Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ zawartości fazy sp2 na hydrofobowość warstwy diamentowej

Mosińska L., Popielarski P., Popielarski P., Franków W., Banaszak-Piechowska A.

Przemysł Chemiczny

|

2014

|

T. 93, nr 9

1587-1590

PL

Właściwości hydrofobowe warstw diamentowych uzyskanych metodą HF CVD zależą od parametrów syntezy i są ważnym parametrem charakteryzującym stan powierzchni diamentu. W przeprowadzonych badaniach pokazano wpływ jakości struktury krystalicznej na właściwości hydrofobowe. W zależności od parametrów syntezy wielkość krystalitów w warstwach diamentowych zmieniała się w zakresie 0,72–1,04 μm, jak określono za pomocą programu Semafore. Różnice w morfologii potwierdzają również badania ramanowskie – próbki o mniejszych krystalitach charakteryzowały się większą zawartością fazy sp2. Próbka, w której zawartość tej fazy była mniejsza wykazywała silniejsze właściwości hydrofobowe. Pomiar hydrofobowości próbek przeprowadzony został przy użyciu metody kąta zwilżania (contact angle).

EN

Diamond layers were deposited on Si substrate by hotfilament chem. vapour deposition from MeOH/H2 mixt. and studied for crystal structure, hydrophobic properties (contact angle) and crystallite size (0,72–1,04 μm). The morphol. was confirmed by Raman spectroscopy (content of sp2 phase).

2

Diament jako materiał przetwornikowy do produkcji biosensorów

Mosińska L., Fabisiak K., Paprocki K., Kowalska M., Popielarski P., Szybowicz M., Stasiak A.

Przemysł Chemiczny

|

2013

|

T. 92, nr 6

919--923

3

Cyclic voltammetry and impedance studies of undoped diamond films

Mosińska L., Kowalska M., Popielarski P., Fabisiak K., Paprocki K., Szybowicz M., Wrzyszczynski A., Zhusupkalieva G. K.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 1

146-150

EN

The undoped, polycrystalline diamond films were deposited on tungsten wire substrates by hot filament chemical vapor deposition (HF CVD), using a precursor gas mixture of methanol with excess of hydrogen. The morphology and quality of the as-deposited films were monitored by scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. The surface morphology analyzed by SEM resembles a continuous and well faceted diamond film. Raman results showed essential differences in qualities of diamond films grown at different hydrocarbon concentrations. The electrochemical properties of diamond electrodes were examined with cyclic voltammetry (CV) and the electrochemical impedance spectroscopy (EIS). The CV experiments revealed a large chemical window (>~4.3 V) of undoped diamond. Analysis of the ferrocyanide-ferricyanide couple at a diamond electrode suggests some extent of electrochemical quasi-reversibility, but the rates of charge transfer across the diamond substrate interface vary with diamond quality.

4

Zastosowanie skaningowej mikroskopii elektronowej i spektroskopii Ramana do badań warstw diamentowych o różnej jakości

Szulc A., Zorenko Y., Mosińska L.

Przemysł Chemiczny

|

2012

|

T. 91, nr 1

75-79

PL

Prezentowane wyniki dotyczą syntezy warstw diamentowych z fazy gazowej. Zmiany morfologii uzyskano poprzez zmianę stosunku CH₄/H₂ w gazie roboczym. Syntezę warstw diamentowych przeprowadzono metodą syntezy z fazy gazowej przy użyciu reaktora pracującego w trybie plazmy termicznej typu HF CVD (hot filament chemical vapor deposition). Morfologię otrzymywanych warstw badano za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej SEM (scanning electron microscopy). Morfologia ta zmieniała się w szerokim zakresie, od morfologii typu (111) poprzez morfologię typu (100), aż do bardzo rozwiniętej morfologii typu ball-like. Do badania jakości (doskonałości struktury krystalicznej) otrzymywanych warstw diamentowych zastosowano spektroskopię Ramana. Zmiany morfologiczne znalazły odzwierciedlenie w widmach ramanowskich. Szerokość połówkowa FWHM (full width at half maximum) diamentowej linii Ramana zmieniała się w granicach 6,8–13,2 cm⁻¹ (FWHM monokryształu diamentu wynosi 2 cm⁻¹). Wraz ze wzrostem stosunku CH₄/H₂ w gazie roboczym oprócz amentowej linii ramanowskiej zaobserwowano również wzrost intensywności szerokiego pasma o maksimum w okolicy 1530–1580 cm⁻¹, świadczącego o obecności fazy węgla amorficznego. Otrzymane wyniki wyraźnie wskazują, że zarówno morfologia, jak i jakość warstw diamentowych mogą być kontrolowane poprzez zmianę stosunku węglowodoru do wodoru w gazie roboczym.

