Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Materiały Elektroniczne

1 2005

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIII BV

Gaca J., Wójcik M., Turos A., Strupiński W., Jasik A., Zynek J., Kosiel K, Eichhron F., Prokert F.

Materiały Elektroniczne

2005

T. 33, nr 1-4

5-42

Związki półprzewodnikowe AIIIBV znajdują szerokie zastosowanie w nowoczesnych technologiach. Światłowodowa łączność optyczna, odtwarzacze CD, skanery, aparatura medyczna, to tylko niektóre przykłady ich wykorzystania w praktyce. Obszar aktywny lasera, diody rezonansowej lub detektora składa się z warstw InxGa(1 x)As wykonywanych techniką MOCVD. Podstawową trudność stanowi uzyskanie warstwy aktywnej, o dużej jednorodności składu chemicznego i odpowiedniej grubości oraz ostrych interfejsach. Podstawowym warunkiem jest dobranie składu chemicznego warstwy InxGa x)As w taki sposób, aby wykazywała emisję w pożądanym zakresie długości fali. Aby tego dokonać niezbędna jest kontrola profilu składu chemicznego kryształów wielowarstwowych. Technikami badawczymi zapewniającymi nieniszczące i szybkie badanie struktury wytwarzanych układów epitaksjalnych są: wysokorozdzielcza dyfraktometria rentgenowska (HRXRD) oraz metoda ruthefordowskiego rozpraszania jonów (RBS). Wykorzystanie komplementarności tych metod pozwala wyznaczać i weryfikować podstawowe, objętościowe parametry strukturalne, a zastosowanie reflektometrii rentgenowskiej (XRR) i mikroskopii sił atomowych (AFM) umożliwiają charakteryzację powierzchni swobodnej oraz interfejsów. Wykorzystując wymienione wyżej techniki badawcze opracowano i zastosowano metodę wyznaczania profilu składu chemicznego i odległości międzypłaszczyznowych hetero-struktur związków półprzewodnikowych AIIIBV ze szczególnym uwzględnieniem bardzo cienkich silnie naprężonych studni kwantowych InxGa (1-x)As. Wyznaczono optymalne wartości parametrów wzrostu epitaksjalnego, co umożliwiło wytworzenie zaprojektowanych heterostruktur.

The chemical composition and interplanar spacing profiles as well a lateral homogen-ity of AIIIBv heterostructures containing highly strained InxGa(1 .As layer were investigated. The heterostructures grown by metallorganic chemical vapor deposition were characterizied by means of high resolution x-ray diffractometry, x-ray reflectometry and Rutheford backscattering. In order to analyze the experimental results an algorithm for calculating the x-ray profiles based on Darwin diffraction theory has been worked out. The developed method was applied to find out: the dependence of the growth rate of the highly strained InxGa As layer on a deposition time, the dependence of the interface profiles between supervise the growth proces of a resonant cavity enhanced photodiode heterostructure for which highly strained InxGa(1-x) As layer was an essential part.