Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The main objective of the study is to identify the negative effects on soldiers being on duty abroad. The starting point for the analysis is to characterize a number of stressors arising from the specifics of the profession of a soldier. In addition, the article describes physical and mental effects, i.e. post-traumatic stress disorder, as well as difficulties associated with the life of injured veterans in the context of social structures.
EN
In order to study the internal friction of thin films a nodal suspension system called GeNS (Gentle Nodal Suspension) has been developed. The key features of this system are: i) the possibility to use substrates easily available like silicon wafers; ii) extremely low excess losses coming from the suspension system which allows to measure Q factors in excess of 2×108 on 3” diameter wafers; iii) reproducibility of measurements within few percent on mechanical losses and 0.01% on resonant frequencies; iv) absence of clamping; v) the capability to operate at cryogenic temperatures. Measurements at cryogenic temperatures on SiO2 and at room temperature only on Ta2O5 films deposited on silicon are presented.
PL
Aby umożliwić prowadzenie badań tarcia wewnętrznego (Q-1 ) w cienkich warstwach opracowano węzłowy układ zawieszenia o nazwie GeNS (Gentle Nodal Suspension). Do najważniejszych cech charakterystycznych tego układu zaliczamy: i) możliwość wykorzystania łatwo dostępnych substratów, takich jak wafle krzemowe; ii) bardzo niskie straty nadmiarowe pochodzące z samego układu zawieszenia, co umożliwia pomiar wielkości Q przekraczających wartość 2×108 na waflach o średnicy 3”; iii) powtarzalność wyników pomiarów strat mechanicznych w zakresie kilku procent, a częstotliwości rezonansowej w zakresie 0,01%; iv) brak mocowań próbki; v) możliwość prowadzenia pomiarów w temperaturach kriogenicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów uzyskanych w temperaturach kriogenicznych dla SiO2 i przy temperaturze pokojowej dla warstw Ta2O5 osadzonych na krzemie.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.