EN

Thin diamond layers were deposited over a Si substrate by the hot filament chemical vapor deposition technique by using MeH and H₂ gas mixture. The layers were analyzed by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. The diamond film morphol. and quality strongly depended on the MeH/H₂ ratio in the working gas. The films showed (111), (100) and ball-like morphol.

5

Warstwy diamentowe otrzymywane metodą HF CVD o zróżnicowanej morfologii, metody weryfikacji otrzymanych warstw oraz ich zastosowanie

Szulc A., Mosińska L.

Ochrona przed Korozją

|

2011

|

nr 10

597-601

PL

W artykule omówiono technikę syntezy warstw diamentowych metodą HF CVD (Hot Filament Chemical Vapour Deposition - Chemiczne Osadzanie z Fazy Gazowej przy użyciu Gorącego Włókna). W celu zwiększenia gęstości nukleacji zarodzi diamentowych wykorzystano tzw. biasing. Przedstawiono zależność jakości warstw od parametrów procesu ich wzrostu. Dokonano oceny wpływu zmiany zawartości metanu w gazie roboczym na jakość osadzanych warstw diamentowych. Badanie jakości warstw oparto o trzy nieinwazyjne metody: elektronową mikroskopię skaningową, dyfrakcję rentgenowską oraz spektroskopię Ramana. Metody te wzajemnie się uzupełniają, dając informacje o wielkości krystalitów, morfologii, naprężeniach i zawartości fazy niediamentowej w otrzymanych warstwach. Właściwości fizyczne syntetycznych diamentów determinują ich możliwe zastosowania, takie jak: pokrycia ochronne, podzespoły i układy elektroniczne, elektrody w elektrochemii, optyka, narzędzia tnące i ścierne itp.

EN

Diamond layer synthesis by means of the HF CVD method (Hot Filament Chemical Vapour Deposition) has been discussed. Biasing was used as a means to enhance diamond nucleation. The relation between the quality of the layers and their growth process parameters has been presented. The impact of changes in the content of methane present in the operating gas on the quality of the deposited diamond layers has been evaluated. Three non-invasive methods i.e. scanning electron microscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy have been used to evaluate the quality of the layers. These methods are complementary and provideinformation about crystallite sizes, morphology, stresses and non-diamond phase contentin the diamond layers. The physical properties of synthetic diamonds determine their possible applications. They can be used as protective coatings, in electronic components and circuitry, electrodes in electrochemistry, optics, cutting and abrasive tools, etc.

6

Możliwości zastosowania warstw diamentowych jako powłok ochronnych

Szulc A., Mosińska L.

Ochrona przed Korozją

|

2011

|

nr 4-5

165-167

PL

Pokrycia diamentowe otrzymywane metodami CVD, w związku z ich unikatowymi właściwościami, stały się poszukiwanym materiałem do wytwarzania odpornych na zużycie powłok ochronnych, warstw antykorozyjnych oraz zastosowań trybologicznych. W niniejszej pracy wskazano obszary zastosowania cienkich warstw diamentowych W artykule przedyskutowano problem zależności odporności antykorozyjnej i mechanicznej pokryć diamentowych, która zdeterminowana jest adhezją między warstwą a podłożem. Dobra adhezja zależy od rodzaju materiału podłoża, sposobu jego przygotowania jak również parametrów procesu CVD.

EN

Diamond coatings obtained by CVD methods, due to their unique combination of properties, become very important for wear, corrosion protection and tribological applications. In this work we indicated the areas of thin diamond layers applications and have discussed the problem of their anticorrosion and mechanical resistance properties. The protective properties of the diamond coatings are determined mainly by adhesion between diamond layer and the substrate. Good adhesion is depended on substrate type, pretreatment of the substrate surface, CVD parameters process of diamond growth.