PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Imaging methods of detecting defects in photovoltaic solar cells and modules: a survey
Maziuk Maurycy, Jasińska Laura, Domaradzki Jarosław, Chodasewicz Paweł
Metrology and Measurement Systems
|
2023
|
Vol. 30, nr 3
381--401
EN
In pursuit of increased efficiency and longer operating times of photovoltaic systems, one may encounter numerous difficulties in the form of defects that occur in both individual solar cells and whole modules. The causes of the occurrence range from structural defects to damage during assembly or, finally, wear and tear of the material due to operation. This article provides an overview of modern imaging methods used to detect various types of defects found in photovoltaic cells and panels. The first part reviews typical defects. The second part of the paper reviews imaging methods with examples of the authors’ own test results. The article concludes with recommendations and tables that provide a kind of comprehensive guide to the methods described, depending on the type of defects detected, the range of applicability, etc. The authors also shared their speculations on current trends and the possible path for further development and research in the field of solar cell defect analysis using imaging.
2
Content available Hyperspectral imaging - a short review of methods and applications
Kowalewski Jędrzej, Domaradzki Jarosław, Zięba Michał, Podgórski Mikołaj
Metrology and Measurement Systems
|
2023
|
Vol. 30, nr 4
637--654
EN
This paper takes a look at the state-of-the-art solutions in the field of spectral imaging systems by way of application examples. It is based on a comparison of currently used systems and the challenges they face, especially in the field of high-altitude imaging and satellite imaging, are discussed. Based on our own experience, an example of hyperspectral data processing is presented. The article also discusses how modern algorithms can help in understanding the data that such images can provide.
3
Analiza zastosowania odwracalnych ogniw paliwowych w systemach gromadzenia energii odnawialnej
Maziuk Maurycy, Domaradzki Jarosław
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2022
|
Vol. 63, Nr 5
13--18
PL
W pracy przedstawiono przegląd i analizę dostępnych technologii ogniw paliwowych oraz przedyskutowano możliwość ich wykorzystania w systemach gromadzenia energii odnawialnej. W części eksperymentalnej przeanalizowano działanie odwracalnego ogniwa typu PEMFC pracującego w demonstracyjnym (mini)systemie fotowoltaicznym. Ogniowo pracując w trybie elektrolizera zapewnia generację nowego paliwa - wodoru. Sprawność przetwarzania energii elektrycznej w wodór wynosiła około 86%, natomiast w trybie generacji energii elektrycznej sprawność była równa około 36%. Na podstawie uzyskanych wyników określono, że sprawność całego procesu gromadzenia i odtwarzania energii elektrycznej wynosi około 30%. W perspektywie dalszego rozwoju technologii ogniw paliwowych oraz metod wytwarzania i przetwarzania zielonej energii otrzymany wynik należy uznać za obiecujący.
EN
This paper presents an overview and analysis of available fuel cell technologies and discusses the possibility of their use in renewable energy storage systems. In the experimental part, the performance of a reversible PEMFC type cell operating in a demonstration (mini)photovoltaic system is analysed. The cell, operating in electrolyser mode, provides the generation of another type of fuel - hydrogen. The efficiency of converting electricity into hydrogen was about 86%, while in the electricity generation mode the efficiency was about 36%. On the basis of the obtained results, it was determined that the efficiency of the entire process of collecting and reproducing electrical energy is about 30%. In the perspective of further development of fuel cell technology and methods of producing and converting green energy, the result obtained should be regarded as promising.
4
Content available Memristors : a Short Review on Fundamentals, Structures, Materials and Applications
Domaradzki Jarosław, Wojcieszak Damian, Kotwica Tomasz, Mańkowska Ewa
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2020
|
Vol. 66, No. 2
373--381
EN
The paper contains a short literature review on the subject of special type of thin film structures with resistive-switching memory effect. In the literature, such structures are commonly labeled as "memristors". The word "memristor" originates from two words: "memory" and "resistor". For the first time, the memristor was theoretically described in 1971 by Leon Chua as the 4th fundamental passive electronics element with a non-linear current-voltage behavior. The reported area of potential usage of memristor is enormous. It is predicted that the memristor could find application, for example in the domain of nonvolatile random access memory, flash memory, neuromorphic systems and so forth. However, in spite of the fact that plenty of papers have been published in the subject literature to date, the memristor still behaves as a "mysterious" electronic element. It seems that, one of the important reasons that such structures are not yet in practical use, is unsufficient knowledge of physical phenomena determining occurrence of the switching effect. The present paper contains a literature review of available descriptions of theoretical basis of the memristor structures, used materials, structure configurations and discussion about future prospects and limitations.
5
IQRF : standard sieci bezprzewodowej dla Internetu Rzeczy
Chodasewicz Paweł, Domaradzki Jarosław, Wiatrowski Artur
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2020
|
Vol. 61, nr 10
17--21
PL
W niniejszej pracy omówiono zagadnienia związane z rozwojem nowych standardów komunikacyjnych sieci bezprzewodowych, przeznaczonych dla potrzeb Internetu Rzeczy. W szczególności, w pracy zaprezentowany został standard IQRF jako przykład standardu, który umożliwia budowę prototypowych sieci bezprzewodowych w stosunkowo prosty sposób. Artykuł zawiera krótki przegląd możliwości technologii IQRF oraz proste przykłady implementacji tego standardu.
