Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 1998

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania numeryczne rozkładu potencjału w kropce kwantowej ze sterowaną barierą

Mączka M., Pawłowski S., Kusy A., Machowska - Podsiadło E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1998

Vol. 39, nr 4

16-19

Przedstawiono schemat struktury oraz model metalowych elektrod dla tranzystora jednoelektronowego ze sterowaną barierą. W celu numerycznego wyznaczenia rozkładu potencjału w takim modelu dokonano w pierwszej kolejności jego dyskretyzacji a następnie rozwiązano dla niego równanie Laplace'a stosując metodę elementów brzegowych. Przedstawiono przykładowe wyniki obliczeń rozkładu gęstości ładunku na powierzchni metalowej bramki dolnej. Na wysokości występowania gazu elektronowego w tranzystorze jednoelektronowym pokazano uzyskane wyniki obliczeń rozkładu potencjału. Przeprowadzono analizę wpływu wybranych napięć międzyelektrodowych na dwa parametry określające kształt potencjału w kierunku transportu ładunku: wysokość barier (Vb) i głębokość studni (Vo). Stwierdzono, że Vb i Vo są w głównej mierze zdeterminowane przez napięcia pomiędzy bramką dolną i źródłem UGS oraz pomiędzy elektrodami górnymi a źródłem UUS. W oparciu o uzyskane wyniki obliczeń przeprowadzono także analizę wpływu konfiguracji elektrod górnych na kształt potencjału w kierunku transportu ładunku.

The structure and model of the metallic electrodes for the controlled-barrier one-electron transistor have been presented. To evaluate the potential distribution in such a model it has been first discretized and next the Laplace's equation formulated for it has next been numerically solved using edge elements method. As an example the results of surface charge density calculations on the surface of the bottom metal gate have been presented. The results of the potential distribution calculations have been shown for the height in the one-electron transistor where the electron gas exists. The influence of the selected interelectrode voltages on the barrier height (Vb) and the well depth (Vo) determining the potential distribution in the direction of the electrical transport has been analysed on the basis of the obtained numerical results. It has been found that Vband Vo are mainly determined by the voltages UGS between the bottom gate and the source and UES between the upper electrodes and source. On the basis of the obtained numerical results the influence of the upper electrodes shape on potential distribution in the transport direction has been analysed. It has been found that the most important is in this area the size of the protrusions in the upper electrodes. When the size of these protrusions is small enough the barrier height can diminish to zero.