated three different structures that provide effectives mode reduction in the active region of the emitter. A laser array consisting of two to ten emitters was considered. The obtained results show that a uniform temperature distribution in individual emitters can be achieved without a sophisticated control system, but only by properly placing the emitters in the array.
5
Content available remote Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL
Śpiewak Patrycja, Wasiak Michał, Sarzała Robert P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 10
257--260
PL
W pracy przedstawiono symulacje komputerowe azotkowych laserów o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową, emitujących fale 405 nm. Analiza dotyczy zjawisk pojemnościowych zachodzących w tych laserach, istotnych z punktu widzenia ich potencjalnych zastosowań. Zauważono istotną różnicę w prądach czynnych między strukturami ze złączem tunelowym (TJ) i implantacją oraz strukturą z kontaktem ITO. Struktura TJ z grubą implantacją wydaje się najbardziej korzystna z punktu widzenia właściwości pojemnościowych.
EN
This paper presents computer simulations of nitride vertical-cavity surface-emitting lasers, emitting at 405 nm. The analysis is focused on capacitance phenomena occurring in these lasers, which are important for potential applications in optical links. A significant difference in the active currents is observed between the two analyzed structures with tunnel junction (TJ) and implantation, and the structure with an ITO electrode. The structure with TJ and thick implantation seems to be the most favorable from the point of view of capacitance properties.
6
Content available remote Analiza termiczna dwuwymiarowych matryc laserów VCSEL
Sarzała Robert P., Poborska Julita
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
166--169
PL
W pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy termicznej matryc laserów GaAs VCSEL emitujących falę 850 nm. Obliczenia wykonano dla pojedynczego lasera oraz dwóch typów matryc: nieskończonej i półnieskończonej. Uwzględniono różne wielkości apertur elektrycznych, różne odległości między emiterami oraz różną gęstość źródeł ciepła. Trójwymiarowe modele rozpływu ciepła pozwoliły określić rozkłady temperatury, dolną i górną granicę rezystancji termicznej analizowanych urządzeń oraz wzajemne oddziaływanie cieplne między emiterami matryc laserowych.
EN
In this paper the results of thermal numerical analysis of 850 nm GaAs VCSEL arrays are presented. A single VCSEL emitter and two types of VCSEL arrays: infinite and semi-infinite, were modelled. Several oxide aperture diameters, several values of the distance between emitters and various heat source densities were considered. The models for 3-D heat spreading allowed us to determine the heat flow distribution and to obtain the upper and lower bounds for both thermal resistance of single emitters and thermal crosstalk in arrays.
7
Content available Thermal analysis of a two-dimensional array with surface light emission based on nitride EEL lasers
Dąbrówka Dominika, Sarzała Robert P., Wasiak Michał, Kafar Anna, Perlin Piotr, Saba Kiran
Opto-Electronics Review
|
2022
|
Vol. 30, No. 4
art. no. e144115
EN
This paper presents the results of a thermal computational analysis of a two-dimensional laser array emitting from a surface. The array consisted of eight equispaced ridge-waveguide edge-emitting nitride diode lasers. Surface emission of light was obtained using mirrors inclined at 45°. The authors investigate how the geometrical dimensions of the array emitters and their pitch in the array affect the increase and distribution of temperature in the device. They also examine the influence on the temperature increase and distribution of the thickness of the insulating SiO₂, the thickness of the gold layer forming the top contact of the laser, and the thickness of the GaN substrate, as well as the influence of the ridge-waveguide width.
8
Content available First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Gębski Marcin, Śpiewak Patrycja, Kołkowski Walery, Pasternak Iwona, Głowadzka Weronika, Nakwaski Włodzimierz, Sarzała Robert P., Wasiak Michał, Czyszanowski Tomasz, Strupiński Włodzimierz
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2021
|
Vol. 69, nr 3
art. no. e137272
EN
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
9
Content available Impact of the active area position in a nitride tunnel junction vertical-cavity surface-emitting laser on its emission characteristics
Śpiewak Patrycja, Wasiak Michał, Sarzała Robert P.
Optica Applicata
|
2020
|
Vol. 50, nr 2
301--310
EN
This paper presents results of numerical simulations of a nitride semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with a tunnel junction. The modeled laser is based on a structure created at the University of California in Santa Barbara. The analysis concerns the impact of the position of laser’s active area on the emitted power. Both small detunings from the standing waveanti-node, and positioning of the active area at different anti-nodes are considered.
10
Content available remote Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne
Sarzała Robert P., Śpiewak Patrycja
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
127--130
PL
W pracy przedstawiono wyniki komputerowego modelowania półprzewodnikowego lasera VCSEL wykonanego z materiałów bazujących na azotku galu. Analiza dotyczy wpływu niedokładności wykonania różnych elementów konstrukcyjnych lasera na emitowaną przez niego moc. Rozważono różne przesunięcia obszaru czynnego i złącza tunelowego w rezonatorze lasera względem położenia pierwotnie zaprojektowanego. Zbadano również wpływ zmian grubości warstw zwierciadeł DBR na osiągi lasera.
EN
This paper presents results of numerical simulations of a semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser made of nitride materials. The analysis concerns the impact of the imperfections in fabrication of various laser elements on its emitted power. Different locations of the active area and the tunnel junction in the laser resonator with respect to the originally designed structures were considered. The influence of changes in the thickness of the DBR mirrors layers on the laser performance was also investigated.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.