EN
In the present work, the issues related to the development of new wireless communication standards intended for the Internet of Things are discussed. In particular, the IQRF standard has been presented as an example of standard which allows on construction of prototype wireless networks in a relatively simple manner. The paper contains a short review of IQRF technology and some simple examples of the implementation of this standard.
6
Content available remote Wpływ struktury na właściwości elektryczne i optyczne cienkich warstw na bazie tlenków Ti i Hf
Obstarczyk Agata, Kaczmarek Danuta, Mazur Michał, Domaradzki Jarosław, Wojcieszak Damian
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
111--114
PL
Celem niniejszej pracy było wytworzenie nanokrystalicznych oraz amorficznych cienkich warstw na bazie mieszaniny tlenków Ti i Hf metodą rozpylania magnetronowego. W ramach pracy przeprowadzono również szczegółową analizę wpływu struktury wybranych warstw na ich właściwości elektryczne takie jak gęstość prądu upływu oraz względna przenikalność elektryczna, a także właściwości optyczne w tym współczynnik ekstynkcji światła.
EN
The aim of this work was to prepare nanocrystalline and amorphous thin films based on a mixture of Hf and Ti oxides by magnetron sputtering. As a part of work, the detailed analysis of the impact of the thin films structure on their electrical properties such as leakage current density and dielectric constant and optical properties like extinction coefficient was carried out.
7
Analiza właściwości antystatycznych cienkich warstw na bazie tlenków Hf i Ti w powiązaniu z ich mikrostrukturą
Pastuszek Roman, Mazur Michał, Kaczmarek Danuta, Domaradzki Jarosław, Wiatrowski Artur
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 7
18--20
PL
W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO₂ oraz SiO₂ pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości 150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast właściwości strukturalne na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały, warstwy HfO₂, (Hf0,85Ti0,15)Ox oraz TiO₂ były nanokrystaliczne, a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei powłoka (Hf0,15Ti0,85)Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw naniesionych na SiO₂ czasy rozpraszania ładunku przekraczały 2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności. Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO₂ pokryte 150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.
EN
This work presents the analysis of antistatic properties of thinfilm coatings based on Hf and Ti oxides in relation to their structural properties. Investigated thin films were sputtered by the magnetron sputtering method on SiO₂ substrates and deposited SiO₂ covered with a 150 nm thick indium-tin oxide film. Antistatic properties were determined based on the measurements of static charge dissipation time, while structural properties based on X-ray diffraction. The XRD results showed, that HfO₂, Hf0.85Ti0.15x and TiO₂ thin films were nanocrystalline with an average crystallite size below 10 nm. Hf0.15Ti0.85Ox film was amorphous. For films deposited on SiO₂ the dissipation times exceeded 2 seconds, which indicated that none of them were antistatic taking into consideration with accepted cryterion. The longest dissipation time was obtained for amorphous coating. Deposition of thin films on SiO₂ substrates coated with a 150 nm thick ITO layer results in a significate decrease of static charge dissipation time to hundreds of milliseconds, independently of their structural properties.
8
Analiza efektu przełączania rezystancji w strukturach cienkowarstwowych z różnym profilem składu materiałowego
Kotwica Tomasz, Domaradzki Jarosław, Kaczmarek Danuta, Rogala Jacek, Strzyżewski Maciej
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 7
14--17
PL
Niniejsza praca przedstawia wyniki badań elektrycznych oraz strukturalnych cienkich warstw (Ti-Cu)Ox wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego z zaprogramowanym profilem rozkładu pierwiastków. Wytworzenie cienkich warstw zaplanowano tak, aby uzyskać gradientową zmianę koncentracji miedzi w funkcji grubości osadzonej warstwy o zadanym kształcie. Analiza składu materiałowego wykazała, że wytworzone warstwy posiadały podobny skład materiałowy wynoszący odpowiednio (Ti52Cu48)Ox oraz (Ti48Cu52)Ox oraz posiadały zadany kształt profilu rozkładu miedzi. Przeprowadzone analizy przekroi struktur wykonane za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego potwierdziły uzyskanie zarówno gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery V, jak i gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery U w całej objętości cienkiej warstwy. Badania elektryczne wykazały, że mimo podobnego składu materiałowego wytworzonych cienkich warstw, uzyskano różne przebiegi charakterystyk prądowo-napięciowych, a więc możliwe jest sterowanie typem efektu przełączania rezystancji przez zadanie określonego profilu rozkładu pierwiastków w danej strukturze.
EN
The present paper shows the results of electrical properties along with the investigations of the structure of the (Ti-Cu)Ox thin films layers fabricated by the magnetron sputtering. Thin films were prepared in order to achieve gradient change of the cooper concentration in the function of the thickness of the deposited layers with programmed shape of elemental profiles. Analysis of the material compositions showed, that deposited films have similar material composition respectively, (Ti52Cu48)Ox and (Ti48Cu52)Ox with programmed specific shape of the elements gradient profile. Conducted analysis of the films with the help of transmission electron microscope proved the V-shape and the U-shape gradient distribution of the cooper across the thin films. Electrical measurements have shown that despite similar material composition of the fabricated thin films, different waveforms of current-voltage characteristics were obtained, leading to the statement that it is possible to control the type of mechanism of the resistive switching effect by programming a specific distribution profile of elements in a given structure.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.