PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Wpływ grubości na optyczne, strukturalne i elektryczne własności cienkich warstw CdS otrzymywanych metodą CBD
Schabowska-Osiowska E., Pisarkiewicz T., Kenig T., Handke B., Porada Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
60-61
PL
Cienkie warstwy siarczku kadmu o różnych grubościach nakładane były w kąpieli chemicznej (CBD). Warstwy wykazywały strukturę regularną. Ze wzrostem grubości przepuszczalność warstw w badanym zakresie widma silnie malała, zwiększała się natomiast wielkość ziarn CdS, występowała poprawa ciągłości warstwy i zmniejszały się nierówności powierzchni.
EN
Cadmium sulphide thin films with various thickness were deposited using CBD method. The films have shown a cubric structure. With the increase of the film thickness the transmission in examined spectral range strongly decreased, while CdS grain size increased, the continuity of the film improved and the roughness of the surface decreased.
2
Content available remote Fabrication of thin film polycrystalline CIS photovoltaic heterostructure
Pisarkiewicz T., Jankowski H., Schabowska-Osiowska E., Maksymowicz L. J.
Opto-Electronics Review
|
2003
|
Vol. 11, No. 4
297--304
EN
Manufacturing processes and investigation of properties of thin film materials forming the CulnSe2 (CIS) solar cell have been described. The cell consisted of the following layers: glassl Mol p-CulnSe2/n-CdS/n⁺-ZnO/. CIS absorbers were obtained by pulse magnetron sputtering of metallic targets in argon yielding the multilayer precursors structures which were successively chalcogenised in selenium vapours. Cadmium sulfide buffer layer was manufactured by chemical bath deposition (CBD) method which offers the films with optimal properties. Window zinc oxide layers were obtained by RF magnetron sputtering of metallic Zn:Al target in oxygen reactive atmosphere. Thin film CIS solar cells with the efficiencies of the order of 6% have been produced. Further improvement in technology leading to CIS cells with better parameters have been discussed.
3
Optoelektroniczna trójwejściowa bramka logiczna NOR
Porada Z., Schabowska-Osiowska E.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2003
|
Vol. 23, nr 11
6-7
4
Optoelectronic AND-OR-INVERT logical gate
Porada Z., Schabowska-Osiowska E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2003
|
Vol. 44, nr 2-3
29-30
EN
In presented paper an optoelectronic system, realizing the AND-OR- INVERT logical function which can be applied in transmission and processing of signals in optical form, is described. The optoelectronic AND-OR-INVERT logical gate was composed of thin film photoconducting and electroluminescent elements, made of cadmium sulphide and zinc sulphide, respectively, doped with copper, chlorine and manganese.
PL
W artykule opisany został optoelektroniczny układ realizujący funkcję logiczną AND-OR-INVERT, który może być stosowany przy transmisji sygnałów w postaci optycznej. Optoelektroniczna bramka logiczna AND-OR-INVERT była złożona z cienkowarstwowych elementów fotoprzewodzących i elektroluminescencyjnych wytworzonych odpowiednio z siarczku kadmu i siarczku cynku domieszkowanych miedzią, chlorem i manganem.
5
Fotowoltaika drugiej i trzeciej generacji
Pisarkiewicz T., Maksymowicz L. J., Jankowski H., Schabowska-Osiowska E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2003
|
Vol. 44, nr 8-9
19-21
PL
W artykule omówiono postępy w rozwoju fotowoltaiki na tle panującej obecnie technologii opartej na krzemie krystalicznym. Ogniwa cienkowarstwowe zaliczone zostały do fotowoltaiki drugiej generacji. Pokrótce opisano własności najpopularniejszych grup ogniw cienko-warstwowych, począwszy od ogniw opartych na krzemie amorficznym i jego stopach, poprzez ogniwa CdTe do ogniw CIS/CIGS. Przedyskutowano zagadnienie teoretycznej sprawności maksymalnej ogniw. Scharakteryzowane zostały nowe zjawiska stanowiące podstawę wytwarzania ogniw trzeciej generacji. Omówiono budowę wielozłączowego ogniwa typu tandem o wysokiej wydajności, zjawisko wielokrotnego tworzenia par elektron-dziura, naturę ogniw wielopasmowych oraz ogniwa opartego na konwersji termofotowoltaicznej.
EN
Recent progress in photovoltaics in comparison to crystalline silicon cells technology has been reviewed. Thin film solar cells were classfied as second generation photovoltaics. The properties of the most popular groups of thin film cells have been shortly described, starting from those of amorphous silicon and its alloys through CdTe until CIS/CIGS solar cells. The theoretical cells efficiency limit is analyzed. New phenomena and materials lying at the base of manufacturing third generation solar cells are characterized. The construction of multiple tandem cell of high efficiency, the phenomenon of multiple electron-hole pairs generation, the properties of multiband solar cells are discussed. Thermophotovoltaic effect, where a light from a heated body other than the sun is used as the illumination, and examples of cells which can work by this conversion are also described.
6
Układ elektronicznego półsumatora do sygnałów w postaci optycznej
Porada Z., Schabowska-Osiowska E.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2002
|
nr 7-8
8-10
7
Wyświetlacz zapamiętujący obrazy
Porada Z., Schabowska-Osiowska E.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
1998
|
nr 3
21-23
8
Układy mnożące sygnały elektryczne
Porada Z., Schabowska-Osiowska E.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
1998
|
nr 7-8
16-17
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.