Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Mathematical simulation of a microelectronic transducer with frequency output for measuring the induction of the magnetic field

Osadchuk Alexander. V., Osadchuk Iaroslav A., Martyniuk Volodymyr V., Krylik Lyudmila. V., Evseeva Maria V.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2022

T. 12, nr 2

43--49

A new magnetically sensitive element based on the synthesized semiconductor material has been developed. A method for the synthesis of a complex compound has been developed tetrakis-μ3-(methoxo) (methanol)-pentakis (acetylacetonate) (tricuprum (II), neodymium (III)) methanol (I). Conducted properties have been studied complex compound in compressed form in the temperature range 273 - 493 K. In the developed magnetoresistor when changing the induction of the magnetic field from 10-3 to 200 mT, the resistivity varies from 3.12∙10-5 Ohm to 1.25∙10-2 Ohm∙m. On the basis of the developed magnetically sensitive resistive element the circuit solution of the frequency transducer of a magnetic field is offered. The frequency transducer of the magnetic field is a hybrid integrated circuit consisting of a bipolar transistor and a gate transistor. The frequency of generation of the developed transducer increases the most in the range from 10-3 T to 0.2 T, and at a supply voltage of 5.0 V varies from 250 kHz to 600 kHz, and in the whole range of changes in magnetic field induction varies from 250 kHz to 750 kHz. The sensitivity of the developed device with frequency output for measuring the induction of the magnetic field is from 400 Hz/mT to 800 Hz/mT.

Opracowano nowy element czuły magnetycznie oparty na zsyntetyzowanym materiale półprzewodnikowym. Opracowano metodę syntezy związku złożonego tetrakis-μ3-(methoxo)(metanol)-pentakis(acetyloacetonian)(tricuprum (II), neodym (III)) metanol (I). Badano właściwości przewodzące związku złożonego w postaci sprasowanej, w zakresie temperatur 273–493 K. W opracowanym magnetooporniku przy zmianie indukcji pola magnetycznego od 10-3 do 200 mT rezystywność zmienia się od 3,12∙10-5 Ohm do 1,25∙10-2 Ohm∙m. Na podstawie opracowanego magnetycznie czułego elementu rezystancyjnego zaproponowano rozwiązanie układu przetwornika pola magnetycznego na częstotliwość. Przetwornik ten jest hybrydowym układem scalonym składającym się z tranzystora bipolarnego i tranzystora bramkowego. Częstotliwość generacji opracowanego przetwornika wzrasta najbardziej w zakresie od 10-3 T do 0,2 T i przy napięciu zasilania 5,0 V zmienia się od 250 kHz do 600 kHz, zaś w całym zakresie zmian indukcji pola magnetycznego zmienia się od 250 kHz do 750 kHz. Czułość opracowanego urządzenia z wyjściem częstotliwościowym do pomiaru indukcji pola magnetycznego wynosi od 400 Hz/mT do 800 Hz/mT.

Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode

Osadchuk Alexander. V., Osadchuk Vladimir. S., Osadchuk Iaroslav A.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2020

T. 10, nr 4

51--56

Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.

Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.