PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN
Sobańska M., Wierzbicka A., Kłosek K., Tchutchulashvili G., Borysiuk J., Żytkiewicz Z. R.
Postępy Fizyki
|
2016
|
T. 67, z. 1-2
45--58
PL
Praca przedstawia aktualny stan wiedzy na temat zarodkowania bez użycia zewnętrznego katalizatora i wzrostu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu (plasma-assisted molecular beam epitaxy - PAMBE) nanodrutów azotku galu, a także perspektywy zastosowań takich struktur w wydajnych przyrządach mikroelektronicznych, optoelektronicznych i w sensorach biochemicznych. Szczególny nacisk położony jest na badania prowadzone w tym zakresie w Zespole Wzrostu MBE Nanostruktur Azotko wych Instytutu Fizyki PAN w Warszawie. Omówione są zagadnienia związane z badaniami mechanizmu spontanicznego zarodkowania nanodrutów GaN, w tym wykorzystanie technik RHEED i spektroskopii masowej do obserwacji in-situ procesów zachodzących na podłożu w trakcie nukleacji i wzrostu nanodrutów. Następnie przedstawione są typowe właściwości strukturalne i optyczne nanodrutów GaN na podłożach Si i amorficznych warstwach AlxOy. Pokazane jest jak mikrostruktura podłoża determinuje kinetykę zarodkowania, ułożenie na podłożu, polarność i właściwości optyczne nanodrutów. W końcowej części przedstawione są przykłady wytwarzania i zastosowań w badaniach fizycznych bardziej złożonych struktur nanodrutów półprzewodników azotkowych.
2
Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si
Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A., Tchutchulashvili G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
14-15
PL
W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.
EN
We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.
3
Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN
Jung W., Gołaszewska K., Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
124-126
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań profilu koncentracji nośników i domieszek w wielowarstwowych strukturach na bazie azotku galu. Pokazano, że pomiary charakterystyk pojemnościowo-napięciowych za pomocą sondy rtęciowej dają istotne informacje o upływnosci, grubości warstw i koncentracji nośników i mogą być z powodzeniem stosowane do testowania struktur z gazem dwuwymiarowym umożliwiając wyznaczenie koncentracji nośników i domieszek.
EN
Non-destructive method for rapid determination of carrier and dopant concentration profiles in multilayer 2DEG GaN structures is presented. Mercury probe capacitance - voltage measurements give valuable. Information on layers leakage. thickness and carrier concentration.
4
Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Kłosek K., Sobańska M., Żytkiewicz Z. R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
85-88
PL
W pracy omówiono metodę określenia optymalnych parametrów procesu wzrostu warstw azotku galu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Przedstawiono również metodę kontroli parametrów pracy źródła plazmowego. Przeprowadzone doświadczenia doprowadziły do precyzyjnej kontroli proporcji Ga/N na powierzchni rosnącej warstwy, co pozwoliło na uzyskanie stabilnego dwuwymiarowego wzrostu warstw GaN o wysokiej jakości.
EN
A method that allows determination of optimal conditions of growing GaN epilayers by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source is presented. A way of controlling parameters of the nitrogen plasma source is also discussed. Procedure elaborated allowed precise adjustment of Ga/N ratio on the surface of growing layer, which is crucial for stable, two-dimensional growth of high quality GaN layers.
5
Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Łusakowska E., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
27-30
PL
W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.
EN
In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.